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991.
992.
Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm~2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。 相似文献
994.
995.
996.
997.
根据抽水蓄能电站的运行调度方式和厂房通风流程的特点,提出将进风洞末端的空气温度作为控制电站通风空调系统运行方案转换的参数,按照满足所有场所的温度参数不超过设计值的原则,推导出通风和空调方案转换的临界温度的计算方法,给出了各温度阶段对应的通风空调运行方案.以南方某装机容量为1200MW的抽水蓄能电站为例,根据计算所得的临... 相似文献
998.
999.
1000.