你知道吗?

1916年德国出生的美国籍理论物理学家爱因斯坦(1879～1955年)发表了“广义相对论基础”,被公认为历史中最具创造性才智的人物之一。他1879年3月14日出生在德国乌尔姆镇,少年时爱好音乐。1900年毕业于瑞士苏黎士理工学院,并取得瑞士国籍,开始在     

对哈尔滨市百里生态长廊生态修复的探索与思考

介绍了哈尔滨市百里生态长廊的基本情况,分析存在的问题,提出解决的对策和建议。     

营造“大联想”模式

营销渠道是否完善是当今企业能否取胜的关键因素。10月7日,在由中华工商时报和北京大学企业研究中心联合主办的“中国企业营销渠道论坛”研讨会上。国内著名企业联想、一汽、海尔、华为的代表结合本企业、行业实际情况,对建设有中国特色的商业渠道流通模式提出了各种建议和措施。联想集团高级副总裁杨元庆先生说:为适应新的营销环境,联想一直在:     

基于Web挖掘的个性化网络教学系统的设计与实现

设计了一种基于Web挖掘的个性化网络教学系统，该系统结合Web使用挖掘、web内容挖掘和Web结构挖掘的挖掘结果为学生提供个性化的推荐服务，即使在使用数据比较少，或教学内容变化比较频繁的情况下，也能为学生提供高质量的个性化推荐服务。     

用工艺提高特性TDC成为黑马

新一代模拟电路在CMOS工艺不断发展、电源电压逐渐降低的情况下仍然能保持以往的特性,甚至能发挥的更高,因此,很多厂商都在开发新一代模拟电路。此类开发工作主要以基于时间的处理架构为中心。该架构中最引人注目的是TDC(时间数字转换器)电路(见表1)。该类电路不用电压,而是用与参考信号的时间差控制模拟信号,并将其结果转换成数字信号输出。     

蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.INN(0002)X射线双晶衍射摇摆曲线的半峰宽为9.18;原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为18.618nm;Hall测量得到的InN薄膜的室温背景电子浓度为1.08×1019cm-3,相应的迁移率为696cm2/(V·s).     

SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制

用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.     

无机抗菌剂的研究进展

介绍了国内外无机抗菌剂的研究发展现状，重点讨论了各种无机抗菌剂的结构特点以及抗菌机理，阐述了无机抗菌剂在现实生活中纤维制品、塑料、涂料、卫生陶瓷等方面的应用，最后指出了无机抗菌剂存在的问题，预计了将来的一些发展趋势。     

面向管理员的网络可生存性建模与计算

从网络系统安全评价和管理的角度出发，紧密结合可生存性定义和可生存性的四个特征属性，建立了面向管理员的网络可生存性量化模型；给出了该模型的算法流程；提出了面向管理员的网络可生存性计算公式，该公式中包括恢复率和系统状态转移矩阵的计算方法，反映出可生存性对网络空闲资源和恢复时间的要求；最后进行了面向管理员的网络可生存性计算的仿真实验，表明可以利用有限的网络资源实现高水平的网络可生存性。     

第八届陈维稷优秀论文征文提纲

我国纤维加工总量的三分之一进入国际市场,是出口依存度很高的行业。加入WTO对我国纺织工业的影响从总体上看是利大于弊,机遇大于挑战。