490mm铜带坯双面铣削机组的改进

本文介绍了广州铜材厂490mm铜带坯双面铣削机组的基本概况，重点总结了双面铣削机改进前所存在的一些不足以及针对这些不足进行改进后所收到的良好效果。     

油田企业经济可承受合理投资规模初探

针对如何考察油田企业投资规模是否合理的问题，探讨了油田企业经济可承受合理投资规模的前提条件、实现保证以及检验途径。     

一种用于宽输入Buck的多电源轨电路

采用0.18 μm BCD工艺,设计了一种用于宽输入Buck的多电源轨电路。该电路由一条闭环电源轨和多条开环电源轨组成。闭环电源轨由无需预降压的宽输入LDO提供。通过电荷泵箝位和辅助箝位电路,在自举电容恒流充电时,可将开环电源轨箝位在几个固定的电位。电路仿真表明,在5~45 V的输入条件下,闭环电源轨都能稳定输出3.996 V的电压,线性调整率为0.62 μV/V。在上下管交替导通时,开环电源轨VDD0被箝位在6.35~6.72 V。在负载阶跃时,开环电源轨VDD1在4.084~4.167 V内变化。     

六足仿生机器人并联机构雅可比矩阵分析

六足仿生机器人每条腿具有3个转动关节,当三角步态行走时,机体为3-UrRS并联机构。利用螺旋理论和互易积理论分析3条支链对上平台运动产生的约束作用,分析了该机构自由度。在不同的驱动形式下固定驱动关节,分析各支链作用在上平台的约束线簇,建立并联机构的雅克比矩阵。利用ADAMS仿真验证了所求雅可比矩阵的正确性。雅可比矩阵分析对于六足仿生机器人进行可达空间分析、机构尺度综合、路径规划和协调控制都具有重要意义。     

庆大霉素诱导急性肾损伤大鼠模型肾损伤分子-1的表达

目的探讨庆大霉素(Gentamycin,GM)诱导急性肾损伤大鼠模型肾损伤分子-1(Kidney injury molecule-1,KIM-1)的表达。方法建立GM诱导大鼠急性肾损伤模型;检测各组大鼠血、尿各项生化指标;取大鼠肾组织,进行病理组织学观察;ELISA法检测各组大鼠尿液中KIM-1的分泌;RT-PCR法检测各组大鼠肾组织KIM-1mRNA的表达;免疫组织化学SP法检测各组大鼠肾组织KIM-1、α-平滑肌肌动蛋白(α-SMA)、波形蛋白(Vimentin)的表达。结果与对照组比较,模型组大鼠血、尿各项生化指标及病理组织学观察均出现不同程度的病变;ELISA检测显示,大鼠尿液中KIM-1的含量显著增高(P<0.05);RT-PCR检测显示,肾组织KIM-1mRNA表达上调(P<0.05),且呈时间依赖性;免疫组化法检测显示,KIM-1表达量随肾损伤加重而显著升高,且呈时间依赖性。结论 KIM-1具有良好的敏感性和特异性,可作为GM所致肾小管损伤的早期诊断标志物。     

畅所欲言迸火花独特视角新理念

如果说开幕式上部分代表的专题发言是铿锵有力的领唱．那么讨论会所有代表的自由发言则是气势恢宏的合唱：如果说专题发言代表着深思熟虑，那么自由发言则体现着直抒胸臆。也许是乘船游江的缘故，两次讨论会上．代表们口若悬河，才思如长江之水滔滔不绝，观点如翻腾的浪花竞相绽放。尽管言及行业的方方面面，但一个主旨始终不变：为行业更有序、更规范．更和谐地发展。现将各位代表精彩纷呈的发言整理刊载，供业内人更广泛深入地探讨。     

踏上红色之旅——2006“红色之旅视光万里行”活动拉开帷幕

今年是红军长征胜利70周年，70年来，红军长征留给我们的精神财富直到今天还有着积极意义。长征所体现出来的坚定的革命信仰，坚强的革命意志以及团结一心战胜困难的强大凝聚力，永远激励着一代又一代人，成为我们创建美女生活的强大动力。     

基于互连矩阵的PLC和无线组网性能评估系统

用电信息采集系统是智能电网建设的重要组成部分,选择稳定、可靠的本地通信方式是保证电网安全稳定运行的关键。文章提出了基于互连矩阵的电力线载波和微功率无线通信组网性能评估系统。评估通信模块路由中继深度、路由收敛速度、通信时延等组网性能指标,并给出了各性能指标的算法实现。系统可有效评估不同厂家电力线载波和微功率无线通信产品的组网性能。为评估用电信息采集系统通信产品提供了检验平台。     

一种新的功率变换器调制模式

本文提出了一种新的异于迄今习用的PWM、PFM的功率开关变换器调制模式?跨周期调制PSM(pulse cycle Skip Modulation)，提出PSM的控制机理和理论模式，首次定义PSM的调制度，分析了其响应速度、效率及频率特性，并与PWM、PFM调制模式进行了比较，得出PSM是一种在不同负载下均有很高效率的调制模式，特别适用于中小功率变换系统。     

800 V SOI介质隔离技术研究

高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一。文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究。通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程。实验结果表明,在膜厚为20μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构。