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101.
随着我国网络信息技术的快速发展,5G技术已成为我国各行各业发展中不可或缺的一部分.5G技术与传统的4G技术具有明显的差异,可以使用5G基础的网络设备对数据计算技术的要求更为严格,因此为了进一步促进5G移动通信网络技术在各行业中的创新和应用,更需要借助云计算技术对5G移动通信网络进行优化,进而提高5G移动通信网络.本文中...  相似文献   
102.
现有切换管理机制主要采用基于提前切换准备的方法来降低切换过程中的服务中断时间,但是这类切换机制对移动预测算法具有很高的依赖性,因而实际部署的效果不佳。为解决该问题,该文提出了基于协作分集技术的切换机制,通过在切换过程中引入异构协作分集,延长了切换过程中源基站能够为移动终端提供服务的时间,降低对移动预测算法的依赖,从而很好地解决了现有移动管理机制的不足。  相似文献   
103.
为了维护国家无线电管理法规,保障无线电管理工作正常进行,2006年下半年,贵州省无线电监测站在全省建立了日常监测制度,对全省监测站的日常监  相似文献   
104.
文章分析了光伏电池的物理模型,并在Matlab/Simulink仿真环境下,利用Embedded模块建立了光伏组件仿真模型。与其它建模方法相比,该模型简单实用易于操作,可以模拟不同光照强度、环境温度下任意光伏组件的输出特性,仿真结果接近光伏组件的实际工作特性,为光伏系统研究设计提供了方便。  相似文献   
105.
简要介绍了RADIUS协议的基本概念,介绍了RFC3576协议的基本原理,阐述了如何基于RADIUS协议实现一套基于web的BRAS上网会话的主动控制系统。  相似文献   
106.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
107.
Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线.  相似文献   
108.
利用计算机进行投影教学日趋普及,它可以提供一个直观动态的教学环境.本文在分析了目前使用计算机进行辅助教学中存在的一些缺陷后,根据实际情况,设计并开发了用于多媒体教学的电子白板教学软件,同时给出了主要程序代码,为使用计算机进行辅助教学提供了方便.  相似文献   
109.
本文着重讨论了电容对STN-LCD阈值陡度和对比度的影响,由实验结果得出,STN-LCD一定显示面积的电容越小,显示品质越好,同时可使用较低的驱动频率,最后提高出减小电容的方法。  相似文献   
110.
高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
付安英  马睿  薛三旺 《现代电子技术》2007,30(2):182-183,191
通过对室温工作的光导型锑化铟红外探测器的设计与工艺研究,在理论分析和工艺实验的基础上,优选制造灵敏元的材料,精心设计探测器的光学系统,改进制造工艺,实现对灵敏元精密腐蚀的有效控制等。研制成功的电压响应率达103V/W,黑体探测率达1010cm.Hz1/2.W-1左右,光谱响应范围2~8μm,响应时间≤2×10-8s的高性能、高稳定、高可靠器件。  相似文献   
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