全文获取类型
收费全文 | 6859篇 |
免费 | 426篇 |
国内免费 | 340篇 |
专业分类
电工技术 | 534篇 |
综合类 | 418篇 |
化学工业 | 939篇 |
金属工艺 | 357篇 |
机械仪表 | 455篇 |
建筑科学 | 786篇 |
矿业工程 | 263篇 |
能源动力 | 164篇 |
轻工业 | 542篇 |
水利工程 | 249篇 |
石油天然气 | 374篇 |
武器工业 | 70篇 |
无线电 | 716篇 |
一般工业技术 | 498篇 |
冶金工业 | 306篇 |
原子能技术 | 90篇 |
自动化技术 | 864篇 |
出版年
2024年 | 79篇 |
2023年 | 262篇 |
2022年 | 271篇 |
2021年 | 232篇 |
2020年 | 186篇 |
2019年 | 245篇 |
2018年 | 241篇 |
2017年 | 116篇 |
2016年 | 113篇 |
2015年 | 131篇 |
2014年 | 429篇 |
2013年 | 265篇 |
2012年 | 260篇 |
2011年 | 263篇 |
2010年 | 239篇 |
2009年 | 308篇 |
2008年 | 280篇 |
2007年 | 318篇 |
2006年 | 287篇 |
2005年 | 238篇 |
2004年 | 211篇 |
2003年 | 179篇 |
2002年 | 177篇 |
2001年 | 374篇 |
2000年 | 233篇 |
1999年 | 178篇 |
1998年 | 123篇 |
1997年 | 135篇 |
1996年 | 134篇 |
1995年 | 99篇 |
1994年 | 133篇 |
1993年 | 90篇 |
1992年 | 109篇 |
1991年 | 96篇 |
1990年 | 88篇 |
1989年 | 91篇 |
1988年 | 42篇 |
1987年 | 42篇 |
1986年 | 48篇 |
1985年 | 45篇 |
1984年 | 35篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 35篇 |
1981年 | 21篇 |
1980年 | 27篇 |
1979年 | 14篇 |
1978年 | 7篇 |
1977年 | 5篇 |
1974年 | 8篇 |
1964年 | 5篇 |
排序方式: 共有7625条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
超宽带通信具有系统容量大、数据传输速率高、抗多径能力强、成本低、功耗低、信号衰减较小、定位精度高、穿透力强等优点,是下一代无线通信的革命性技术之一。文章简述了UWB技术的理论依据及技术方案;探讨了UWB关键技术的研究现状;阐述了UWB技术的研究方向与发展前景,指出随着研究工作的不断深入,将逐步找到UWB技术现有问题的解决方案,其技术将更加成熟,这项新技术必将在通信领域和电子领域得到广泛的应用,发展前景十分广阔。 相似文献
82.
介绍了一种适用于MEMS压力传感器的低成本、柔性化凸点下金属层(Under Bump Metal,UBM)和凸点(Bump)的制备工艺。其中凸点下金属层分为Ni-P/Cu两层,使用化学镀的方法沉积在Al焊盘表面;凸点通过焊膏印刷回流预制于陶瓷基片上,再通过转移工艺移植到焊盘上。为了检验此套工艺制出的凸点结构是否具有足够的强度,对凸点进行了剪切破坏试验。结果表明,凸点与凸点下金属层、凸点下金属层与Al焊盘均结合牢固,破坏主要发生在焊料凸点内最薄弱的金属间化合物层(Intermetallic Compound,IMC)。 相似文献
83.
铁通公司高度重视WLAN网络建设和业务拓展,铁通并入移动后,为迅速推进WLAN热点建设,结合当前铁通公司WLAN热点建设工作的推进情况,对铁通公司开展WLAN建设的方案进行初步探讨. 相似文献
84.
85.
86.
87.
88.
格基约减在许多应用上是一个非常有力的数学工具。本文详细介绍了有关格基约减算 法的概念、定义和著名的LLL算法,并在此基础上通过一个对低阶RSA算法的攻击过程对约减算法 的应用进行了简要介绍。 相似文献
89.
Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献
90.