栾川县黑家庄钼矿区矿床地质特征及成因探讨

河南省栾川县为我国有名的钼产地,黑家庄钼矿为豫该区较典型的钼矿床,论述了该矿床的地质特征、矿石特征、围岩蚀变、矿化阶段及矿物生成顺序,总结其成矿规律,并探讨了矿床成因.与同内矿床具有一定的可比性,对矿区的深部找矿和该区的找矿实践具有一定的指导意义.     

露天台阶深孔切割崩落处理多层复合空区的工程实践

介绍了洛阳栾川钼业集团股份有限公司三道庄矿区多层复合空区的赋存形态、空区处理方案选择以及采用地表深孔切割崩落法一次爆破同时处理多层空区时的工程实践;地表深孔切割崩落法处理的孔位布置、施工、装药、爆破及施工安全管理等,对国内同类型矿山资源的安全、合理开发具有重要参考意义.     

HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系;生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构,各层掺杂浓度均匀,过渡区约20nm,在整个外延层,Ge组分（x=0.20）均匀而稳定．PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降;P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）．分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质．     

低ε_r微波介质陶瓷的结构与介电性质

介绍了低介质常数εr 微波介质陶瓷中复合钙钛矿 Ba(X ,Y) O3系、(Zn,Sn) Ti O4系和 Ba O- Ti O2 系材料的结构和介电特性 ,分析其介电性质随结构和工艺参数的变化规律。以上系列微波介质陶瓷的烧结温度普遍较高 ,传统的介电理论不能完全解释这些材料的损耗机制。今后的发展趋势是利用复合效应来得到εr更高 ,品质因数Q值更高 ,同时温度稳定性良好的高性能材料     

固定床深层干燥稻谷爆腰增率及发芽率试验研究

对固定床深层干燥后稻谷的爆腰增率和发芽率进行了试验研究。研究表明,干燥速率越大,干燥温度越高,干燥过程中稻谷爆腰增率越大,稻谷含水率达15．0％后,继续加热稻谷爆腰会明显增加,缓苏干燥工艺可有效控制干燥过程中稻谷的爆腰,而且缓苏越充分,爆腰越少。研究还表明,干燥温度低于50℃的低温干燥对稻谷的发芽率不会产生显著影响。     

不同处理方法对分离7S、11S中抗原含量的影响

7S和11S是大豆的主要球蛋白,两者占全蛋白的70%。GlymBd30K、GlymBd28K和β-伴大豆球蛋白(7S球蛋白)的α-亚基(MW68k)是大豆中的主要致敏蛋白。本文主要用三种缓冲液的不同处理方法分离7S、11S,使大豆的主要致敏蛋白尽量少的存在于分离后的11S组分中,而主要集中在分离后的7S组分中。豆腐的硬度主要依赖于11S球蛋白,因此这为大豆蛋白脱敏的同时仍能保有良好的凝胶形成能力提供新思路。     

Cs/p-GaAs(100)表面的变角XPS研究

在实验数据的基础上 ,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序 ,应用了新算法 ,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p GaAs(1 0 0 )表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光电发射时 ,Cs覆盖率为 0 71个单层 ,Ga与As弛豫层厚度为 2 3个单层 ,Ga相对As轻微富集。     

双金属催化剂催化合成三甲基氢醌工艺研究

分别利用Ｐｔ－Ｒｅ／Ａ１２Ｏ３和Ｐｔ－Ｐｄ／Ａ１２Ｏ３催化剂,采用固定床连续工艺,由２,３,５－三甲基苯醌合成出了高冰率的２,３,５－三甲基氢醌,并与Ｐｔ／Ａ１２Ｏ３和Ｐｄ／Ａ１２Ｏ３催化剂进行了性能比较。结果表明,Ｐｔ－Ｐｄ／Ａ１２Ｏ３催化剂具有较高的初选择性;同时,随着２,３,５三甲基苯醌空速的提高,Ｐｔ－Ｐｄ／Ａ１２Ｏ３初活笥的下降幅度小于Ｐｔ／Ａ１２Ｏ３初活笥的下降幅度。     

GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析

利用变角X射线光电子能谱(XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算GaAs(100)在600-675℃热退火处理后表面组分/深度的定量变化.在GaAs表面氧化物与衬底之间存在一过渡层,即弛豫层,该层在自然情况下为富As的结构,经600℃以上的温度退火后,成为富Ga的结构.实验和计算发现该层的厚度和Ga的相对含量随退火温度增加而增大,即弛豫层中的Ga含量由53.4%变为62.1%,弛豫层厚度由1.3nm变为2.2nm.     

JavaBean组件技术及其在工控组态中的应用

首先讨论了软件组件技术及其发展,主要介绍了ＪａｖａＢｅａｎ组件模型及其在工控组态系统设计中的应用。