首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6852篇
  免费   363篇
  国内免费   204篇
电工技术   491篇
综合类   511篇
化学工业   921篇
金属工艺   349篇
机械仪表   415篇
建筑科学   710篇
矿业工程   367篇
能源动力   212篇
轻工业   572篇
水利工程   304篇
石油天然气   241篇
武器工业   100篇
无线电   706篇
一般工业技术   535篇
冶金工业   358篇
原子能技术   91篇
自动化技术   536篇
  2024年   40篇
  2023年   126篇
  2022年   148篇
  2021年   140篇
  2020年   115篇
  2019年   185篇
  2018年   150篇
  2017年   89篇
  2016年   77篇
  2015年   112篇
  2014年   268篇
  2013年   192篇
  2012年   219篇
  2011年   165篇
  2010年   237篇
  2009年   242篇
  2008年   207篇
  2007年   259篇
  2006年   255篇
  2005年   202篇
  2004年   184篇
  2003年   204篇
  2002年   174篇
  2001年   206篇
  2000年   202篇
  1999年   277篇
  1998年   216篇
  1997年   217篇
  1996年   234篇
  1995年   275篇
  1994年   214篇
  1993年   233篇
  1992年   212篇
  1991年   189篇
  1990年   189篇
  1989年   170篇
  1988年   68篇
  1987年   65篇
  1986年   72篇
  1985年   49篇
  1984年   57篇
  1983年   52篇
  1982年   51篇
  1981年   41篇
  1980年   49篇
  1979年   17篇
  1978年   15篇
  1975年   6篇
  1956年   5篇
  1955年   5篇
排序方式: 共有7419条查询结果,搜索用时 195 毫秒
11.
本厂对原有的重整装置进行了技术改造,采用铂铼催化剂3741,重整稳定汽油的辛烷值有所改善,汽油的液收全年平均可提高3%,用该汽油和催化裂化汽油调合可生产87号低铅汽油。  相似文献   
12.
由于氙灯辐射存在一定量的近红外1.06微米的辐射(约百分之几),它将消耗一部分激光上能级的粒子数,降低了激光输出效率。为此我们采用掺钐玻璃吸收1.06微米辐射,以降低“退泵浦效应”,提高激光总体效率。一、实验图4为实验装置的示意图。采用普通单椭圆聚光筒。由R_(866)全反镜和T=90%平面镜生成振荡  相似文献   
13.
14.
15.
高效率平面磁控溅射器的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍一种新型磁控溅射装置。它采用两块极性相对的环状磁铁的设计方法,通过扩大靶表面的等离子放电区域面积,使传统磁控溅射枪使用中经常受到的两个限制──溅射速率与靶的利用率得到了较大的改善。实验中铜靶在溅射功率密度为11W/cm~2时溅射速率约为800nm/min,如果继续提高功率则可获得更高的速率。而靶的利用率可达64%左右。另外,在认为出射粒子符合cos~nθ分布的前提下,发现当n=3.3时,实验数据和理论数据符合得较好。  相似文献   
16.
分析了热镀钢丝自液池引出过程中的热传导,得出了温度分布的解析解,从而计算钢丝表面膜层达到凝固温度时的提抽高度,为结构设计及确定冷却装置的合理位置提供依据。  相似文献   
17.
18.
李秦章 《轻兵器》1998,(9):geMap0
BOLT the breechblock or breechbolt that seals breech end of barrel. 枪机:密封枪管尾部的枪栓或闭锁装置.  相似文献   
19.
镍钴合金镀层的电沉积及其耐蚀性的研究   总被引:13,自引:4,他引:9  
研究了Ni-Co合金的电积过程,讨论了电镀工艺条件的改变对合金镀层钴含量的影响。实验结果表明,选择适当的阴极电流密度、电解液温度和镀液PH值等,可以获得表面光洁、平整和致密的耐蚀性能比镍镀层更好的合金镀层。  相似文献   
20.
IGBT开关励磁的原理及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文给出了新型功率半导体器件(IGBT)的基本特性和驱动方法,及其工作在开关状态下的功率损耗计算方法。同时讨论了IGBT在开关励磁中的应用和原理,给出了开关励磁磁磁装置的基本输出输入关系。最后,本文指出相对于可控硅励磁,开关励磁在控制和驱动方面具有突出的优点。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号