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91.
92.
为考察富勒烯基体的辐照稳定性,在不同氛围(空气氛围和密闭条件)中,富勒烯样品经受高剂量和高剂量率60Coγ射线的辐照.辐照后的样品经高效液相色谱(HPLC)和X射线衍射(XRD)分析,研究γ辐照对富勒烯成分及晶体结构的影响.结果显示,与对照样品相比,不同氛围的辐照对样品的组成和晶体结构均未造成影响,提示富勒烯在60Coγ射线辐照下具有相当好的稳定性.本工作还从理论上探讨了富勒烯经60Coγ辐照不发生组成及晶体结构改变的原因. 相似文献
93.
94.
示踪技术法检测反应堆堆厅气体渗漏率 总被引:1,自引:1,他引:1
采用SF6示踪技术检测某反应堆3个堆厅在常温常压下的气体渗漏率,考察堆厅渗漏气体在主要工作场所的累积效应和到达建筑物内人员疏散通道关键部位的时间和累积强度。结果表明,3个反应堆堆厅在检测条件下的气体渗漏率分别为(7.30±0.16)×10-4、(1.88±0.12)×10-4和(2.07±0.07)×10-4h-1。堆厅渗漏气体在各工作间以较快速度积累,5h左右在工作间内达到极值,在一楼更衣室内的累积效应明显;堆厅渗漏气体在人员通道的累积幅度较小,约10h达到极值浓度。 相似文献
95.
采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜。利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析。结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35nm减小到约4nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜。 相似文献
96.
铀的毒性与其体内形态密切相关,研究铀在人体组织液的形态有助于了解铀的人体毒理。本工作采用热力学平衡模拟方法研究U(Ⅵ)在人体组织液中的形态。建立了含多种金属离子和小分子配体组成的多相组织液热力学平衡模型,模拟研究了H2OCO32--PO43-体系中UO22+的形态分布、组织液中UO22+的形态分布及总CO32-次氮三酯酸(NTA)浓度对组织液中UO22+形态分布的影响。结果表明,在H2O-CO32--PO43-体系中,当UO22+总浓度为1.5 μmol/L、pH>7.0时,UO22+主要以 [UO2(CO3)3]4-和[UO2(CO3)2]2-存在,pH<6.0时,主要以UO2HPO4和UO2(H2PO4)2存在;当UO22+浓度为0.15 mmol/L、pH>7.0时,UO22+仍以 [UO2(CO3)3]4-和[UO2(CO3)2]2-为主,pH3~6时,主要以固相(UO2)3(PO4)2出现。在组织液模型中,当UO22+总浓度为1.5 μmol/L、pH>7.0时,UO22+主要以 [UO2(CO3)3]4-、[UO2(CO3)2]2-和[UO2Cit2]4-存在,pH<6.0时,主要以[UO2Cit2]4-存在;当UO22+浓度为0.15 mmol/L、pH>7.0时,UO22+仍以 [UO2(CO3)3]4-、[UO2(CO3)2]2-和[UO2(CO3)3]4-存在,pH 3~6时,以固相(UO2)3(PO4)2为主。当UO22+浓度为1.5 μmol/L或0.15 mmol/L时,提高CO32-浓度能改变UO22+在组织液中的形态分布:[UO2(CO3)3]4-含量升高,[UO2(CO3)2]2-和[UO2Cit2]4-含量降低。NTA的加入改变了组织液中UO22+的形态分布,但并没产生UO22+的NTA螯合物形态。当UO22+浓度为1.5 μmol/L时,提高NTA浓度可使UO22+主要以[UO2Cit2]4-存在;当UO22+浓度为0.15 mmol/L时,UO22+主要以[UO2(CO3)2]4-形式存在。 相似文献
97.
98.
肽核酸(PNA)分子具有特异基因靶向亲和性,用放射性核素标记后,可达到肿瘤靶向和对非靶组织最小损伤的目的,对于基因水平的肿瘤治疗具有十分重要的意义.本工作探索了99mTc标记T基PNA单体所得配合物99mTc (O) (PNA-dp)对常用基因靶向DNA的切割效果.结果表明,配合物在室温密封放置6h,放化纯度大于90%... 相似文献
99.
100.
Two GaN p-(i)-n diodes were designed and fabricated,and their electrical performances with ~(63)Ni and ~(147)Pm plate sources were compared.The results showed that the diodes with ~(147)Pm had better electrical performances,with a short-circuit current(I_(sc)) of 59 nA,an open-circuit voltage(V_(oc)) of 1.4 V,and a maximum power(P_(max))of 49.4 nw.The ways to improve the electrical performances are discussed,including appropriate increase of the i-GaN thickness. 相似文献