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21.
秦捷 《山西冶金》2011,(4):46-47,50
简要介绍了设备的结构、功能以及相关的工艺;着重介绍了电气在控制设备方面的主要应用。以优质的设备质量和合理的电气控制,在满足用户要求的条件下,最大限度提高生产力。  相似文献   
22.
Si(100)衬底上部分弛豫外延薄层Ge膜的应变研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用表面活化剂Sb在Si(100)衬底上分子束外延生长了不同厚度的Ge膜,同步辐射X射线衍射测量表明Ge膜为部分应变膜,其应变随厚度增大而减小.相应的喇曼光谱中的Ge-Ge振动峰位随应变不同而变化,与应变的关系和文献上认为的线性关系在较大应变处有很大的偏离,本文对此进行了分析和讨论.  相似文献   
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