聚丙烯无卤阻燃剂研究进展

介绍了金属氢氧化物、磷系阻燃剂、膨胀型阻燃剂、有机硅系阻燃剂和纳米阻燃剂等无卤阻燃剂在聚丙烯中的应用情况。指出了研制和开发高效、无毒、无烟、无环境污染、热稳定性好、多功能和新型复合“绿色”阻燃剂,将成为以后聚丙烯无卤阻燃剂的发展趋势。     

单分散镍碳复合纳米球和碳微球的制备

以脱油沥青(deoiled asphalt)为碳源,采用化学气相沉积法(CVD)制备碳微球,其裂解后的残渣经真空热处理制得单分散镍碳复合纳米球.用场发射扫描电镜(FESEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线衍射仪(XRD)对产物进行表征.结果表明,碳微球高纯,属无定型碳结构,大小分布在1～2μm范围内;镍碳复合纳米球为准球形核壳结构,核为镍,壳为碳,尺寸在10～30nm范围,晶化程度较高,结构较完善.     

高速850/980 nm垂直腔面发射激光器的研究进展

垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低损耗、 光束质量好、 光纤耦合效率高、 调制速率高且易于与其他光电子器件集成等优势,在光互连、 光存储、 高速传输和通讯等领域得到了迅猛发展.随着大数据时代的到来,对建立高带宽、 低损耗的高速光通讯网络提出了更高的要求.因此,近年来VCSEL在面向高速数据通讯中提高调制速率、 降低...     

纳米SiO2的表面改性及其在聚氨酯弹性体中的应用

用十二烷基苯磺酸钠(SDBS) 对表面包覆Al(OH)3的纳米SiO2进行了改性处理.通过IR、自动电位粒度仪和FESEM等测试手段对表面处理前后纳米SiO2的表面结构、界面电性能和分散状况进行了分析表征.考查了处理前后纳米SiO2与聚氨酯弹性体(PUE)的相容性及其对PUE材料力学性能的影响.结果表明,经SDBS对表面包覆Al(OH)3的纳米SiO2粉体进行改性后,纳米SiO2粉体的团聚现象减少,分散性提高,单个纳米SiO2颗粒的平均粒径约为30nm;经表面处理后的纳米SiO2粉体与有机基体PUE的相容性增强,并对PUE材料的力学性能有了较大的改善,能同时达到增强增韧的效果.     

热处理温度对AZ91D化学镀Ni-P镀层性能的影响

利用F106标尺仪、HVS-1000型显微硬度计和PS-16A型电化学测量系统,研究了镁合金AZ91D化学镀Ni-P的结合 强度、镀层显微硬度和极化性能。结果表明,镁合金化学镀镍层的P含量为6．68％(质量分数),与基体结合良好。随着从200 ℃到450℃退火热处理温度的提高,结合力呈现出先减小后快速增大,然后又减小的趋势,在350℃附近可达最大结合强 度3．7 MPa;随着热处理温度的提高镀层硬度先稍有下降而后持续提高,到400℃附近达到最大值825HV0．1／20,随后开始 下降;低于200℃的低温退火处理过程中,镀层的腐蚀电位Ecorr有所提高,高于200℃的退火过程中,腐蚀电位Ecorr和腐蚀电 流整体有下降的趋势。     

纳米α-Al2O3/W复合粉体的制备

论述了非均相沉淀法制备纳米α—Al2O3/W复合粉体的实验过程,以及纳米钨粉对α—Al2O3相转变温度的影响.结果表明:纳米钨粉的存在降低了α—Al2O3的相转变温度.本实验所制凝胶在1000℃真空中煅烧1h可获得平均粒径<50nm的α—Al2O3/W粉体.     

富勒烯形貌的多样性及超微观结构

目的：通过催化热解法制备了多种形态的富勒烯。对不同工艺参数下形成的富勒烯的形貌和超微观结构进行了SEM、HRTEM、XRD和Raman谱等测试分析。结果表明：形成的富勒烯主要包括单纯洋葱状富勒烯、金属纳米微粒内包洋葱状富勒烯,以及树枝状和线团状等特殊形态的富勒烯。被洋葱状富勒烯包裹的金属为纯Fe纳米微粒。拉曼谱峰分析结果表明石墨化程度很高。     

计算机机壳表面爆痘机理分析

某厂用AZ91D镁铝合金生产的手提计算机机壳 ,经精密铸造而成。在放置一段时间后 ,常常发生爆痘现象 ,用扫描电镜和红外光谱分析了这一现象。结果表明 ,氧化镁夹杂存在于镁铝合金中 ,它可以逐渐吸收空气中的水分 ,转变为氢氧化镁 ,发生极大的体积膨胀 ,从而引起爆痘。减少爆痘的根本方法是降低或消除MgO夹杂物的含量。     

薄壁镁合金压铸件表面缺陷分析

用AZ91D镁铝合金压铸生产手机和笔记本电脑的结构件时，产品表面会出现爆痘、白点和黑色絮状物等缺陷。用扫描电镜和红外光谱分析了产生这些缺陷的原因。结果表明：爆痘是由于组织中存在氧化镁夹杂物，在吸收水分转变为氢氧化镁的过程中发生了体积膨胀引起的；白点是由于组织偏析而使磷化膜成膜不均匀造成的；出现黑色絮状物是磷化处理不当所致。     

四足空心氧化锌晶须的研究

以氧化锌和碳粉为原料，利用高温气相氧化反应法制备出了四足空心氧化锌(T-ZnO)晶须。采用XRD、FE-SEM、TEM和PL等手段对产物进行了表征。初步得出形成机理可能是先形成八面体晶核，然后在其交错面上生长出4个空心单晶足。产物的光致发光谱显示出红移现象，在低波段的发射峰被抑制，而出现强烈的绿光发射峰。