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11.
爆炸焊接钢/钢复合板接合界面微观结构分析 总被引:2,自引:2,他引:2
用HRTEM、TEM和SEM研究了 0 0Cr18Ni5Mo3Si2 16Mn爆炸接合复合板性能及接合界面微区组织结构。结果表明 ,0 0Cr18Ni5Mo3Si2 16Mn复合板强度不低于 16Mn基板的强度 ,180°扭转无裂纹出现 ;接合区形貌近似呈正弦波形 ,接合界面附近形成微细晶区 ;接合界面处的白亮带可能是严重塑性变形和绝热熔化条件下急冷形成的纳米晶结构层和非晶态组织 ;爆炸方法可望用来制备纳米晶和非晶态薄膜材料。 相似文献
12.
光固化成型材料中光引发剂对固化性能的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究选用感光度高、引发速率快的自由基型2-异丙基硫杂葸酮(ITX)作为紫外光固化引发剂,合成了可深层固化的自由基光固化树脂体系。研究了引发剂浓度对不同体系固化后的线收缩率、光固化度和体系固化后显微硬度等性能的影响。利用SEM和FTIR表征了聚合体系的固化结构和固化度;结果表明:树脂体系光固化涂膜交联密度高,层间接合均匀;光引发剂浓度为3.5%时,体系的固化度最好,双键转化率约为61.96%-66.35%;光引发剂浓度在3%-3.5%范围内,涂膜硬度达到最佳值;实验合成的树脂体系的线收缩率为2.4%。 相似文献
13.
14.
以工业污泥为原料,分别利用双水解和通人二氧化碳气体的方法制备Al(OH)3(胶体),在1100℃煅烧后制得α-Al2O3粉体。并通过场发射扫描电镜(FESEM)、能量发射能谱(EDS)以及X衍射仪(XRD)研究污泥原料、Al(OH),(胶体)和α-Al2O3粉体的形貌、成分和结构。结果表明:两种方法中,双水解的方法制备α—Al2O3工艺简单?产物杂质少、产量高。EDS分析结果显示:氧化铝平均纯度达98%。 相似文献
15.
利用高能喷丸技术在Al-Zn-Mg合金上制备出纳米晶结构表层,利用X-射线衍射仪、光学显微镜和透射电子显微镜研究由表层沿厚度方向的结构变化特征,并对纳米晶层的热稳定性进行分析.结果表明:高能喷丸处理后,在样品表层获得了等轴、随机取向的纳米晶粒,平均晶粒尺寸约为20nm:晶粒细化遵循逐渐细分原则;动态再结晶可能导致纳米晶粒组织最终形成;高应变量和应变速率及变形过程中的温升对表层纳米晶粒的形成起到了重要作用.表层纳米晶结构层在250℃真空退火后,有大量纳米级析出相析出,晶粒长至300nm左右,表现出较好的热稳定性. 相似文献
16.
Ab initio density functional theory (DFT) was employed to study geometric and electronic structure of MgF2 (110) surface. Three different clean surface models have been considered. The results show that the surface terminated with one-layer F has the smallest relaxation and the lowest surface energy, which indicates this model is the most energetically favorable structure of MgF2(110) surface. Furthermore, the electronic properties are also discussed from the point of density of states and charge density. Analysis of electronic structure shows that the band gap of the surface is significantly narrowed with respect to the bulk. The electrons of the surface exhibit strong locality and larger effective mass. 相似文献
17.
针状纳米氢氧化镁的形貌控制 总被引:3,自引:0,他引:3
以氯化镁和氢氧化钠为反应物,添加表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS),在水溶液中利用反向沉淀法制备针状纳米氢氧化镁粉体,其直径为9~12nm,长度为40~110nm。并应用X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对所制备粉体的晶型结构、粒度、形貌进行表征。同时讨论了表面活性剂/分散剂对纳米氢氧化镁粉体形貌的影响。 相似文献
18.
采用高能球磨和反应烧结相结合的方法在1300℃、碳还原气氛下合成了YAG:Ce^3+荧光粉,通过X射线衍射分析(XRD)、场发射扫描电子显微镜图谱(FESEM)、荧光光谱(Ex,Em)研究了反应时间、Ce^3+的掺杂量对荧光粉性能的影响。研究结果表明,当反应时间为6h时获得的产物为单一的YAG相,颗粒分布均匀且接近球形;当掺杂Ce抖的摩尔分数x=0.06时,荧光粉的相对发射强度最大。 相似文献
19.
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能. 相似文献
20.