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31.
光致变色的哚类俘精酸酐   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
32.
合成了一种兼具电致变色性能及离子电导性的新型梳型联吡啶聚合物PVSEO_(21)。测试了其修饰热解石墨电极在液体电解质中的循环伏安特性及其电致变色性能。该聚合物具有可逆性好、响应速度快等特点。其高速响应与聚合物本身的离子电导性有关。薄膜厚度为1.85μm时,该聚合物修饰电极在0~—0.8V和—0.8~—1.3V(vs.SCE)之间发生一电子和二电子氧化-还原反应,相应的电致变色响应时间分别为3ms和7ms。  相似文献   
33.
本文系统地研究了硫化锌材料中Mn中心高激发态与Tm中心的相互作用。证实了Mn中心高激发态与Tm中心间亦存在能量传递。同时还注意到温度对Mn中心与Tm中心间能量传递的影响。  相似文献   
34.
液环式真空泵转子防汽蚀处理措施分析与探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
真空泵在电厂属于重要辅机,其转子的抗汽蚀性能至关重要.本文针对液环真空泵的汽蚀问题作一些探讨,井提出了一些行之有效的预防措施.  相似文献   
35.
针对高空大跨度型钢混凝土连体结构特点,以实际工程为例,详细介绍了高空大跨度型钢混凝土连体结构采用钢筋悬吊工字钢平台支设结构模板的新型支模方法,包括方案原理、相关节点构造及创新的施工流程等关键技术措施。工程实践表明,使用该技术不仅能安全有效地承载上部结构荷载及施工荷载,而且保证了高空混凝土顺利浇筑及工程质量,有效解决了型钢结构高空大跨度连体结构施工难的问题。  相似文献   
36.
报道了热氧化制备钠米ZnO薄膜的光致发光.首先利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)工艺,在硅(100)衬底上制备了高质量的ZnS薄膜,然后在氧气环境下,在不同的温度下进行热氧化.X射线衍射(XRD)测量表明:在500℃退火的样品ZnS开始向ZnO转变.当退火温度为700℃时,ZnS衍射峰消失,说明ZnS完全地转变成ZnO.制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿型结构,但没有择优取向.在光致发光实验中,随着退火温度升高,紫外发光峰位明显地出现蓝移,而半高宽度(FWHM)逐渐变窄,直到900℃,而1000℃退火的样品出现相反的实验现象.我们认为束缚激子发射在紫外光致发光(PL)中起着重要作用,光致发光的强度与退火温度关系表现为较强的非线性.紫外发光强度与深能级发射之比是20,表明ZnO薄膜的高质量结晶.(OH18)  相似文献   
37.
许武  蒙文川  李娟  谌玲  苏盛 《电力建设》2015,36(5):111-118
针对南海亟待发展风力发电、支持海岛开发建设的需求,搜集整理东沙、西沙、南沙共6处海岛气象数据进行了风资源评估和风机选型。运用双参数Weibull分布评估了各站点的风资源情况,结合多种小型风力发电机组的风速功率输出特性曲线,估算了不同风力发电机组的容量系数;还结合基于广义Pareto极值分布模型的跨阈法,利用极大似然估计法计算各站点五十年一遇最大风速。分析结果表明,南海风资源分布和最大风速均具有显著的地域性特征,位于南海南北两侧的东沙岛和人骏滩风资源条件优越,而中部的永兴岛、珊瑚岛、太平岛和南子岛风资源相对贫乏;此外,受热带气旋纬向活动规律影响,最南沿人骏滩的五十年一遇最大风速仅为35 m/s,远低于其他岛礁。  相似文献   
38.
PVC/NBR/PMS多相聚合物膜的制备与离子导电性   总被引:1,自引:0,他引:1  
合成了含有丁腈橡胶 ( NBR)的甲基丙烯酸齐聚氧化乙烯酯 ( MEO12 )与甲基丙烯酸己基磺酸锂 ( SHMAL i)反相共聚胶乳 ,将反相共聚胶乳与聚氯乙烯 ( PVC)溶液共混浇铸成具有多相结构的聚合物膜。这种多相聚合物膜中含有高分子锂盐 ,用增塑剂增塑或吸收无机锂盐有机溶液则成为聚合物单离子导体或双离子导体 ,其室温电导率分别大于 3.0× 1 0 - 4S.cm- 1和 2 .0 6× 1 0 - 3S.cm- 1。膜中增塑的 PVC连续相起到力学支撑体作用 ,因此增塑的多相聚合物离子导体具有大于 9.8× 1 0 5Pa力学强度。  相似文献   
39.
合成了三种不同侧链封端基团的联吡啶聚合物PRV,其中R分别为乙基、正丁基和正壬基。循环伏安特性和紫外-可见光谱表明,其电化学活性的大小顺序为乙基>正丁基>正壬基;三者的电化学稳定性良好,其还原态均显示红紫色。  相似文献   
40.
有机薄膜晶体管阈值电压漂移现象的研究   总被引:2,自引:3,他引:2  
研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。结果发现.栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(△S)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系。还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小.绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大。认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的。  相似文献   
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