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511.
巨星在定西地区南部高寒阴湿区春小麦田的除草效果   总被引:1,自引:0,他引:1  
郸擎东 《农药》2002,41(6):34-34
1 材料与方法试验设在岷县闾井乡 ,指示品种为春小麦86 5 4,前茬洋芋 ,播前每 6 6 7m2 施农家肥 2 0 0 0kg、磷酸二铵 13kg、尿素 11kg。试验设 3个处理 :处理 1为 75 %巨星 (有效成分 :苯磺隆 )干燥悬浮剂 1g/ 6 6 7m2 ,处理 2为 72 % 2 ,4 -D丁酯 5 0ml/ 6 6 7m2 ,处理 3为对照 (喷清水 ) ,小区面积各为 6 6 7m2 ,于 1999年 4月 2 0日用手动喷雾器均匀喷洒除草剂及清水。施药前调查麦田杂草平均密度 ,施药后 7、15、30天分别观察麦田杂草生长情况 ,并分别调查杂草平均密度 ,根据杂草密度的变化计算出防效。小麦收割时 ,各…  相似文献   
512.
1000kV变压器首端连线结构及三维电场计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了1 000kV变压器首端连线结构,给出了三种不同出线方式下的三维电场研究结果,提出了所采用的出线绝缘结构方案。  相似文献   
513.
在公司党委的领导下,1990年共开展科研、新产品开发、新技术推广、战略调研项目共63项。其中国家科委火炬计划1项、国家计委新产品1项、有色总公司重点科研15项、省科委7项、省经委9项、公司30项。 1 已完成研究任务,并经过专家鉴定的项目三基色荧光粉; 降低灯用三基色稀土荧光粉成本研究;  相似文献   
514.
用~(13)C-NMR 方法表征了四种不同催化剂聚合1,2-聚丁二烯的序列分布、微观结构和立体规整度。结果表明,不同催化剂得到的聚合物结构差异很大。  相似文献   
515.
二维任意平面三角形网格自动剖分的实现   总被引:2,自引:1,他引:2  
基于波前推进法提出了一种针对任意平面区域生成三角形网格的全自动生成算法,算法具有区域适应性强,边界网格质量高,自动化程度高的优点,算法还包括了网格的拓扑优化和光滑处理,由于使用Visual C 语言MFC类库进行网格剖分数据链表的管理,使得编程容易,整个程序简单实用,最后,大量算例显示了算法的可靠性和适用性。  相似文献   
516.
变压器线圈的股间短路会产生局部过热,降低变压器寿命,甚至导致故障,股间短路的确定十分困难,为此采用了先进的电磁场分析计算手段,模拟变压器的空载试验,对变压器线圈存在不同类型型股间短路时的电磁场进行计算,由此说明能否根据变压器空载特性数据判定股间短路现象。  相似文献   
517.
为了优化环保高强力再生胶的微波辐射工艺,首先对微波再生原料进行预处理,然后选择合理的微波辐射方法,在微波再生过程中确定了适宜的加料顺序,在微波再生后确定了再生胶的冷却工艺及再生过程中的最佳工艺条件为微波辐射时间、温度和功率.通过优化微波辐射工艺获得的环保型高强力再生胶,胶片表面光洁,质地均匀,适合压延、压出工艺.实验结果表明,再生胶的拉伸强度和扯断伸长率分别达到18.74MPa和443.00%.  相似文献   
518.

研究了具有时延和数据包丢失的网络控制系统H状态反馈控制问题.考虑了网络控制系统中同时存在时延和数据包丢失的情况,将丢包过程建模为有限状态的马尔可夫过程.在此模型的基础上,利用Lyapunov稳定性理论和线性矩阵不等式方法,给出了保持系统均方稳定且满足H性能的控制器存在的充分条件,并给出了相应的设计方法.最后数例仿真结果表明了控制器设计方法的有效性.

  相似文献   
519.
农业面源污染发生的条件主要有动力因素、水文条件、地形特点.同时,农业生产的化学物质大量投入,农村生活污水和垃圾的任意排放,畜禽养殖场没经过处理的粪便的排放和农用是重要的原因.农业面源污染物质主要有N、P、硝酸盐、杀虫剂、致病菌、沉积物,不同的污染物质发生的机理不同.农业面源污染的控制必须从污染物的性质和特征出发,结合自然地形、气候、土壤、植被等特点探索适合不同地区的农业面源污染控制对策和措施.农业面源污染发生是外界和内部因素综合作用的结果,污染物的控制是多方面和多层次的.近年来,农业面源污染机理研究有较大的进步,但随着环境的变化,许多研究还需进一步深入.  相似文献   
520.
一、引言人们曾设想在晶体管发明之后,由于它具有较低的功率耗散,即使不是全部至少也可以较多地消除对各种冷却问题的担心。然而,当工程师们为了改善电子设备的性能、造价和可靠性,而在一块较小的空间组装大量的电子器件时,发现这种想法是短暂的。事实上,近年来元件级的功率密度已经大大增加。例如,计算机上一块5×5mm~2的芯片,热耗散热量达10W,相应的热流密度达4×10~5,W/mm~2。正如图1所示,这种热流密度仅比太阳表面的热流密度低二个数量级。但是,太阳表面的温度为6000℃,而芯片最高工作温度不过100℃左右。  相似文献   
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