不同衬底温度下生长的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS研究

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5Zn1.0Nb1.5 O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜,衬底温度在500～ 700℃范围内变化.X射线衍射测量结果表明:当在500℃沉积BZN薄膜时,薄膜呈现出无定形态结构.随着衬底温度增加到550℃,薄膜开始晶化,并且显示出立方焦绿石结构.X射线光电子能谱也被用来研究BZN薄膜的结构状态和元素价态.测试得到的全谱表明:在BZN薄膜中,除了用于定标的C元素之外,只有Bi、Zn、Nb、O元素的特征峰,此外有Ti2p特征峰出现,可能来自底电极的TiO2缓冲层.各元素的窄谱扫描表明:Bi,Zn,Nb,O四种元素的化学价态分别是+3,+2,+5,-2.BZN薄膜在550℃结晶,随着衬底温度升高到600℃,金属阳离子的结合能的峰位向高能方向移动,然而O1s的特征峰位也向高能方向移动,这归因于薄膜中存在的氧空位.     

MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响

为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13     

电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究

采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.     

溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:Ga薄膜,并使用XRD、SEM、UV-VIS和霍尔测试仪等测试手段分析研究了不同功率对ZnO:Ga薄膜的结构以及光学和电学性能的影响。实验结果表明:制备的ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的C轴择优取向;随着溅射功率逐渐从100W增加到175W,玻璃衬底上薄膜的结晶程度越来越高,当溅射功率超过175W时,结晶强度减弱;在可见光范围内,薄膜样品的透过率均达到84%以上,具有良好的透光性能;同时我们发现实验制得的薄膜导电率随着溅射功率的增加而加强。     

BaTiO_3基Y5V型多层陶瓷电容器的介电与储能特性分析

多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础元件,在电子工业中被广泛应用。其中Ba Ti O_3基Y5V型MLCC拥有高的介电性能,好的温度稳定特性,市场需求较大,备受关注。本文以其为研究对象,分析单层厚度超薄的Y5V型Ba Ti O_3基MLCC的介电特性与储能特性,借助于介电频谱和温谱分析其介电极化对外场的响应特点。研究结果表明:Y5V型MLCC的介电常数被直流偏压所抑制,谐振频率随偏压的增加向高频方向移动,其静电储能密度达到了1.76 J/cm~3,储能效率随外电场的增加逐渐降低。     

基于离散剪切波变换的傅里叶叠层成像算法研究

本文为了提高傅里叶叠层成像的图像重建质量,提出基于离散剪切波变换的傅里叶叠层成像,将离散剪切波作为稀疏基,利用其多尺度和各向异性的特点对图像进行稀疏重构。实验证明:该算法能够显著提升图像重建质量,并且具有良好的稳定性和鲁棒性。     

材料结合能反演对势的M(o)bius变换方法中构造逆作用算符T-11的公式和证明

本文提出并证明了一个在结合能反演对势的Moebius变换时，构造逆作用算符T1^-1的一般公式，从晶体中原子的结合能出发，利用这一公式可以很方便地构造出了一维离子晶体、二维方形晶格在进行反演对势的Moebius变换时的逆作用算符T1^-1;作为算例，计算了二维NaCl离子晶体的对势。     

分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层

采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.     

立体显示的双目模型算法及实现

三维立体显示技术是虚拟现实的关键技术,也是虚拟现实系统必不可少的基本条件,而深度感的正确形成又是立体显示技术的关键。介绍了采用体视原理进行自由立体显示的两种投影系统,并对照了各自的特征。分析了汇聚式双目系统的误差,给出了平行双目投影系统的算法推导和OpenGL的实现。最终以实验印证了算法的可靠性和准确性。