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61.
陈富健  谢维信 《信号处理》2020,36(4):562-571
抗遮挡在视频目标跟踪中是一个极具挑战的研究问题。在目标跟踪过程中,目标在被部分遮挡或者完全遮挡的情况下,使得跟踪模型的漂移导致目标跟丢。为了解决这一问题,本文提出了引入抗遮挡机制的SiamVGG网络目标跟踪算法,通过对网络输出置信图的峰值和连通域的变化规律分析,设置不同的跟踪模式,分别是正常跟踪、部分遮挡、完全遮挡和遮挡丢失,然后根据不同的模式选择不同的跟踪策略。相比于其它的跟踪算法,本文算法采用了SiamVGG网络作为目标跟踪的框架并对遮挡问题进行了分析和校正,有效避免了在遮挡情况下目标跟丢。通过在OTB-50、OTB-100和OTB-2013三个基准数据集上进行了实验,验证了本文算法在抗遮挡问题的有效性和鲁棒性。   相似文献   
62.
提出一种基于SSD的杂质检测方法,用于检测生产线中果冻内部的杂质,并标注出杂质的类型和位置。在预处理阶段,提出滑动图像块分割方法,将整张果冻图像分割成若干图像块,避免杂质占比过小,造成准确率低的现象。使用迁移学习的方法,将神经网络在ImageNet数据库上学习到的特征迁移到果冻数据库中,加快网络收敛速度,同时,在一定程度上避免了过拟合现象。提出多尺度重叠滑动池化(SOSP)方法,取代第五层池化以取得更加鲁棒的特征池化。最后,将一幅图下的所有分割块上的检测结果进行整合,得到整张图像的检测结果。实验结果表明,本文提出的方法有效可行,对多种缺陷平均准确率达到0.7271。相比其他方法,本文的算法更具鲁棒性,可应用到果冻生产线中。   相似文献   
63.
红外弱小目标的分割与检测是地空导弹和航空导弹的关键技术。本文研究基于小波变换和目标运动特性的红外弱小目标的检测。在目标运动特性方面,主要采用了“与”管道进行目标的检测。大量试验表明,该算法具有很好的检测鲁棒性,且能够实时检测出红外图像中的弱小目标。  相似文献   
64.
偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.  相似文献   
65.
聚酰亚胺在氧基工作气体中的反应离子深度刻蚀研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要研究了不同的反应离子刻蚀条件(氧基工作报体、刻蚀功率、工作气压等)下所获得的不同刻蚀效果。当以O2/CHF3作为工作气体时,在一定的工艺条件下实现了高深宽比(深度23μm,深宽比〉7)、侧壁陡直光滑、底面平整光滑的刻蚀效果;同时还观察到随着CHF3浓度的增加,侧壁形状经历了外倾、垂直、内倾的变化规律。利用CF2印化保护模型可很好地解释决这一现象。  相似文献   
66.
用激光诱导击穿光谱技术定量分析矿石样品中Si和Mg   总被引:3,自引:1,他引:3  
激光诱导击穿光谱(LIBS)技术被用来定量分析矿石样品元素成分.波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光聚焦在样品表面后产生激光等离子体,等离子体原子发射谱由微型光谱仪记录.为了优化实验条件,研究了激光能量和延时时间等部分参数对谱线强度的影响.实验发现激光脉冲能量对光谱信号的影响大.在选定的变化范围内,改变延时对光谱的影响较小.实验中分别以硅(Si I谱线251.6 nm)和镁(Mg I谱线285.2 nm)为分析线,采用外定标法对硅和镁的含量进行了反演,测得的硅和镁元素含量值与标准值的相对误差分别为7%和3%.  相似文献   
67.
基于OMAPL138的高速信号处理系统信号完整性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
以基于OMAPL138的高速数字信号处理系统为例,分析了信号完整性在高速电路设计中的重要性及问题产生原因,通过仿真提出了信号完整性问题中的反射和串扰的解决方案,并具体阐述了在实际工程设计中如何控制高速信号的时序,以及如何保证电源系统的完整性。实践证明,高速数字电路设计中,保证信号完整性可以有效的保障系统的稳定运行,提高设计的一次成功率。  相似文献   
68.
秦岭  章静 《电信科学》1993,9(6):32-35
本文介绍了集传真技术、通信技术、微型计算机技术于一体的微机传真系统,提出了微机传真系统在硬件接口及报表识别上的实现方法。  相似文献   
69.
70.
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAS/Ga1-xAlxAs异质结,发现不同工的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由GaAs带间跃迁的Franz-Keleysh效应计算出表面层表面电场随外延层的变薄而增大,并计算出表面费密以级与导带底的距离f=0.27(0.03)eV,通过对Ga1-xAlxAs调制光谱分析,发现表面复盖层对Ga1-xAlxAs层的调制光谱线形有调节作用,不同厚度的  相似文献   
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