氧化锌压敏材料研究与发展进展

本文简要回顾了ＺｎＯ压敏陶瓷的历史，阐述了ＺｎＯ压敏陶瓷的特点以及当前ＺｎＯ压敏陶瓷基础性研究的现状，最后对其进展进行了展望。     

TiO_2基功能复合材料的研究

从材料设计的角度出发,比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响,制得了性能优良的功能复合材料。     

Mn的形态对NTC热敏陶瓷性能的影响

以MnO2及MnCO3为锰的引入源,研究了锰的引入形态对Mn-Co-Ni三元系NTC热敏陶瓷电性能的影响。结果表明:锰的引入形态对材料的阻温特性无根本的改变,但对材料的室温电阻及B值有很大的影响,且随着MnCO3含量的增加呈U型变化。     

水热辅助聚合物前驱体法制备铌酸钾钠薄膜

以自制氢氧化铌、化学试剂碳酸钾、碳酸钠为原料,柠檬酸(CA)为螯合剂,乙二醇(EG)为酯化剂,采用水热辅助聚合物前驱体法在SiO2/Si基板上制备了铌酸钾钠(KNN)薄膜.研究了CA和EG用量对溶胶性能的影响,衬底和退火温度对薄膜的影响.结果表明,当n(CA):n(金属离子)=3:1,n(CA):n(EG)=1:2时,可获得稳定性好的溶胶.以水热处理过的Si片为基板得到的薄膜结晶性和致密性都有了很大的改善;随着退火温度的升高,薄膜的结晶性越来越好,所得薄膜粒径均匀,无裂纹,有定向生长的趋势.     

镁掺杂对 ZnO-A1_2O_3系陶瓷性能的影晌

运用回归技术并结合 SEM的测试结果，对影响 ZnO－ Al 2O 3系陶瓷电阻及电阻温度特性的线性化机制进行了探讨。研究表明， Al 2O 3、 MgO的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响，镁掺杂对材料的电子激活能有较大的影响。当材料的电子激活能值较低时，通过回归发现其阻温特性具有较好的线性，符合麦克劳林公式近似。     

籽晶法制备低电压压敏电阻器

介绍了对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３和ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系分别进行的掺杂籽晶的试验研究，研究了籽晶加入对两系统各性能的影响规律；制备了性能优良，压敏电压低（１０Ｖ／ｍｍ）的压敏陶瓷。     

聚合物前驱体法制备铌酸钾钠薄膜

以加入和不加入草酸铵两种方法制备氢氧化铌。以碳酸钾、碳酸钠和制得的氢氧化铌为原料,柠檬酸为螯合剂,乙二醇为酯化剂,通过聚合物前驱体法在SiO2/Si基板上制备了铌酸钾钠(KNN)薄膜。研究了草酸铵的添加和不同退火温度对KNN薄膜性质的影响。结果显示:在pH=7.5,金属阳离子与柠檬酸摩尔比为1:3,柠檬酸与乙二醇的摩尔比为2:1时,可以获得均匀稳定的KNN前驱体溶胶。草酸铵的加入优化了薄膜的性能;随着退火温度的增加,薄膜的致密度越来越高。退火温度在850℃时,薄膜结晶性相对较好;900℃退火处理后,薄膜晶粒有定向生长趋势。     

卫生陶瓷中、高压注浆成坯速率的研究

卫生陶瓷中、高压注浆成形工艺是当今世界卫生陶瓷成形的最新工艺。本文运用某卫生瓷厂实际大生产中所用的配方和原料，通过试验设计，运用回归分析技术研究了泥浆的触变性及泥浆组分的颗粒级配对中、高压浇注成形的成坯速率的影响。     

莫来石晶须的特性及应用

通过溶胶─凝胶工艺制备了莫来石前驱体,加入适当矿化剂经高温煅烧合成了高纯、单相莫来石晶须。XRD及SEM分析结果显示:晶须直径为50～100nm,长度为3～8μm,晶须尺寸均匀性好,表面光洁,直晶率高。运用所制备的晶须制备了多孔基板试样,并与普通粒子堆积法烧成样品显微结构与性能进行比较,进而分析了低维晶须材料与普通粒子的堆积成孔方式的异同。在此基础上,对莫来石晶须在其它方面的应用进行了展望。     

电能表用过压保护型氧化锌压敏电阻器小型化研究

通过原材料的选择、配方调整和加工工艺改进来提高产品的耐雷电流和方波电流冲击能力。随着压敏材料的粒度、纯度等物理性能的提高,经过配方调整,加工设备自动化程度的提高,当电压梯度调整到180～200 V/mm范围内时,芯片的电流密度等各项性能最优。瓷片边缘带尖角能增加侧面的大电流导行距离,用打扁的"S"弯引线插片焊接,能使冲击电流比较均匀的分布在整个银面上,包封前内涂树脂能提高银层的灼烧温度,从而进一步提高产品的总体耐冲击能力。