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21.
22.
Device modeling has been carried out to investigate the effects of defect states on the performance of ideal CulnGaSe2 (CIGS) thin film solar cells theoretically. The varieties of defect states (location in the band gap and densities) in absorption layer CIGS and in buffer layer CdS were examined. The performance parameters: open-circuit voltage, short-circuit current, fill factor, and photoelectric conversion efficiency for different defect states were quantitatively analyzed. We found that defect states always harm the performance of CIGS solar cells, but when defect state density is less than 10 14 cm-3 in CIGS or less than 10 18 cm-3 in CdS, defect states have little effect on the performances. When defect states are located in the middle of the band gap, they are more harmful. The effects of temperature and thickness are also considered. We found that CIGS solar cells have optimal performance at about 170 K and 2 μm of CIGS is enough for solar light absorption. 相似文献
23.
使用A l-Cu共晶合金快冷钎料,以纯铝棒料为基体进行了真空钎焊.采用大间隙对接接头,使熔化后的钎料在毛细和重力作用下产生堆积,清楚地观察到了"钎料残余层"的存在.使用SEM和EDS对Cu元素的扩散现象进行了观察,初步研究和讨论了Cu元素在液相和固相扩散区域的不同扩散行为.实验结果表明:钎料熔化初期Cu元素在浓度梯度的驱使下向基体扩散,低熔点组分流向基体而高熔点组分逐渐堆积形成"钎料残余层".在基体深度方向上,Cu元素主要沿基体晶界扩散,且随扩散深度的增加呈明显的线性分布状态. 相似文献
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25.
26.
利用快速凝固技术和传统铸造技术分别制备出成分相同的Cu-Ni-Sn-P非晶薄带钎料和普通钎料,将两种钎料在四种钎焊温度(660,670,680,690℃)和四种保温时间(5,10,15,20min)下与紫铜进行真空钎焊,借助差热分析(DTA)、X衍射(XRD)、电子探针分析(EPMA)分析,探讨在不同钎焊条件下两种钎料钎焊接头的熔点、润湿性及钎焊接头显微组织差异.结果表明,非晶钎料的熔点比普通钎料低约4.5℃,结晶区间缩小3.5℃,非晶钎料润湿性明显优于普通钎料,非晶钎料与母材的相互扩散和冶金结合增强. 相似文献
27.
28.
研制了一种新型铝合金无腐蚀钎剂,该钎剂具有较低的熔点和良好的去膜能力,可用于6063,6061等含镁铝合金的钎焊,解决了传统无腐蚀钎剂无法钎焊含镁铝合金的问题.文中对钎剂的去膜机理进行了深入研究,通过X衍射分析了钎剂和纯氧化镁粉末及铝板表面的氧化物反应的产物,通过分析得出:KF-KBr-AlF3-CsF钎剂的中Cs+的强金属性,夺取了氧离子,从而使氧化镁膜溶解破裂;MgO和大多数Al2O3是通过化学反应而除去的,而MgAl2O4和部分Al2O3是通过物理作用去除的. 相似文献
29.
30.
采用Cu/Al-Si/Cu式复合钎料,在不同温度下钎焊铝及其合金,通过钎焊接头金相图片和电子探针对焊缝线扫描,分析接头反应结合情况,研究钎焊接头在此条件下共晶反应特征以及铜和硅的扩散特点。研究表明,铜的加入能够显著降低钎焊温度,从而有效保护钎焊母材。不同的钎焊温度,钎焊接头表现出不同的共晶反应,且共晶液相的产生极大地促进了铜和硅的扩散能力。首先内侧发生Al-Si-Cu三元共晶反应,随着钎焊温度超过548℃,铝和铜之间发生二元共晶反应,接头反应能够充分进行,得到较为理想的接触反应区。 相似文献