深亚微米工艺下芯片的差分静态电流测试分析

在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流(ΔIddq)测试原理的基础上,提出了一套深亚微米工艺下芯片的ΔIddq辅助测试解决方案.通过样本芯片,检验了ΔIddq测试方法的有效性;并根据检验结果,提出了Δ归一化的改进技术.经验证,这种优化后的ΔIddq辅助测量技术可有效筛选出功能测试不能覆盖的故障类型,提高了测试覆盖率.     

电磁井震约束反演识别川中深层裂谷

四川盆地川中地区GS1井在深层取得重大突破,使该区成为勘探热点。但因地震资料深部反射不清,油气勘探进程受阻,在此地区开展重磁电震联合勘探具有重要意义。本文应用电磁井震约束反演技术,利用该区测井和地震资料建立中浅层模型,进行电磁约束反演深层构造,提高了深层目标的反演精度,首次揭示川中地区深部存在裂谷型断陷盆地。结合前人资料,认为该深层裂谷盆地肩部位及断陷内次级凸起带是下一步勘探的有利目标区。     

超高压BCD工艺中多晶硅电阻的可靠性分析及实现

多晶硅电阻由于其独特的温度特性及电迁移效应,阻值受温度和电流的影响很大,针对应用于超高压BCD工艺中的多晶硅电阻,其可靠性需进行特别分析和设计。通过对0.18μm 700 V BCD工艺中不同掺杂浓度多晶硅电阻的测试与分析,结合多晶硅结构、导电机制、焦耳热效应及电迁移理论,分析了焦耳热和电迁移对多晶硅电阻的影响,并实现了高压BCD工艺中高可靠性的多晶硅电阻。