铟封稳频He－Ne激光器

稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器中布氏窗片的封接引起的各向异性损耗，是影响激光输出功率的主要因素。采用先进的铟封接技术，可以大大改善稳频管的窗口封接质量，从而减小了腔的损耗，明显地提高了稳频Ｈｅ－Ｎｅ激光器的输出功率。     

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.     

纳米TiO_2半导体催化活性的研究进展

纳米TiO2半导体催化技术具有广阔的应用前景,近年来半导体光催化已成为功能陶瓷材料、光化学、环境保护、生物技术等领域的研究热点之一。本文简要介绍了近年来国内外纳米TiO2半导体光催化剂的研究进展,主要包括纳米TiO2光催化剂的作用机理及结构的影响;提高催化活性的方法,指出了表面贵金属沉积、复合半导体、金属离子掺杂和表面光敏化是提高催化活性和催化效率的有效途径。     

钛酸铋钠基铁电陶瓷的热释电性能研究进展

介绍了高光谱用红外探测器的性能及使用情况,并将其与国外同类型高光谱红外探测器的关键指标(如信噪比、暗电流、读出噪声等)进行了对比测试分析。经过衬底去除工艺,短波探测器的光谱响应达到0.4~2.6 μm,平均量子效率超过75%,动态范围内响应线性度拟合曲线的R²值都大于 0.99,半阱信噪比可达到1600。该探测器的性能超过了国外报道的同类器件,满足我国高光谱应用需求。     

UV/Fenton法处理硝基苯废水的试验研究

以自配硝基苯水样为处理对象,采用自制光反应器,用还原-偶氮光度法测定出水中硝基苯的含量,再计算出硝基苯的去除率,然后比较分析各反应的去除效果。研究表明,UV/Fenton法有较高的去除率和反应速率,反应时间、投加量和硝基苯浓度三因素影响最大。试验确定了最佳反应条件:倍数应在1.5左右;Fe2 与H2O2的摩尔比为1∶30;pH值宜选在4左右;硝基苯的质量浓度不宜大于200mg/L;载气在该反应中的作用不大;反应时间为50 min。在最佳反应条件下,去除率可达到95%。     

垃圾渗滤液中氨氮的处理技术

阐述了氨氮对垃圾渗滤液处理效果的影响,介绍了垃圾渗滤液中氨氮的脱除方法、技术特点及工作原理,结合国内外的工程实例,对各种处理技术进行了分析比较。     

3号溶剂再生装置的腐蚀问题及应对策略

3号溶剂再生装置开工后,实现了全厂临氢装置胺液和非临氢装置富胺液独立再生和循环使用。在运行过程中发现再生塔顶部水冷器前三通腐蚀泄漏,对泄漏原因进行了分析,结果表明：管线材质等级不够,管道布局不合理,装置原料硫化氢含量高。通过更改管线材质、更改管道布局方式可减缓此部位的腐蚀,增加脉冲涡流扫查的范围和频次可有效监控易腐蚀部位的情况。     

水位上升对带泥皮桩承载性能影响的试验研究

为研究水位上升引起地基浸泡对带泥皮灌注桩竖向承载性能的影响,设计了6个带泥皮的混凝土灌注桩模型试验,桩周土分别采用粉质黏土、粉土和细砂,在天然含水和浸泡饱和2种条件下进行了单桩竖向承载性能的室内模型试验.试验结果表明,对于粉质黏土、粉土和砂土中的带泥皮灌注桩,浸泡造成桩的极限承载力显著降低,约为天然含水状态下极限承载力...     

光诱导光学晶格中高斯型孤子的开关行为

讨论了高斯型空间光孤子在光折变介质光学晶格的传输行为,运用分步傅里叶变换法对传输方程进行数值分析.研究表明:单个斜入射高斯型光孤子在周期性光学晶格中会局限于入射波导传输或在合适振幅的情况下穿过若干波导再自陷于某个波导;而当同时存在正入射和斜入射孤子时,两者相遇后会发生反射或透射,并可通过斜入射光孤子的振幅选择反射或透射.     

预填充聚苯乙烯控制SiO_2/ZrO_2薄膜膜间渗透

提出预填充方式控制膜间渗透,采用聚苯乙烯(PS)对低折射率SiO2膜内孔隙进行预填充,镀第2层ZrO2后再于甲苯中洗脱,恢复孔隙率以实现膜间防渗透。采用椭偏仪、紫外-可见光分光光度计、原子力显微镜(AFM)和光学显微镜对薄膜进行表征,研究了预填充PS前后的溶胶-凝胶SiO2/ZrO2薄膜膜间渗透与激光辐照损伤。结果表明,单层SiO2填充PS后膜面均方根粗糙度由4.164 nm下降为1.983 nm,折射率由1.1474增加到1.358 3,在甲苯中浸泡15 min后可完全清除PS。PS填充后的SiO2/ZrO2双层膜清洗1 h后,可使填充了PS的SiO2层的平均折射率由1.36降为1.29(未填充区域为1.38),透光率峰值提高(1～2)%。利用Nd:YAG激光器(1.064μm,8.1 ns)对SiO2/ZrO2双层膜进行了损伤阈值的测试,结果表明经PS填充并清洗后损伤阈值降低了8 J/cm2,但两者损伤形貌均为熔融型。