产业集群创新联盟网络 “涌现”现象探讨

从复杂系统理论的角度,通过对产业集群创新联盟网络 “涌现”现象的产生、来源、特征的研究,探讨了具有非平衡性、多主体性、多层次性、动态性的产业集群创新联盟网络的创新产生机理。     

高强度综放开采采动覆岩破坏高度及裂隙发育演化监测分析

为了研究孙疃煤矿的地表裂缝发育特征,通过多种现场探测技术手段对研究区1047、10111工作面采煤沉陷区地表裂缝进行了调查监测。结果表明：地层内部裂缝从形成到闭合具有一定周期性,其周期约为4周;相邻外围区裂缝的间距与其距工作面边界的距离呈明显线性正相关关系;外围裂缝发育延伸位置稍滞后于工作面回采位置,其地表宽度经过短暂发育后,增长速率逐渐减小,直到稳定状态;沿垂直于工作面推进方向的多条发育稳定的外围裂缝,其倾角随距工作面边界距离的增大而减小;发育稳定的外围裂缝,其深度与宽度呈对数函数关系。

     

俄罗斯HgCdTe红外焦平面探测器的现状

介绍了俄罗斯对HgCdTe红外焦平面探测器的分代标准,及俄罗斯\     

标准知识图谱构建与推荐算法

为了解决标准制定周期长、效率低以及标准数量多、检索困难等问题,首先提出构建标准知识图谱,从标准文档数据解析、标准知识模式定义、标准知识结构化和标准知识存储4个步骤进行描述。其次基于标准知识图谱实体与结构信息,提出标准知识图谱推荐算法,通过查询关键词识别、节点影响力计算、推荐相似度计算、推荐结果排序4步实现推荐算法流程,协助标准文档的快速制定。     

铁电型非制冷红外焦平面探测器的调制器设计

从铁电型非制冷红外焦平面探测器逐行读出的工作机理和阿基米德螺旋线的定义出发,导出了多调制周期调制器叶片形状的设计公式,给出了调制器与探测器位置关系的设计实例,解决了调制器设计的核心问题.     

红外偏振成像机理概述

偏振成像的机理是偏振成像技术的理论基础.从菲涅尔公式、瑞利散射、物体表面纹理和光洁度等方面对偏振成像的机理进行了初步的研究.揭示了偏振成像机理很复杂且不唯一,并受多种因素影响.在红外波段自然光波的偏振特性最显著,因而红外偏振成像具有极大的应用潜力.     

两种海相未成熟烃源岩热解气特征比较研究

文中通过加水热模拟实验,对海相页岩和泥灰岩热解气特征进行了系统的对比、研究。两种岩石的沉积环境、矿物组成等方面都不同,因而在天然气生成特征上存在差异。根据加水热模拟结果,在有机质演化的成熟阶段,泥灰岩的总气体产率要高于页岩,并且随演化程度增加,产率差异增大;二者的总气态烃产率基本相近,在较高温度下,泥灰岩的气态烃产率开始明显高于页岩。两个样品的总气体组成中,页岩的烃类含量高于泥灰岩,泥灰岩干燥系数高于页岩,但两个样品的气体干燥系数一般低于0.55,在高温下趋于一致;页岩的正构烃相对含量高于泥灰岩。两个样品非烃气中的一氧化碳含量均很低,页岩的二氧化碳含量明显高于泥灰岩,氮气和氢气含量则低于泥灰岩,其中氮气的生成主要发生于有机质成熟的早、中期阶段。     

卸荷取芯岩柱间隔断裂机制分析与岩芯饼化机制

岩柱的间隔断裂(或岩芯饼化)是由拉应力导致的岩石破坏现象。通过将该类现象统一归结为岩石的自持续断裂,从理论上分析该类现象的发生机制;建立量纲一的饼化厚度d/D与量纲一的初始应力s0/st之间的关系式,且对表达式中各参数的物理意义进行了理论上的解释;并结合已有研究中的实测数据对所求表达式的适用性进行了初步检验。结果表明,当圆柱形花岗岩试样的初始应力为花岗岩抗拉强度的6.85倍及以上时,以一定的速率对岩柱轴向进行卸荷,将导致岩柱内产生与卸荷方向相反的断裂波和与卸荷方向垂直的断裂面;断裂波的波长与饼化厚度直接相关,初始应力越高、卸荷速率越快,断裂波的波长越短、饼化厚度也越小;断裂波随传播而衰减,由于沿岩柱轴向短距离内断裂波的波长变化并不明显,从而造成了饼化厚度在一定范围内依然看似相等的现象。从理论上讲,只要知道了岩柱的初始应力和残余应力,便可直接算出产生饼化现象的量纲一的应力阈值,而如何测量残余应力则有待进一步的研究。     

低温发泡热膨胀微球的合成及应用

通过悬浮聚合的方法制备低温发泡的热膨胀微球(LTEMS),并应用于印花发泡胶浆中,实验表明该膨胀微球具有一定的工业应用价值。     

环孔p-n结理论分析

在对环孔p-n结作近似假设的基础上,忽略了产生-复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响,假设在低温下扩散电流起主要作用,并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触,建立了环孔p-n结的电流模型.根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和R0A的计算表达式,由于n区空穴的电流密度相对p区要小得多,在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响.最后对上述结果进行了数值分析和计算,分别做出了R0A在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线.从曲线可以得出:当截止波长在中波波段3～5 μm时,77～150 K的温度范围都可以使用,但只有在130 K或更低的温度下才有较好的性能.目前在中波段的R0A值已经达到109Ωcm2,比理论值要低2～3个数量级;对于8～10.4 μm波段,120 K以下都有性能,而10～14 μm波段,要工作在100 K温度之下.