氮注入多晶硅栅对超薄SiO_2栅介质性能的影响

p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度为 4 .6 nm的 p+栅 MOS电容 ,通过 SIMS测试分析和 I- V、C- V特性及电应力下击穿特性的测试 ,观察了多晶硅栅中注 N+工艺对栅介质性能的影响 .实验结果表明 :在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散 ,降低了低场漏电和平带电压的漂移 ,改善了栅介质的击穿性能 ,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大 ,需要折衷优化设计 .     

小家电市场再创佳绩

2007年小家电市场经历了一场内忧外患的挑战,路途虽艰难坎坷,但成绩可佳。1市场销售稳步提升厨卫家电抢风头赛迪顾问数据显示:2007年小家电前三季度销售额达685.5亿元,销售量达258.9百万台。2007年房地产商加大开发力度,刺激了老百姓旧家电的更新换代和新家电的购置,其中厨卫小家电占据了主导地位,占2007年前三季度销售额的80.7%。     

基于耗散热阻分析的火电机组回热系统抽汽优化

引入火积耗散理论,对某火电机组回热抽汽系统进行了优化设计。构建了机组高压加热器和低压加热器的火积耗散热阻,并建立了含有各加热器火积耗散热阻的约束方程组,推导机组热耗率的表达式。以各级抽汽量为自变量,机组热耗率最小为目标函数,引入拉格朗日算子,进行优化计算,得到4种设计工况(100%THA,70%THA,50%THA,30%THA)下的各级抽汽量的最优分配,相对原设计热耗率分别降低了17.08 kJ/kWh,16.69 kJ/kWh,29.43 kJ/kWh,93.64 kJ/kWh,对低工况运行经济性的提升明显。     

3种COD分析方法比较研究

通过COD国标法、实验室改进法和快速测定法对COD标准样品与实际样品的COD值测定,探讨了3种COD测定方法的优缺点和适用范围。     

中国家居小家电市场持续升温

随着消费者对生活品质关注的提升,家居小家电产品成为城市家庭新一轮的消费热点。市场愈发显得成熟与理性,呈现出勃勃发展的生机。厂商为了更好地把握住市场良好的发展前景,将竞争重心由价格转向应用价值。国外小家电企业在家居领域的话语权地位进一步加强,使得整个中国家居和个人     

硅衬底注氮方法制备超薄SiO2栅介质

利用栅氧化前在硅衬底内注氮可抑制氧化速率的方法,制得3.4nm厚的SiO2栅介质,并将其应用于MOS电容样品的制备.研究了N+注入后在Si/SiO2中的分布及热退火对该分布的影响;考察了不同注氮剂量对栅氧化速率的影响.对MOS电容样品的I-V特性,恒流应力下的Qbd,SILC及C-V特性进行了测试,分析了不同氧化工艺条件下栅介质的性能.实验结果表明:注氮后的热退火过程会使氮在Si/SiO2界面堆积;硅衬底内注入的氮的剂量越大,对氧化速率的抑制作用越明显;高温栅氧化前进行低温预氧化的注氮样品较不进行该工艺步骤的注氮样品具有更低的低场漏电流和更小的SILC电流密度,但二者恒流应力下的Qbd值及高频C-V特性相近.     

小家电入“乡”随俗 推动产业升级

截至目前,已有3种小家电产品被纳入"家电下乡"中,小家电下乡不仅满足了农村居民的现实需求,极大地刺激农村家电市场的购买力,而且为许多小家电企业提供了生存空间.更为家电下乡实现产品全覆盖迈出了关键一步.小家电下乡能否做到真正的入"乡"随俗,将是一项任重而道远的系统工程.     

氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响

p+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N+的工艺可抑制硼扩散.制备出栅介质厚度为4.6nm的p+栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V特性及电应力下击穿特性的测试,观察了多晶硅栅中注N+工艺对栅介质性能的影响.实验结果表明:在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散,降低了低场漏电和平带电压的漂移,改善了栅介质的击穿性能,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大,需要折衷优化设计.     

小麦麸皮营养成分和综合利用

该文主要综述了小麦生产副产品麸皮的营养成分,膳食纤维、低聚糖、抗氧化剂等功能成分及相应的制备方法,并介绍了麸皮在食品中的应用。     

猴头菌生物活性成分及药理作用研究进展

猴头菌(Hericium erinaceus)是珍贵的食药用菌,除具有丰富的营养成分外还具有抗溃疡、增强免疫、抗肿瘤、降血糖、抗衰老等功效.简要介绍了近几年关于猴头菌较新生物活性成分、药理作用方面的研究进展.