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41.
B4C-TiB2复相陶瓷的强韧化研究   总被引:11,自引:1,他引:10  
采用热压烧结工艺,制备B4C-TiB2复相陶瓷。结果表明,复相陶瓷的抗弯强度,断裂韧性和显向硬度受第二相TiB2颗粒的影响,其中B4C-30vol%TiB2材料的弯曲强度为725MPa,比单体B4C提高65%,B4C-45vol^TiB2材料的断裂韧性为6.7MPa.m^1/2,比单体B4C提高84%,由B4C基体和TiB2颗粒热膨胀系数不匹配导致的残余应国是B4C-Tdisplay status  相似文献   
42.
纳米SiC及Si3N4/SiC的高温等静压研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用高温等静压工艺,制备了纳米结构的单相SiC及Si3N4/SiC复相陶瓷,并通过X射线衍射分析透射有高分辨电镜对其相组成及结构进行了表征。实验表明,在温度1850℃,压力200MPa条件下保温1h,要获得晶粒尺寸〈100nm,结构均匀,致密的单相SiC纳米结构陶瓷。  相似文献   
43.
SiC晶须增强Al2O3—TiC复相陶瓷的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
运用品须补强和粒子弥散双重手段,对氧化铝材料的性能进行改进。比较了Al_2O_3-TiC(AT),Al_2O_3/SiC_w(As),Al_2O_3-TiC/SiC_w(ATS)材料的力学性能,证实ATS材料有明显的迭加增强增韧效果,并具有良好的高温力学性能。抗氧化实验证实,将SiC晶须加入AT中以后,材料的抗氧化性能有明显改进。从热膨胀失配角度分析和SEM显微结构观察证实,ATS材料的主要增韧机理是界面解离和裂纹偏转。  相似文献   
44.
无压烧结SiC-AlN复相陶瓷的显微结构   总被引:2,自引:0,他引:2  
对于SiC与AlN在1800℃以上可以发生反应形成固溶体的研究结果有益于碳化硅陶瓷的烧结.在2100℃Ar气氛的条件下,通过XRD、SEM和TEM等分析手段测试样品的颗粒界面、断裂面和组成后发现,烧结过程中AlN扩散并均匀地分市在整个坯体之中,SiC颗粒在原位长大成无序排列的长5~8μm、宽为1μm的棒状晶体结构.SiC-AlN复相材料的断裂面呈现出拨出与撕裂二种效果,其抗弯强度和断裂韧性分别可达到420MPa和4.83MPa.m1/2  相似文献   
45.
层状Al2O3-TiC复相陶瓷的制备与性能   总被引:7,自引:0,他引:7  
利用流延到工艺制备了Al2O3-TiC复相陶瓷薄膜,通过叠层,预压,脱粘和热压烧结工工艺,制行了层状结构复相陶瓷,讨论了分散剂,pH值,固含量对浆粘粘度的影响,用TGA分析了陶瓷膜的脱粘过程,用SEM和光学显微镜分析了素坯膜的微观形貌和材料在压力作用下裂纹扩展情况,由于裂纹沿弱界面扩散应力松弛,有效地提高了材料的断裂韧性和断裂功,为陶瓷的结构设计提供了一条新思路。  相似文献   
46.
本文从反射镜材料选择的基本要求出发,以材料的热物理性能、力学性能、光学可加工性、化学稳定性和安全性为依据,认为SiC材料是今后反射镜材料的首选,另外还介绍了SiC反射镜的应用领域以及提出了未来SiC材料用作反射镜时的一些建议.  相似文献   
47.
以Al-B4C-C为烧结助剂的SiC陶瓷液相烧结研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
尝试以含Al,B,C的化合物烧结助剂进行α-SiC粉末的无压烧结,研究了烧结助剂中Al和B的配比,烧结温度,保温时间等因素对烧结体密度和力学性能的影响。结果表明,最佳保温时间为1h;当烧结温度为1850℃以上时,烧结体的相对密度达到了90%;当Al/B=3和4时,烧结体的性能相对较好,XRD显示了Al8B4C7相的存在,表明在烧结过程中反应生成了Al8B4C7,烧结机制是液相烧结。扫描电镜照片显示了断面结构和晶粒形貌。  相似文献   
48.
工程陶瓷的摩擦磨损行为   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
49.
机械密封用高性能碳化硅陶瓷的无压烧结研究进展   总被引:8,自引:0,他引:8  
谭寿洪 《流体机械》2005,33(2):9-13
介绍了机械密封行业用的几种高性能碳化硅陶瓷的无压烧结的研究进展以及各种烧结添加剂对其致密化、显微结构及其性能的影响。  相似文献   
50.
PVD Si涂层用于SiC陶瓷的表面改性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了获得高质量的光学表面,采用RF磁控溅射法在RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆一层结构致密的PVD Si涂层.采用XRD、AFM和表面轮廓仪对抛光后的PVDSi涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率.结果表明,当RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆PVD Si涂层后,抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度的均方根RMS可达埃级,反射率提升幅度明显.并简单分析了反射率提高的主要原因.  相似文献   
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