A numerical integration-based yield estimation method for integrated circuits

A novel integration-based yield estimation method is developed for yield optimization of integrated circuits.This method tries to integrate the joint probability density function on the acceptability region directly. To achieve this goal,the simulated performance data of unknown distribution should be converted to follow a multivariate normal distribution by using Box-Cox transformation(BCT).In order to reduce the estimation variances of the model parameters of the density function,orthogonal array-based modified Latin hypercube sampling (OA-MLHS) is presented to generate samples in the disturbance space during simulations.The principle of variance reduction of model parameters estimation through OA-MLHS together with BCT is also discussed.Two yield estimation examples,a fourth-order OTA-C filter and a three-dimensional(3D) quadratic function are used for comparison of our method with Monte Carlo based methods including Latin hypercube sampling and importance sampling under several combinations of sample sizes and yield values.Extensive simulations show that our method is superior to other methods with respect to accuracy and efficiency under all of the given cases.Therefore,our method is more suitable for parametric yield optimization.     

氧化锌太敏电阻器的性能及应用

本论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展,提出了氧化镜压敏电阻器选用原则,简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。     

SRAM数据残留现象的机理分析

通过实验进行了SRAM数据残留机理的研究,建立了数据残留时间与温度的关系.确定了低温下非平衡载流子复合率及扩散速度的降低,是导致SRAM断电后数据残留的主要原因.同时进行了SRAM电参数与数据残留的相关性分析,排除了实验条件下热载流子效应对数据残留特性的影响.     

基于CPCI总线的高速并行数字信号处理机

高速并行数字信号处理机在实时数字信号处理中具有重要作用。基于实时数字信号处理思路,研制基于ＣＰＣＩ总线的高速并行数字信号处理机,测试表明,该处理机满足实时数字信号处理要求。     

CuO纳米线中的取向畴

通过简单的热氧化法,可以得到不同取向畴的CuO纳米线结构.利用群论的知识,从理论上推导出CuO纳米线中存在11种畴壁结构,其中5种已经被实验证实.同时,在800℃下得到直径较大的CuO纳米线,利用透射电子显微学相关技术分析发现,这种纳米线中存在一种新的畴壁结构,而且也属于理论上得到的11种畴壁之一.本文利用群论分析,解释了CuO纳米线中取向畴结构的生成机制,对调控CuO纳米材料的生长具有指导作用.     

选区激光熔化4Cr5MoSiV1模具钢显微组织及显微硬度研究

采用选区激光熔化(SLM)技术制备4Cr5MoSiV1模具钢试样,研究激光线能量密度η对显微组织、碳元素损耗及显微硬度的影响。研究表明:SLM成型4Cr5MoSiV1模具钢试样的显微组织主要为马氏体和少量残余奥氏体。脱碳反应、飞溅行为和元素烧蚀共同造成碳元素的损耗,当η=950J·m~(-1)时,碳元素损耗率高达17.7%。随着η的增加,试样的晶粒尺寸增大、碳元素损耗率升高、马氏体含量降低;在同一η下,试样过渡区的晶粒尺寸最小、碳元素损耗率最低,而热影响区的晶粒尺寸最大、碳元素损耗率最高。随着η的减小,孔隙缺陷增多;当η过大时,试样将出现冷裂纹缺陷。当η=905J·m~(-1)时,试样显微组织均匀,致密度高,具有较高的显微硬度(熔池中心区域为710.3HV,过渡区为732.4HV)。     

如何选择直埋光缆的结构

本文根据在某长途光缆干线工程中直埋光缆结构的选型，阐述了选型原则、选型应考虑的环境因素和该工程直埋光缆结构的最后选定。     

利用试验设计方法表征微电路工艺设备

随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高，许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入，而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应。为了表征设备特性并优化工艺条件，文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案，实现了对实际氧化工艺特定设备的表征，建立了氧化膜厚度以及厚度均匀性的工艺模型，可进一步用于工艺条件的优化设计。     

基于遗传算法的Kriging元模型及其在模拟集成电路优化设计中的应用

提出了建立电路Kriging元模型,并与遗传算法相结合确定电路参数,优化电路的方法.相对传统多项式回归模型,Kriging模型更适合电路仿真的实验类型;利用遗传算法,解决了基于Kriging元模型电路系统的全局优化问题.最后将该方法应用于带隙基准电路设计,取得令人满意的结果.