基于精确模型的毫米波单片集成电路设计

介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术，有源器件（如ＰＨＥＭＴ）等效电路模型的建立和无源元件（如微带Ｔ形结、十字结、转角等）精确电磁场模型的建立，同时介绍了毫米波单片放大器的ＣＡＤ设计过程。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管

目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在     

一种基于协作分集技术的切换机制

现有切换管理机制主要采用基于提前切换准备的方法来降低切换过程中的服务中断时间,但是这类切换机制对移动预测算法具有很高的依赖性,因而实际部署的效果不佳。为解决该问题,该文提出了基于协作分集技术的切换机制,通过在切换过程中引入异构协作分集,延长了切换过程中源基站能够为移动终端提供服务的时间,降低对移动预测算法的依赖,从而很好地解决了现有移动管理机制的不足。     

基于Matlab/Simulink的光伏组件建模仿真

文章分析了光伏电池的物理模型,并在Matlab/Simulink仿真环境下,利用Embedded模块建立了光伏组件仿真模型。与其它建模方法相比,该模型简单实用易于操作,可以模拟不同光照强度、环境温度下任意光伏组件的输出特性,仿真结果接近光伏组件的实际工作特性,为光伏系统研究设计提供了方便。     

基于RFC3576协议的E3RAS主动控制系统研究

简要介绍了RADIUS协议的基本概念,介绍了RFC3576协议的基本原理,阐述了如何基于RADIUS协议实现一套基于web的BRAS上网会话的主动控制系统。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

Si基氨化ZnO／Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜，然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化，高温下ZnO层在氨气气氛中挥发，而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线．X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构．利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构．研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线．     

高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制

通过对室温工作的光导型锑化铟红外探测器的设计与工艺研究,在理论分析和工艺实验的基础上,优选制造灵敏元的材料,精心设计探测器的光学系统,改进制造工艺,实现对灵敏元精密腐蚀的有效控制等。研制成功的电压响应率达103V/W,黑体探测率达1010cm.Hz1/2.W-1左右,光谱响应范围2~8μm,响应时间≤2×10-8s的高性能、高稳定、高可靠器件。     

高可用群集多处理技术的原理、规划及配置

在金融、通信等服务领域必须保证关键性业务对外稳定、持续地进行,群集技术(双机)为此提供了可靠的保证.首先介绍了群集的概念,然后基于IBM的AIX系统的高可用群集多处理技术(hacmp for aiz),对群集的网络、管理软件、单点故障、资源组接管策略等进行了详细分析,最后以一个客户端连接到应用、应用连接到数据库的3层客户/服务器(C/S)结构的金融应用系统为例,对群集的规划及配置进行了比较详细的讨论,并给出互相接管模式的双机配置规划和相关应用及数据库的起停脚本.