干酪乳杆菌纯种发酵大豆乳工艺研究

以从益生茵乳制品中自行分离选育出的生长繁殖力强、发酵活力高的干酪乳杆菌(05-20)为试验菌株.通过正交试验研究了干酪乳杆菌纯种发酵大豆乳的工艺条件.结果表明:干酪乳杆菌发酵含有20%牛乳和7%蔗糖的大豆乳(豆与水的比例为1:10)培养基的最适工艺条件为:总接种量7%(活菌数约为7×107 cfu/mL),基质起始pH 7.0,发酵温度37℃,有氧条件发酵;采用最适工艺条件进行干酪乳杆菌发酵大豆乳,凝乳时间为5 h,发酵产品的总活菌数为2.3×109 cfu/mL,pH 4.5,滴定酸度80.2°T;发酵产品呈乳白色,凝乳良好,质地细腻,酸甜适口,具有浓郁的豆香和发酵香气.本研究为工业化生产干酪乳杆菌发酵大豆酸乳产品及其推广应用提供了科学依据,同时也为研制和开发其他多功能益生菌豆乳制品提供了新的思路和方法.     

旋转式红外微扫描器研制

针对红外成像系统因衍射光斑大导致图像分辨率低、焦平面探测器填充因子小导致图像传函值小等两大主要缺陷,提出了通过微扫描成像技术提高图像分辨率和传函值的技术方案.简要介绍了微扫描成像的工作原理,重点论述了旋转式红外微扫描器设计方法,并推导了有关设计公式.在微扫描器及其成像演示装置研制基础上,开展了微扫描成像实验,成功得到分...     

劳厄形貌术在碲镉汞器件研制中的应用

讨论了反射劳厄形貌术的优缺点，结合碲镉汞器件研制工作给出了实际应用的几个例子。如磅镉汞晶片结构检查，观察碲镉汞晶片表面的磨抛损伤、跟踪观察碲镉汞晶片在光刻、化学腐蚀成形、离子刻蚀成形前后的晶格变化等。     

碲镉汞小晶片缺陷的同步辐射形貌相分析

在北京正负电子对撞机国家实验室，用同步辐射拍摄了制备长波光导多元碲镉汞红外探测器的小晶片（面积小于１ｍｍ２）的高分辨率白光形貌相。实验结果表明：在碲镉汞小晶片中存在相当多的晶体缺陷，如亚晶界和晶格畸变区等。这些缺陷的存在说明样品受到较强的应力作用，样品晶格的完整性实际上反映了碲镉汞晶体生长和器件制备技术的应力控制水平。根据晶格的畸变模型，讨论了多元线列器件的性能与碲镉汞材料缺陷的关系。     

乳酸菌摇瓶增殖培养工艺研究

采用自行筛选的适用于作为高效冻干酸奶发酵剂的嗜热链球菌S.t-SY和保加利亚乳杆菌L.b-DR为出发菌株,在优化的麦芽复合汁增菌培养基上进行摇瓶增殖培养。通过研究培养温度、培养方式、基质起始pH值、接种量、中间补料方式等因素对乳酸菌摇瓶增殖培养的影响,优化乳酸菌摇瓶增殖培养的工艺条件。试验结果表明:在麦芽复合汁增菌培养基中乳酸菌增殖培养的最适条件是:培养温度37℃,基质起始pH值6.5～7.5,接种量0.2%～0.3%,静置培养16h,收获期S.t-SY和L.b-DR活菌数分别达到2.93×109、2.74×109cfu/mL。本试验结果为乳酸菌进一步应用麦芽复合汁增菌培养基生产高效浓缩直投式发酵剂提供了技术参数。     

碲镉汞小晶片中缺陷的X射线形貌相检测

用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的X射线光源上,用劳厄透射形貌术能以20μm的分辨率无损检测用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片中的晶体缺陷;在不良的器件工艺中,小晶片的晶格会受到明显的损伤,严重地影响了小晶片的电学参数和多元线列探测器的性能。     

红外偏振成像机理概述

偏振成像的机理是偏振成像技术的理论基础.从菲涅尔公式、瑞利散射、物体表面纹理和光洁度等方面对偏振成像的机理进行了初步的研究.揭示了偏振成像机理很复杂且不唯一,并受多种因素影响.在红外波段自然光波的偏振特性最显著,因而红外偏振成像具有极大的应用潜力.     

Hg_(1—x)Cd_xTe晶体缺陷的X射线形貌观察

用X射线透射扫描形貌术观察了用于制备高性能红外探测器的块状Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中的缺陷。结果表明:在用布里奇曼、碲熔剂和固态再结晶三种方法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体中观察到的主要缺陷是亚晶粒、嵌镶结构、位错和沉淀物;这三种方法生长的晶体的形貌象之间无明显的差别。     

车床主轴锥孔中频淬火用感应器

工作时车床主轴锥孔装卸配件频繁，锥面易拉毛磨坏，影响接触精度。通常要求其硬度≥45HRC，本厂要求硬度46～51HRC。目前内锥孔淬火多采用感应加热淬火。163A主轴内锥孔中频淬火本厂1986年以前生产的主轴内锥孔尺寸为直径80，锥度1：20，长170mm。采用的中频淬火感应器，其结构示意图见图1。该感应器的加热特点为纵向同时加热而后再喷水冷却．其不足之处是：（a）靠工件旋转加热内锥面，加热时间长，能量损失大，加热完毕后再喷水冷却，不易达到硬度要求。（b）绝缘材料需具有耐高温和耐急冷的能力，货源较少，不易购买。（c）对硅钢片…