铁路电力试验车软件的设计与实现

介绍了铁路电力试验车软件的设计思想、框架结构及其总体控制策略 ,并就其中的测试程序、数据库管理系统、串口通讯程序、复杂式样报表生成和系统安装程序的设计策略作了叙述。     

直扩信号PN码序列估计的神经网络方法

为了解决通信侦察中低信噪比下直扩信号PN码序列的盲估计问题,分析了神经网络算法。该算法基于直扩通信的基带信号模型,通过对输入信号的主分量进行分析和提取,获取神经网络学习后的突触权值,进而估计出PN码序列。理论分析与仿真数值结果都表明,该算法在较低信噪比背景环境中,能够准确地恢复出PN码序列。     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

开关电容梳状滤波器幅频特性的深入分析

分别从时域和频域对一种开关电容滤波器的特性进行了全面深入分析,首次给出了解析形式频谱函数和相应频率特性曲线,结果表明,电路特性依赖于参数τ=RC与开关切换时间T的比值α=τ/T。当电子开关的切换时间T相对较短(即α较大)时,该电路是一个梳齿幅度衰减型梳状滤波器,通带中心频率等于开关频率的奇数倍,开关频率的偶数倍则为其阻带频率。随着开关频率降低(T增,α减),电路过渡为幅频特性有起伏的低通滤波器。分析结论与实验结果很好地吻合。     

α-Fe2O3表面结构的研究

像差校正透射电子显微镜拥有亚埃级的分辨率,并克服了物镜离域效应的影响,可以定量分析复杂氧化物表面的原子结构,如弛豫、缺陷等.本文利用像差校正高分辨透射电镜,结合多片层法像模拟,研究了α-Fe2O3纳米颗粒[0001]带轴下的内部结构和表面结构.结果表明α-Fe2O3[0001]带轴下以O3-Fe4-O3-…方式的(11(-2)0)表面终结,表现为非极性表面.     

数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响

通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.     

InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化

本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

彩色JPEG图像的隐写分析

图像隐写分析的目的是检测图像中隐藏信息的存在性．JPEG图像的广泛使用使其成为一种重要的隐写载体，因而针对JPEG图像的隐写分析受到研究者们的广泛关注．本文基于彩色图像YCbCr颜色空间DCT系数的统计分布模型，提出一种彩色JPEG图像的隐写分析算法．通过计算载体图像和掩密图像DCT系数统计分布之间的鉴别信息，评估常见DCT域隐写术对载体图像DCT系数统计分布的改变．以统计分布模型参数为特征向量，采用支持向量机实现对载体图像和掩密图像的有效分类．实验结果表明，本文算法具有较高的检测率，性能优于使用Faxid所提出的彩色QMF统计量的隐写分析算法．