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基于电热模型的IGBT结温预测与失效分析 总被引:1,自引:0,他引:1
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)工作过程中结温难以测量的问题,提出一种基于IGBT电热模型的结温预测方法,并对由结温过高引起的失效进行实验分析.根据IGBT结构特点建立通态压降模型,考虑到器件内部参数和半导体物理常数与温度的关系,建立IGBT导通功耗与结温关系的电热模型.通过联立IGBT结-壳传热方程和电热模型进行热平衡分析,从而得到稳态时的结温.实验结果表明,通过仿真得到的结温基本与实际测量得到的结温值相吻合,结温过大会导致电极根部焊料熔化和表面连接键丝断裂.所提方法通过监测壳温可实时预测IGBT结温,具有方便快捷的优点. 相似文献
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利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er^3+样品的光致发光影响。实验表明:电化学过程除在Si:Er^3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er^3+样品中的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er^3+发光峰增宽,次峰更丰富。 相似文献
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