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71.
首先介绍了DataGrid控件的不足,在此基础上探讨了如何对DataGrid控件的录入、编辑和显示等功能进行完善,阐述了DotaGrid控件在地质信息三维可视化系统中的应用,从而较好地实现地质数据的录入、编辑和显示功能. 相似文献
72.
通过试验分析了外掺单矿C2S和C4AF矿物成分和用活性掺合料(粉煤灰F、硅灰SF、氧化镁MgO)等量取代水泥(C)和用非活性掺合料(橡胶粉X)等体积取代部分标准砂(S)对水泥脆性系数的影响。 相似文献
73.
1数字同步网的一般概念1.1传输损伤在一个端到端的数字连接中,每一个环节都可能给被传送的数字信号带来损伤,这些损伤种类很多,如误码、抖动、滑动、时延、帧失步等,统称传输损伤。这些传输损伤使得被传送的通信业务信息质量变坏,甚至整个连接不能正常工作。数字网的同步是控制传输损伤的一个主要的途径。1.2滑动的产生数字信息码流在数字通信网中传送时,各种数字通信设备对信息码流需要经过写入和读出过程,如果写入和读出的速度不一致即产生了读写时差,就会出现漏读(丢失若干码元)或重读(插入若干码元)的现象,这种现象… 相似文献
74.
75.
在2 ms方波冲击和4/10μs大电流冲击下测试了具有不同电极留边距离的ZnO电阻片。结果表明,电极边缘和ZnO电阻片边缘留有一定余量可使冲击下的通流性能表现更稳定、减少分散性,但过多的留边距离则会使承受冲击电流的有限面积减少,留有0.5 mm左右的电极留边距离比较合适。在电流冲击测试过程中,一些ZnO电阻片样品出现故障,包括穿孔、破裂和侧闪。观察发现冲击试验后ZnO电阻片局部微观结构的形态和组成出现变化,被认为是ZnO电阻片劣化或故障的根本原因。 相似文献
76.
77.
通过对Nomex/环氧树脂夹层复合材料1(1号材料)和Nomex/环氧树脂夹层复合材料2(2号材料)进行7天和14天湿热循环,测定了其吸湿、脱湿曲线,实验结果表明,1号材料的饱和吸湿率和水分保持率均低于2号材料,1号材料具有更好的耐湿热性,分别对循环前后的材料进行力学性能和介电性能测试。结果表明,湿热循环对材料的剪切性能造成较大影响,其中对2号材料的影响尤为显著,1号材料的力学性能保持能力大于2号材料;同时,还讨论了湿热循环前后两种材料的介电常数和损耗角正切的变化情况。 相似文献
78.
针对已有果蔬三维切丁断面易出现大弧形、倾斜等问题,采用虚拟样机技术,建立切丁机三维模型,并将其导入机械系统动力学分析软件ADAMS中,仿真分析推进滚筒与横切刀转速比在0.11~0.22、推进滚筒中心与横切刀中心水平间距在260~305 mm时切得的不同丁断面形状。仿真结果表明,引起切丁断面倾斜的主要因素是推进滚筒转速和横切刀转速的不匹配,当推进滚筒与横切刀之间的中心水平间距为280~300 mm、转速比n_1/n_2为0.11~0.22时,可取得较理想的切丁断面,其断面形状比较平直。为验证所得结论,在推进滚筒中心与横切刀中心水平间距290 mm、转速比为0.17条件下,分别进行10,15,20 mm 3种规格的切削性能试验,试验结果表明切出的3种规格丁断面形状规整,断面偏差小,其断面相对偏差百分数最大为12.7%,达到了国外同类先进产品质量标准。 相似文献
79.
对光学中心镀制的HfO2/SiO2高反、增透和偏振膜等,用台阶仪、Normaski和原子力显微镜详细分析了薄膜表面的微结构缺陷如孔洞,划痕和节瘤的形状,以及缺陷对应的激光损伤图貌.原子力显微图貌显示,节瘤缺陷表现为薄膜表面突起光滑圆丘,直径多为2~10 μm,为微米量级的膜料颗粒在镀膜过程中溅入薄膜形成.脉宽10 ns波长1064 nm的激光损伤实验表明,缺陷是薄膜激光损伤的主要诱导源,其中以节瘤缺陷的损伤阈值最低,划痕次之,孔洞最高,薄膜的零概率激光损伤阈值主要由节瘤缺陷的激光损伤能流密度决定.对应不同的缺陷,高反膜的激光损伤通常表现为孔洞,疤痕和层裂,疤痕为薄膜表面激光烧伤形成,层裂主要为激光强电场在膜层中形成驻波电场,造成应力变化所致,孔洞为节瘤缺陷激光损伤后形成,形状与大小和薄膜固有孔洞相似,直径多小于15 μm,其激光再损伤能力也与薄膜固有孔洞相似.激光损伤创面的台阶仪分析表明,HfO2/SiO2高反薄膜未镀SiO2半波覆盖层时,1-ON-1激光损伤使薄膜表面粗糙外凸,而镀了SiO2半波覆盖层的薄膜,激光损伤面内凹,表面光滑,抗激光再次损毁能力较前者强.(OH5) 相似文献
80.
新型差动输入CMOS电流传送器及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
基于P阱CMOS工艺提出了一种新的差动输入电流传送器。通过引入误差抑制负反馈电路,有效地减小了信号失真,拓宽了电路线性动态范围。文中还详细分析了电路性能,并由此指导电路的优化。给出的几个典型应用电路表明,与第二代电流传送器(CCII)相比,差动输入电流传送器的通用性更强,可获得较简洁的电路结构。本文最后设计了一个既可作为电流模式又可作为电压模式的MOSFET-C二阶滤波器。PSPICE模拟表明所提出的电路与其它同类电路相比具有更好的电路特性。 相似文献