洁霉素废水深度处理研究与工程应用

利用ABR-A-O组合工艺对洁霉素处理后的出水进行深度处理,对工程设计参数进行探索。结果表明,ABR、A、O停留时间分别为8、6、20 h,经混凝脱色后出水色度、悬浮物等指标均能达到发酵类制药工业水污染物排放标准(GB 21903-2008),COD、NH3-N达到当地环保部门补充要求,且运行效果稳定,费用较低。     

纺长丝用聚乳酸切片的干燥工艺

为了研究聚乳酸切片的干燥工艺,采用差示扫描量热法(DSC)测试聚乳酸切片的玻璃化转变温度(Tg)、熔点(Tm)及无定形结构,探讨干燥时间及温度对切片性能的影响关系,并对阶段性干燥进行分析。结果表明：干燥时间越长、干燥温度越高,聚乳酸切片的含水率越低,但板结率会越大,分子量下降越严重;在低温干燥阶段,主要除去切片中大部分水分,高温干燥阶段,主要除去少量内部缔合水。最终得出最佳的三阶段干燥工艺为：80℃,4h;100℃,4h;110℃,20h,使切片的含水率很低,同时又避免了大量板结和分子量下降。     

地层温度确定的新方法及实际指导意义探讨

在稠油油藏老区块钻调整井过程中,提前停注高压蒸汽井的温度场在一定时间内会继续热传递,从而使储层的温度有所升高.在油气田开发中,尤其是在二次采油和三次采油过程中,在许多情况下都要遇到地下热力学问题.储层温度的确定是制订油气田开发方案的一个重要参数,如何预测储层温度尤为重要.通过分析克拉玛依某热采区块水平井钻井中钻井液与地层的热传导特点,结合传热学的基本原理,提出了一种简易实用的确定地层温度的新方法.实例计算结果表明,利用该新方法计算出的地层温度与实测地层温度较吻合,证明提出的方法可行、可靠.最后分析了储层温度对确定储层保护技术措施的指导作用.     

粘土基陶粒的制备及其对Cd2+的吸附性能研究

以粘土为骨料,采用添加造孔剂法制备了多孔陶粒,将其作为吸附材料,研究了陶粒对Cd2+的吸附能力、吸附动力学和吸附机理.结果表明,粘土基多孔陶粒对Cd2+具有良好的吸附能力.固液比较大时,得到的吸附量值较小,且随着固液比的增大,陶粒对Cd2+的吸附效率和吸附速率均下降.吸附动力学模型研究表明,陶粒时CA2+的吸附符合准二级吸附速率方程,颗粒内扩散模型确定吸附过程由2个或多个步骤控制.陶粒中的-OH、C-O基团参与对Cd2+的吸附,形成了CdO新相,说明陶粒对Cd2+的吸附包括化学吸附.     

低渗砂岩储层正压射孔中水锁损害试验研究

低渗砂岩水锁损害已成为高效开发低渗透油气藏的一大技术瓶颈,因此,如何通过室内试验评价水锁损害显得尤为重要。国内外许多学者大都研究钻完井中“相对稳定”正压差或欠平衡钻井自吸作用造成的损害,忽视了正压射孔完井中瞬时附加压力对孔道水锁损害的影响。通过试验研究了在瞬时附加压力下东海地区低渗砂岩的水锁损害,结果表明,瞬时正压差可增加损害程度25%左右。根据低孔低渗透岩心水锁损害试验结果,提出了低孔低渗透气藏降低水锁损害的措施和建议。      

由不同碳源合成洋葱状富勒烯

洋葱状富勒烯(onion-likefullerenes:OLFs)可通过各种高含碳物质(如石墨、金刚石及炭黑等)、甲烷、乙炔等有机化合物和碳化硅等含碳的无机化合物的转化来制备.根据不同的碳源,按不同的制备方法介绍了洋葱状富勒烯的研究现状,着重论述了煤基洋葱状富勒烯合成的研究进展,采用射频或微波等离子体法,以煤为原料制备了洋葱状富勒烯,用高分辨透射电镜(HR-TEM)对其形貌、尺寸与结构进行了观察,其外观呈准球状或多面体状,内中空,直径分布较均匀,石墨化程度很高,实现了洋葱状富勒烯的低温合成,在此基础上,结合等离子参数和煤的化学结构,初步探讨了煤基洋葱状富勒烯的生成机理.     

唐宋诗画中的茶花及其园林应用初探

从唐宋期间的129首诗词可见,茶花的概念逐渐从茶(Camellia einensis)花发展至涵盖了山茶(Camellia japonica)、滇山茶(Camellia reticulata)、茶梅(Camella sasanqua)等野生资源及山茶品种的广义概念,并出现了'黄香'粉红'玉环'红百叶'并山茶'...     

智能变电站SCD与保护装置参数在线一致性校验系统设计与实现

为了在线校验SCD与保护装置中配置参数的一致性,研发了一种SCD与保护装置参数在线一致性校验系统。采用MMS、SV、GOOSE抓包通信技术,由站控层监控程序与各厂家装置进行MMS通信,在线召唤装置中实际运行的MMS配置参数。由过程层监视程序实时抓取网络上的SV、GOOSE,基于SCD侧控制块参数、各级节点或数据的属性值,逐层查找实际装置中嵌套的配置信息并比较,获得各级节点的校验结果。所研发的系统应用于某变电站的调试,取得较好的效果。     

准贝氏体界面错配位错的TEM观察

运用透射电镜证明含Ｓｉ钢准上贝氏体和准下贝工体中铁素体／残余奥氏体的界面错配位错是混合型位错，使得界面能沿其法线方向作滑移运动，表明贝氏体可以切变形成。     

Fe－C合金贝氏体在奥氏体贫碳区切变相变机制的价电子理论分析

本文运用固体与分子经验电子理论，计算了Ｆｅ－Ｃ合金发生马氏体转变的临界阻力以及中温等温时的相变阻力，讨论了贝氏体在贫碳区切变形核的可能性。