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最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μmSOI工艺技术。通过这种技术 ,由CMOS器件实现 2 5Gb/s的超高速通信用IC。而且 ,业已证实采用大容量SRAMTEG (TestElementGroup :特性评价器件 )有可能实现大规模高速LSI。1 局部沟槽隔离技术(a) 0 18μmSOI技术的开发情况所谓的SOI技术 ,就是在Si基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (SOI层 )结构。与普通的Si基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,SOI器件则是在薄的SOI层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 … 相似文献
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通过计算铁氧体波导移相器的微波磁场和功率分布,给出了一种分析该类器件峰值功率容量的有效方法,取得了与工程试验相一致的结果,从而使得铁氧体非互易移相器的峰值功率容量大小能够在设计阶段得以较准确计算。 相似文献
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高峰均功率比是OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing)信号的主要缺点之一,峰均比过高会加重OFDM系统的非线性失真.部分传输序列算法(Partial Transmit Sequences,PTS)是有效降低OFDM信号峰均功率比的传统算法.该算法由于采用穷尽式搜索方式搜索最优相位因子组合,因此具有较高的计算复杂度,并且随着子数据块分组数的增加部分传输序列算法计算量呈指数形式上升,很难在实际的通信系统中得到应用.本文提出了一种具有较低计算复杂度的多层循环部分传输序列算法( Multi-Loop PTS),该算法通过对相位因子进行多层循环计算比较,舍去了部分冗余计算,且避免了相位因子搜索陷入局部最优点,在保证算法性能的同时降低了算法复杂度.并且通过仿真分析证明了本文提出的MLPTS算法能够较好的权衡PAPR性能和计算复杂度之间的关系. 相似文献
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通过液相合成方法提纯Nd:GdVO4多晶料,降低生长过程中存在的原料非一致性挥发,以及使用特殊晶体生长温控技术和消除晶体“后天性光散射”,Czochralski方法成功生长系列不同钕掺杂浓度的Nd:GdVO4单晶。采用不同透过率的Cr”:YAG晶体对Nd:CdVO4晶体进行激光调Q实验。实验结果显示,Cr^4 :YAG Nd:GdVO4激光器可以得到稳定高平均功率调制激光输出。实验得到的最小脉冲宽度只有6ns,对应峰值能量为26.4kW。对不同浓度掺杂对晶体调制激光性能也进行了比较,发现掺钕浓度越高,激光脉冲能量和峰值功率越大。对该晶体的GaAs调Q激光输出性能也进行了介绍,4.8W泵浦光下,最大GaAs调制激光输出为0.63W。 相似文献
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采用Er^3 /Yb^3 共掺双包层光纤(EYDF)作为增益介质,利用一段标准的多模光纤作为空间梳状滤波器,于室温下实现了5个波长的稳定输出。通过调节偏振控制器的状态,可以实现对波长振荡个数和波长间隔的控制。腔中不加任何的稳定装置,在激光输出功率高于207mw时,仍能够得到多波长的稳定振荡,单一波长的线宽窄于0.15nm,边模抑制比大于32dB。通过优化单模光纤与多模光纤的熔接,选择更加合适的多模光纤,可实现更多波长个数的稳定的多波长输出。 相似文献
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BRT球锈蚀试验代替程序ⅡD发动机台架试验,主要用来评价汽油机油的抗腐蚀和锈蚀能力。BRT球锈蚀试验机引进时提供的校机油样少,通过对进口试验油理化性能分析,采用国内的试验油,等效采用ASTMD6557方法。通过试验,所选的试验油有较好的区分性和重复性。可以作为将来BRT球锈蚀试验机的校机油。 相似文献
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