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以鳞片石墨,B4C,SiC,TiO2为原料,利用包覆工艺在不同热压温度下制备了W(C)=50%的C—SiC—B4C—TiB2复合材料,并详细研究了热压温度对复合材料显微组织和性能的影响规律.结果表明,当热压温度高于1850℃时,复合材料由C,SiC,B4C和TiB2这四相组成;复合材料的体积密度、抗折强度和断裂韧性均随着热压温度的升高而增加.2000oC热压时,复合材料的体积密度、气孔率、抗折强度和断裂韧性分别达到2.41g/cm^3,3.42%,176MPa和6.1MPa·m^1/2;热压温度升高,复合材料的碳相和陶瓷相逐渐致密,碳相最终形成了在陶瓷基体上镶嵌的直径为40μm橄榄球状和条状这两种形貌.碳/陶瓷相的弱界面分层诱导韧化和第二相TiB2与陶瓷基体之间热膨胀系数不匹配所致的残余应力使变形过程中微裂纹的扩展路径发展变化,使复合材料的韧性提高. 相似文献
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全面分析了近三十年来国内外有关熔渣中钛氧化物的热力学研究,评价了所涉及的实验方法,并对研究工作中存在的问题进行了讨论. 相似文献
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提出以我国辽东地区硼铁矿经高炉分离后的含硼生铁为原料直接冶炼硼钢。针对含硼铁水中硅、硫含量较高的特点,以及有价元素硼的进一步提取利用,首先研究了铁水中主要元素硼的氧化行为。再利用中频感应炉、石墨坩埚或刚玉坩埚,以Fe2O3为氧化剂,研究了温度、Fe2O3与CaO添加量、熔体成分等因素对Si、B氧化的影响。结果表明,Si、B氧化几乎是同步的,在1 400 ℃下氧化率均可达到90%;实验结果和有关热力学计算表明,适宜的脱硅温度应在1 400 ℃以下;增加氧化剂Fe2O3有利于脱硅和硼的氧化,本实验条件下CaO添加量对脱硅和硼氧化影响不大。 相似文献
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以铁尾矿合成的SiC粉为原料,Y2O3和Al2O3为烧结助剂,常压烧结制备SiC-Y3Al5O12(YAG)复相陶瓷.通过X射线衍射及扫描电镜等测定材料的相组成和显微结构,并分析烧结物的致密化过程,研究其结构和力学性能.结果表明:制备材料适宜的烧结温度为1 800-1 850℃.烧成产物主要物相为SiC,其余为YAG和少量FexSiy随烧结温度的升高,Y2O3和Al2O3生成的YAG相逐渐增加且稳定存在.细小的YAG颗粒弥散在基体周围,并逐渐增多聚集把短柱状SiC晶粒粘结在一起起到促进烧结的作用.随烧结温度的升高,材料的显气孔率降低,而体积密度、硬度和抗压强度均增加. 相似文献
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通过阳极氧化法在金属钛表面制备了TiO2纳米管阵列涂层(TiO2 nanotube array,TNT),并通过改变其形貌和相态探索TNT涂层光催化反应的机理。研究表明TNT涂层光催化降解有机物的机理是依靠光生空穴与氧化剂生成的羟基自由基来氧化有机物中的基团。此外涂层表面的F离子残留量对TNT涂层的光催化性能有一定的影响,F离子残留量越少,纳米管的光催化活性越高,这是由于在光照条件下,带有负电的F离子易于和带正电的光生空穴发生反应,同时由于F离子的残留使纳米管中出现了Ti3+,从而降低了光生电子的数量。低温退火处理条件下,纳米管的形貌基本上没有改变,影响半导体材料性能的主因是相态变化,锐钛矿占主体的混晶结构能够有效促进光生电子-空穴对的分离和传输,从而提高光催化性能。 相似文献