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随着油气勘探不断向地层深部拓展,弄清烃源岩层生烃底限对于确定含油气盆地有效勘探领域范围和评价油气资源潜力都具有十分重要的意义。为此,以渤海湾盆地东濮凹陷古近系沙河街组烃源岩为研究对象,根据烃源岩层生排烃机理,采用有机元素变化分析法、生烃潜力法、残留烃量法和排烃量法4类7种方法对该区烃源岩的生烃底限进行了研究。结果表明:1用不同方法确定的沙河街组烃源岩生烃底限相差不大,全区生烃底限对应的镜质体反射率值(Ro)介于3.23%~3.97%,平均为3.71%,全区生烃底限对应的深度H值介于5 244~5 525m,平均为5 433 m;2凹陷北部生烃底限Ro介于3.61%~3.97%,平均为3.81%,其生烃底限H值介于5 415~5 545m,平均为5 488 m;3凹陷南部生烃底限Ro介于3.20%~3.74%,平均为3.48%,其生烃底限H值介于5 265~5 375m,平均为5 278 m。结论认为:该区南、北地区生烃底限存在差异,北部地区生烃底限对应的热演化程度(Ro)值和深度值明显高于南部地区,这与凹陷北部沙河街组发育巨厚膏盐层有关,主要体现为南、北地区在有机质类型、地层温度和压力等方面存在着差异性。 相似文献
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用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAS/Ga1-xAlxAs异质结,发现不同工的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由GaAs带间跃迁的Franz-Keleysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密以级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga1-xAlxAs调制光谱分析,发现表面复盖层对Ga1-xAlxAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的 相似文献
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研究开发了一种准2μm高速BiCMOS工艺,采用自对准双埋双阱及外延结构.外延层厚度为2.0~2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化(简称PBLOCOS)隔离,双极器件采用多晶硅发射极(简称PSE)晶体管.利用此工艺已试制出BiCMOS25级环振电路,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tpd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力为0.62ns/pF.明显优于CMOS门. 相似文献
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文中阐述了中国石油四川石化有限责任公司火炬及火炬气回收设施工艺流程,总结了首次开后的运行情况及运行过程中存在问题。实施了相应的优化改造措施后,降低了火炬气回收设施的运行成本和实现了环境保护优化方案。 相似文献
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79.
本文研究了印刷圆形微带贴片分析中所涉及的Sommerfeld积分,选择合适的积分路径,简化了对极点的处理;通过提取积分函数的准静态项,加速积分的收敛。数值试验表明,本文方法能使积分时间缩短6-13倍。 相似文献
80.
给出了柱面共形相控阵天线方向图的理论综合方法,相应的数值计算和优化结果,考虑了公差等因素之后研制出共形相控阵天线的馈电系统,实际的共形阵方向图测量结果表明:在15%以上的带宽内,方向图的最大融瓣电平低于-30dB,最后,讨论了共形相控阵的宽角波束扫描特性,并给出了相应的理论和实测结果。 相似文献