超声诊断卵巢囊肿蒂扭转临床探究

目的:研究腹部超声与经阴道超声诊断卵巢囊肿蒂扭转的临床效果的研究.方法:主要针对2010年到2012年到本院治疗卵巢囊肿蒂扭转的50例患者进行超声诊断,将这50例患者在入院之前进行阴道超声检查,并且与腹超声检查进行对比.结果:在对50例患者进行超声诊断的研究结果表明,这些患者的手术和临床病理均表明相应的结果,其中包括左侧患者24例,右侧患者26例,经过超声检查,可以确诊为单房囊肿的患者有14例,多房囊肿的患者有20例,经过超声检查有混合回声的患者16例.在这50例病例中,运用阴道超声发现有卵巢囊肿扭转的患者46例,经过腹腔超声检验出卵巢囊肿蒂扭转的患者有40例,所以阴道超声的准确率为92％,腹部超声的准确率为80％.结论:运用阴道超声诊断卵巢囊肿蒂扭转在一定程度上有着比较高的确诊率,所以值得推广应用.     

如何完善工程监理机制

我国开展工程监理工作十余年来,监理事业发展迅速,监理队伍急剧扩大。监理市场竞争激烈,监理企业应及时提高自身管理素质,以应对市场存在压价竞争,应学会在困境中适应市场的变化,尽可能提高监理项目收入,并合理控制工程监理的成本。这正是我国监理企业在当前监理市场中谋生存、求发展的重要途径之一。     

一种线缆压降补偿电路

设计了一种应用于有源箝位正激变换器拓扑的线缆压降补偿电路。在适当时刻对电路CS引脚进行采样,得到负载电流信息,再根据该信息自适应调整误差放大器的基准电压,有效降低了负载调整率,提高了输出电压精度。该电路基于0.18μm 40 V BCD工艺设计。仿真结果表明,在3～30 A负载电流范围内,未经线缆补偿时,有源箝位正激变换器的整体负载调整率为9.8 mV/A;引入线缆补偿后,整体负载调整率降低为0.096 mV/A,仅为未经线缆补偿前的0.98%。     

基于E6C2-C增量式编码器实现位置控制

介绍了E6C2编码器的特点,并结合可编程序控制器的高速计数模块重点阐述了如何利用增量式编码器实现位置的精确定位.     

湛江发展橡胶林下间作斑兰叶模式探讨

橡胶林下间作斑兰叶模式是一种集成技术要求低、易复制、效益高的林下间作模式。探讨了广东湛江地区橡胶林下经济发展现状、橡胶林下间作斑兰叶的必要性和可行性,并开展间作模式经济效益分析,提出高质量发展建议,旨在促进天然橡胶和斑兰叶两个产业互补、资源共享,并形成现代农业,增加农民收入,打造和美乡村,助推地区乡村振兴。     

一种基于负载状态的分段式PSM调制模式

脉冲跨调制(PSM)是一种异于PWM、PFM的功率变换调制模式.本文从能量平衡和避免进入音频范围的角度出发,提出一种基于负载状态的分段式PSM调制模式,并给出了该分段式PSM调制模式的工作原理、占空比的设计方法、验证电路和实验结果.该改进模式使PSM成为实用性调制模式,尤其适合于功率集成IC的设计.     

早期糖尿病肾病转化生长因子-β_1与尿白蛋白的相关性

目的探讨早期糖尿病肾病(DN)转化生长因子-β1(TGF-β1)与尿白蛋白的相关性。方法RT-PCR方法测定高糖刺激的系膜细胞内及2型糖尿病小鼠肾小球内TGF-β1mRNA的转录水平;ELISA方法检测DN患者尿TGF-β1和尿白蛋白排泄率(UAER)的变化。结果高糖刺激的系膜细胞内与肥胖db/db小鼠肾小球内TGF-β1mRNA转录水平与对照组比较均明显增高。糖尿病各组患者尿TGF-β1含量均显著高于正常对照组,且UAER增加呈递增趋势,两者呈正相关。结论TGF-β1与早期DN的发生与发展密切相关,是反映早期糖尿病肾损害的重要因子。     

一种实时自适应前沿消隐电路

基于正激变换器结构,设计了一种实时自适应前沿消隐电路。通过振荡时间消隐和振荡幅度消隐,对最优消隐时间进行追踪,实现实时自适应的前沿消隐,在保证消隐可靠性的基础上降低了系统体积与成本,并确保不限制电路高频化发展。设计的前沿消隐电路能获得消除尖峰振荡的输出电流信息,保证系统能对输出负载变化做出快速响应。基于0.18μm BCD工艺,对电路进行设计。仿真结果表明,该电路在没有其它额外限流功能条件下,启动过冲电压只有50 mV,负载切换时的下掉电压与过冲电压分别为519 mV和578 mV。     

带自适应斜坡补偿的COT控制Buck变换器

提出了一种采用自适应斜坡补偿(ARC)的恒定导通时间控制Buck变换器。引入了两个斜坡电压,实现对电感电流下降斜率的检测;通过负反馈环路调节斜坡斜率,使斜坡斜率跟随电感电流下降斜率的变化。最终斜坡补偿带来的额外极点被固定下来,以便于补偿设计。在此基础上,引入瞬态增强电路,提高了负载阶跃响应速度。在5 V输出电压下,负载从3 A到100 mA阶跃时,输出上冲电压减小了150 mV,恢复时间缩短了10 μs。负载从100 mA到3 A阶跃时,输出下冲电压减小了130 mV,恢复时间缩短了12 μs。     

一种高性能的亚阈值CMOS电压基准

基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种高性能的亚阈值CMOS电压基准。提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出。所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的影响。后仿仿真结果表明,所设计的电压基准在0.55~1.8 V电源电压范围内,线性灵敏度为0.053%/V~0.121%/V;在-20 ℃~80 ℃范围内,温度系数为9.5×10-6/℃~3.49×10-5/℃;在tt工艺角、0.55 V电源电压下,电源抑制比为-65 dB@100 Hz,功耗为3.7 nW。芯片面积为0.008 2 mm²。该电路适用于能量采集、无线传感器等低功耗应用。