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正An InGaAs/InP DHBT with an InGaAsP composite collector is designed and fabricated using triple mesa structural and planarization technology.All processes are on 3-inch wafers.The DHBT with an emitter area of 1 x 15μm~2 exhibits a current cutoff frequency f_t = 170 GHz and a maximum oscillation frequency f_(max) = 256 GHz.The breakdown voltage is 8.3 V,which is to our knowledge the highest BV_(CEO) ever reported for InGaAs/InP DHBTs in China with comparable high frequency performances.The high speed InGaAs/InP DHBTs with high breakdown voltage are promising for voltage-controlled oscillator and mixer applications at W band or even higher frequencies. 相似文献
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研究了材料还没有出现塑性变形、仅含弹性区和损伤区的球形孔洞动态扩展问题.首先通过对弹性区的研究以及初始损伤分析获得弹性区的场量分布,并给出弹性/损伤区交界处的边界连续条件;然后在自相似假设条件下,推导出动态扩展时损伤区需满足的控制方程;最后通过打靶法进行数值求解.数值分析表明,许多材料参数如ν、n、m都对弹性区和损伤区的场量分布有影响. 相似文献
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磁粉探伤时在工件缺陷处产生漏磁场 ,漏磁场的两极与磁粉的两极相互作用 ,磁粉被吸引并移动到缺陷处。漏磁场的磁力作用在磁粉微粒上 ,其方向指向磁感应线最大密度区 ,即指向缺陷处 ,漏磁场的宽度要比缺陷宽度大数倍至数十倍 ,所以磁痕能将缺陷放大 ,使之容易检测出来。工件磁化时 ,磁场方向尽可能与缺陷方向垂直 ,才能产生足够的漏磁场 ,缺陷才最清晰。为发现各个方向的缺陷 ,开发了不同的磁化方法[1] ,即周向磁化、纵向磁化和复合磁化法。周向磁化是利用周向磁化变压器的次级产生低电压大电流直接通过接触夹头进入工件 ,产生一个环绕工件… 相似文献
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本文描述一种基于8031单片机和TC8830AF语音处理器的PC机智能语音卡,通过软硬件设计解决了PC-8031-TC8830AF结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时,仅占用极少的PC机CPU处理时间,能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。 相似文献
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