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992.
993.
研究了硼烷(B2H6)掺杂锗硅外延和磷烷(PH3)掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系.B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系;生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构,各层掺杂浓度均匀,过渡区约20nm,在整个外延层,Ge组分(x=0.20)均匀而稳定.PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降;P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值(约6×1018cm-3).分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质. 相似文献
994.
995.
996.
997.
Cs/p-GaAs(100)表面的变角XPS研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在实验数据的基础上 ,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序 ,应用了新算法 ,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p GaAs(1 0 0 )表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光电发射时 ,Cs覆盖率为 0 71个单层 ,Ga与As弛豫层厚度为 2 3个单层 ,Ga相对As轻微富集。 相似文献
998.
999.
1000.
首先讨论了软件组件技术及其发展,主要介绍了JavaBean组件模型及其在工控组态系统设计中的应用。 相似文献