微流控芯片表面修饰及在蛋白质富集中的应用

应用分子自组装技术，在SiO2表面衍生活泼醛基，在SiO2表面有125nm的衍生物，衍生的醛基和氨基发生共价反应而将入免疫球蛋白G固定在二氧化硅表面，抗原抗体反应显示固定的抗体有活性。应用微加工技术加工含交叉排列的椭圆形微柱阵列的微流控芯片，有效增加内表面积和流体接触机会，用同样修饰方法修饰微流控芯片内表面并固定人免疫球蛋白G，流经管道的相应抗抗体和其发生反应而被吸附在管道表面，实现对该抗抗体的亲和富集，富集后荧光密度增加15倍。表面修饰技术能实现蛋白质在二氧化硅表面的固定并保持其生物活性，结合微流控芯片能实现对相应蛋白质的微量富集。     

GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系

采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .并从理论上解释了所发现的现象     

旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡

通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关     

植入式柔性神经微电极的互连方法

为了实现植入式柔性神经微电极与外部记录或刺激装置的有效、可靠连接,本文提出了一种基于通孔电镀的植入式柔性神经微电极互连方法。该方法首先制作具有通孔结构的柔性互连膜,并将其通孔与待连接的植入式微电极焊接位点对准贴合,然后电镀生长导通金属,从而实现与待连接的植入式器件的柔性连接。最后本文通过SEM观察、电学性能测试、机械强度测试以及生物兼容性测试等手段对此互连方法的焊接效果进行了评价。测试结果表明本文提出的柔性微电极互连方法具有很好的可靠性和稳定性。     

背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明,背栅效应使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小,均匀性变差．     

n型GaAs MESFET沟道特性的研究

报道了ｎ型ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ漏源电流Ｉｄｓ和栅源电压Ｖｇｓ间的关系,发现在负栅压状态下,沟道特性分四个区域：过调制区、线性调制区、过渡区和夹断区,并且零栅压饱和漏源电流大的器件线性调制区的范围较大,过渡区的范围较小。     

硅微喷阵列芯片的设计、制作与应用研究

介绍了一种用于制作生物微阵列的新型微喷阵列芯片。基于半导体光刻技术和干法刻蚀技术,成功制作了喷孔外侧含有间隙环的硅微喷阵列芯片,解决了溶液进样难、微阵列样品点缺失、样品点漂移以及液体回流等问题。在5 kPa气压驱动下,该芯片中的样品能在3.4 mm×3.4 mm的玻璃片上制成5×5样品微阵列,25个点的直径平均值为356μm,直径的变异系数(25个点直径的标准偏差与算术平均值的比值)为2.8%。计算流体力学模拟结果和实验结果均表明,该微喷阵列芯片能快速、稳定地制作出样品点大小均一的微阵列,进一步推动了微阵列芯片的应用和发展。     

基于PZT厚膜驱动的微喷芯片的设计

设计了一种基于双压电薄膜驱动的微喷芯片,该芯片中每个流体单元结构主要是由进样室、微管道、喷口以及集成了PZT驱动器的主副贮液室组成,其中主驱动器提供喷射液体的驱动力,副驱动器抑制液体回流;采用计算流体力学模拟(CFD-simulation)对其进行了结构设计、进样模拟和喷样模拟,结果表明,液体能成功进样及喷样。同时当微管道尺寸小于40μm时,喷样过程中微管道内将不再产生回流,证明双PZT驱动器的芯片设计合理,为该芯片的制作打下基础。     

铁路客运专线隧道通过风积沙层施工技术

结合具体工程实例,分析了工程的地质情况,从加固坍塌段、优化开挖的方法、加强超前支护和初期支护等方面论述了铁路客运专线隧道通过风积沙层的施工技术,指出了采用上述方案施工的支护和衬砌稳定,隧道结构安全可靠。     

EDXRF法测定V-Ta合金中Ta含量

为适应新型合金材料(V-Ta合金)研制的需要,建立了用能量色散X射线荧光光谱(EDXRF)法测定V-Ta合金中Ta含量的分析方法。该方法将溶解的V-Ta合金切屑样制成滤纸片试样,用能量色散X射线荧光光谱仪测定其Ta含量。该方法简便、快速,测定Ta含量在25%~40%范围内的样品时,其测量结果的相对标准偏差(n=6)不大于1%。