基于自主创新的地方国际科技合作支撑体系的构建

当前我国地方层面的国际科技合作支撑体系建设的滞后影响了国际科技合作的有效开展,亟待加强和改善。而国际科技合作支撑体系的构建主要包括政府层面的政策与组织支撑体系、社会层面的中介服务支撑体系与物质基础层面的国际科技合作基础条件支撑系统等的建设。     

三网融合下的移动业务

1三网融合由来三网融合指电信网、有线电视网和计算机网的相互渗透、互相兼容,并逐步整合成为统一的信息通信网络,其本质是要求网络资源的共享,避免低水平的重复建设,形成适应性广、容易维护、费用低的高速宽带的多媒体基础平台。     

有关法制问题的调查报告

本文以问卷的形式调查了海南省海口市灵山镇菖萝村,从调查对象的基本信息、农村法制的调查内容入手,笔者分析农村法制落后的影响因素。对此提出了相应的应对措施,以期提高农民法制素质,从而推动农村法制水平的提高。     

产业集群创新联盟网络 “涌现”现象探讨

从复杂系统理论的角度,通过对产业集群创新联盟网络 “涌现”现象的产生、来源、特征的研究,探讨了具有非平衡性、多主体性、多层次性、动态性的产业集群创新联盟网络的创新产生机理。     

机电集成超环面传动蜗杆外部磁场的计算

以机电集成超环面传动理论为基础,利用电磁学理论对机电集成超环面传动蜗杆外部磁场进行了分析和计算,给出了该传动蜗杆的电枢方程。在此基础上,完成了机电集成超环面传动蜗杆外部磁场计算公式的推导,得到了机电集成超环面传动蜗杆外部磁场的分布规律。实验结果证实了理论分析的正确性。本项研究为该种传动的设计提供了理论基础。     

IMT—2000的主要目标及GSM向第三代系统的演进

介绍ＩＭＴ－２０００第三代移动通信系统所应达到的主要目标，并通过展望ＧＳＭ的发展走向，论述由第二代系统向第三代系统平滑演化的可能性和必要性。     

n—HgCdTe表面积累层的定量迁移率谱研究

利用定量迁移率谱技术，通过对霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率，结果与Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ实验和理论计算的结果非常吻合．     

环孔p-n结理论分析

在对环孔p-n结作近似假设的基础上，忽略了产生－复合电流、隧穿电流和表面复合电流的影响，假设在低温下扩散电流起主要作用，并认为电极与结区之间的接触为欧姆接触，建立了环孔p-n结的电流模型。根据此模型得出了环孔p-n结的电流密度方程和ROA的计算表达式，由于n区空穴的电流密度相对p区要小得多，在简化的表达式中忽略了n区电流密度的影响。最后对上述结果进行了数值分析和计算，分别做出了RoA在中波和长波波段随温度和截止波长变化曲线。从曲线可以得出：当截止波长在中波波段3－5μm时，77－150K的温度范围都可以使用，但只有在130K或更低的温度下才有较好的性能。目前在中波段的R0A值已经达到10^9Ωcm^2，比理论值要低2－3个数量级；对于8－10．4μm波段，120K以下都有性能，而10－14μm波段，要工作在100K温度之下。     

多元HgCdTe线列探测器的同步辐射形貌术分析

利用同步辐射拍摄了长波光导多元HgCdTe探测器芯片的高分辨率的白光形貌相,观察到多元线列器件探测元中明显存在晶格应变区、亚晶界、滑移面等缺陷.实验结果表明:多元线列器件探测元的性能与其光敏区HgCdTe材料中的晶体缺陷密切相关,器件工艺对HgCdTe晶片的应力状态有极大的影响,器件工艺对材料的应力作用可从多元器件探测元晶格的完整性反映出来.