催化光度法测定水中痕量亚硝酸根

基于亚硝酸根对溴酸钾氧化的结晶紫褪色反应的催化作用，提出了一种在室温下测定痕量亚硝酸根的催化光度法，测定亚硝酸根的线性范围为０～２．０μｇ／１０ｍｌ，检出限为３．４ｎｇ／ｍｌ，本法简便快速，具有较高的灵敏度和选择性，用于不同水样中痕量亚硝酸根的直接测定，结果令人满意。     

新建化学生物学专业中进行双语教学的几点设想

安徽工业大学化学生物学专业是依托中美合资高新生物技术企业开办的新专业。作为一门新兴学科,化学生物学中的大量内容与知识点分散在英文教材和文献中。本文就在安徽工业大学化学生物学专业中进行中英双语教学从师资、学生、教材以及授课方式等方面提出一些思考和建议。     

Preparation of Nano-SnO2 Abrasives and Their Application in Chemical Mechanical Polish of Ruthenium

利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响.结果表明,在500 ℃/4 h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性.利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材料去除速率和表面粗糙度都降低.当抛光液中含1％(质量分数,下同)二氧化锡、1％过硫酸铵、1％酒石酸和3 mmol/L咪唑,pH=8.0,抛光压力为17.24 kPa时,材料去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)分别为6.8 nm/min和4.8 nm.     

纳米SnO2磨料的制备及其在钌化学机械抛光中的应用（英文）

利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响。结果表明,在500℃/4h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性。利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材料去除速率和表面粗糙度都降低。当抛光液中含1%(质量分数,下同)二氧化锡、1%过硫酸铵、1%酒石酸和3mmol/L咪唑,pH=8.0,抛光压力为17.24kPa时,材料去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)分别为6.8nm/min和4.8nm。     

咪唑对钌化学机械抛光的影响

利用自制的抛光液,研究了在磷酸体系抛光液中咪唑(imidazole,C3H4N2)浓度和pH值对钌的抛光速率的影响。采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了缓蚀剂咪唑对腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜(AFM)观察钌片表面的微观形貌。试验结果表明:金属钌在未加入咪唑的磷酸体系抛光液中,抛光速率最高为6.2nm/min,平均粗糙度(Ra)为10.7nm;而在抛光液中加入咪唑后,钌的抛光速率为3.9nm/min,平均粗糙度(Ra)降至1.0nm。咪唑的加入,虽然降低了金属钌的抛光速率,但提高了金属钌的表面质量。同时也促进了金属钌表面钝化膜的生成,降低了金属钌的腐蚀电流值,抑制了阴极反应。     

钼（Ⅵ）－BTAM－盐酸羟胺体系显色反应的研究及其在分析中应用

本文研究了在十二烷基硫酸钠存在下，钼（ＶＩ）－ＢＴＡＭ－羟胺多元混配体系显色反应的条件及其在分析中应用。用本法测定了软磁合金中的钼，获得了满意的结果。     

靛蓝胭脂红-铜(Ⅱ)体系催化光度法测定雨水中微量过氧化氢

基于在pH4.0 H3PO4介质中,铜(Ⅱ)对H2O2氧化靛蓝胭脂红褪色反应的催化作用,建立了一种在常温条件下测定H2O2的催化光度分析新方法.H2O2质量浓度在0.03～0.5 mg/mL范围内与吸光度降低值DA呈线性关系,检测限为0.02 mg/mL.大多数常见离子无干扰,灵敏度和选择性较高.本方法用于雨水中微量H2O2的测定,结果满意.     

靛蓝胭脂红-铜(II)体系催化光度法测定雨水中微量过氧化氢

基于在pH4.0 H3PO4介质中,铜(II)对H2O2氧化靛蓝胭脂红褪色反应的催化作用,建立了一种在常温条件下测定H2O2的催化光度分析新方法。H2O2质量浓度在0.03～0.5 mg/mL范围内与吸光度降低值DA呈线性关系,检测限为0.02 mg/mL。大多数常见离子无干扰,灵敏度和选择性较高。本方法用于雨水中微量H2O2的测定,结果满意。     

三甲胺修饰戊二醛交联壳聚糖树脂的制备及其吸附性能

用水相均匀交联法制备戊二醛交联壳聚糖树脂 ,以三聚氯氰为活化剂 ,合成了三甲胺修饰戊二醛交联壳聚糖树脂 ,研究了该树脂的红外光谱特征及吸附性能。该树脂对铜 (Ⅱ )和牛血清白蛋白 (BSA)的吸附容量分别为 37mg/g和 460mg/g(以折合干重计 ) ,其吸附行为符合Freundlich等温吸附模型。该树脂制备工艺简单 ,可作为蛋白质分离纯化的吸附剂     

二氧化铈抛光液化学机械抛光微晶玻璃的机理及优化

以纳米CeO₂为磨料自制抛光液,研究磨料质量分数、pH值、抛光液流量、抛光盘转速、表面活性剂种类和氟化铵质量分数等因素对微晶玻璃化学机械抛光的影响,分析总结CeO₂在微晶玻璃化学机械抛光中的作用机理,利用原子力显微镜（AFM）检测微晶玻璃抛光后的表面粗糙度。结果表明:当CeO₂质量分数为3%、抛光液流量为25mL/min、抛光盘转速为100r/min、pH=8.0、十二烷基硫酸钠质量分数为0.01%,氟化铵质量分数为0.7%时,抛光后微晶玻璃表面粗糙度（R_a）最低为0.72nm,材料去除速率达到180.91nm/min。