快速响应水凝胶在给药系统中的应用进展

传统智能水凝胶作为药物载体可控制药物的定点、定时、定量释放,具有提高药效、靶向,减少给药频率,增加安全性等优点。但由于存在响应速率慢的缺点而大大限制其应用。因此,近年来围绕提高智能水凝胶给药的响应速率的研究非常活跃,展示了广阔的应用前景。文中综述了快速响应水凝胶的类型、制备原理与给药系统中的应用进展,并指出其缺点及发展方向。     

CPP/VTES/St接枝共聚物的合成与性能

以二甲苯为溶剂,过氧化苯甲酰(BPO)为引发剂,采用乙烯基三乙氧基硅烷(VTES)和苯乙烯(St)为接枝单体,自由基溶液聚合法改性氯化聚丙烯(CPP),制得接枝共聚胶黏剂。并考察了聚合单体用量及配比、溶剂用量、引发剂用量、反应温度和反应时间对树脂胶黏性能的影响。得到的最佳反应条件为：溶剂与CPP的质量比m(二甲苯)∶m(CPP)=2.5∶1,聚合原料配比m(CPP)∶m (VTES)∶m (St)∶m (BPO) =100∶2.4∶0.6∶0.2,反应温度95 ℃,反应时间3 h。在此条件下制备的共聚物粘接聚丙烯材料和钢的剪切强度分别达3.4 MPa和7.7 MPa。     

紧凑型高压异步电机三维流体场分析及温度场仿真计算

为研究10 kV紧凑型异步电机额定工况运行时,内、外双风扇作用下电机内的流体流动状况以及电机各部件的温度分布情况,采用流体场与温度场耦合的方法建立电机三维散热模型,并对内外风扇以及转子自力性扇叶周围空气建立旋转气域模型。将电磁场有限元仿真计算得到的绕组铜耗、定子铁心损耗、转子铝耗等作为热源,在计算流体力学理论分析的基础上,对电机温度场作出合理的基本假设并给出相应的边界条件,通过流热耦合仿真计算得到电机在双风扇随轴转动情况下电机内外流体场中流体流动及电机各部件温度的空间分布特征。仿真结果表明,电机温度最大值位于转子绕组中部,定子绕组温度最大值为113 ℃,满足F级绝缘要求;内风扇工作时可以有效降低定、转子温度。     

丙烯酸丁酯改性分散剂的制备

为降低聚丙烯酸分散剂高分子链间的斥力,提高在粉体表面的吸附量,将丙烯酸丁酯同丙烯酸进行共聚,并探索了最佳制备工艺条件。实验结果表明,丙烯酸丁酯的加入确实可以提高吸附量,最佳制备工艺条件为:AA同BM的质量比为20∶12,过硫酸铵用量和亚硫酸氢钠用量都为3wt%,聚合温度为70℃。     

关于降水引起地面沉降问题的探讨

从理论上分析了降水引起地面沉降的原因及土层变形机理,根据计算土层压缩变形的公式,寻求了一种较为简易准确的方法对降水区土层压缩变形进行计算,将之应用于工程实践取得良好效果,为今后工程降水对周边环境的影响评价提供了方便。     

计算机网络技术在局域网组网中的应用

随着计算机技术、通信网络技术、多媒体技术的不断发展,以现代信息技术、管理科学和系统科学为基础建立的各种管理信息系统,在单位管理中也发挥着日益重要的作用,一个部门的计算机网络环境的设计直接影响到单位信息化管理能力.通过对计算机的合理组网,能够增加网络管理计算机的能力,通过代替一系列的手工操作,减轻计算机管理人员的工作量,节省不必要的人力资源.同时,还可使得管理更加规范化,减少了工作中的漏洞,使各个部门的管理更加规范,提高单位的信息化管理水平,也有利于一个单位的长远发展.因此对计算机组网方式进行研究,选择合理计算机组网方式非常重要.     

湿法磷酸生产中吸附沉淀法一步脱氟净化的研究

通过吸附沉淀原理在模拟湿法磷酸工业生产流程的小试装置上研究了湿法磷酸生产过程中系统内一步法进行脱氟净化,生产出来的磷酸浓度为40％(P_2O_5％计)以上,酸中P/F>106,可以满足饲料级磷酸氢钙的生产需要,解决了利用湿法磷酸生产饲料级磷酸氢钙磷回收率低的问题,使磷酸盐的生产成本大大降低,每吨约降低成本150～200元。     

碱法水解羽毛蛋白的工艺条件研究

利用亚硫酸氢钠溶液对羽毛进行预处理，采用氢氧化钠溶液水解羽毛制得可溶性羽毛蛋白。考察了预处理剂的用量、碱液浓度、液固比、水解时间、水解温度等因素对羽毛水解所得可溶性蛋白收率的影响。得到水解最佳条件：ω（亚硫酸氢钠）：ω（羽毛粉）=30：100、ω（氢氧化钠）=0．4％水溶液、ω（氢氧化钠溶液）：ω（羽毛粉）。15：1、反应温度90℃、反应时间2h。在此条件下制得的可溶性羽毛蛋白的收率达65．7％。     

壳聚糖基敏感性凝胶的研究进展

壳聚糖作为一种来源广泛、无毒性、无刺激性、良好生物相容性、生物可降解性的生物基质,已在各个领域得到广泛研究。利用壳聚糖的物理、化学性质进行改性制备敏感性凝胶,已成为近年来的前沿研究课题之一。综述了近几年壳聚糖基敏感性凝胶在磁场敏感性、pH敏感性、电场敏感性、温度敏感性、多重敏感性及其他敏感性领域的研究进展。     

反应磁控溅射制备氮化钽扩散阻挡层的研究

采用反应磁控溅射在硅衬底上制备了TaN薄膜,研究了氮分压、溅射功率及衬底温度对薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,晶体结构随工艺参数的改变发生变化,GIXRD图谱衍射峰强度随溅射功率和衬底温度的增加而增强,氮气分压的增加使择优取向向(111)晶面偏移;TaN薄膜的表面形貌与溅射功率和氮气分压密切相关,与衬底温度的关系不大,其粗糙度随溅射功率的增加而增大,随氮气分压的增加而减小;TaN薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小,随氮气分压的增加逐渐增大,温度对方块电阻的影响不大;对Cu/TaN/Si互联体系热处理后发现TaN薄膜具有优异的阻挡性能,在600℃时依然可有效阻止Cu向Si的扩散。