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951.
一种新型全桥零电压转模 PWM DC-DC变换器   总被引:7,自引:4,他引:7  
针对移相全桥ZVS PWM DC-DC变换器滞后桥臂零电压开关范围窄、占空比丢失严重以及转换效率较低等缺点,该文提出了一种新型的全桥ZVT PWM DC-DC变换器拓扑。这种电路在传统移相ZVS PWM DC-DC变换器的基础上增加了两个无源网络,其中一个并联在原边的主电路中,为滞后桥臂实现零电压开关提供条件;另一个串联在变压器的副边,以减小变压器的导通损耗。这种电路有宽零电压负载范围,占空比丢失小等优点,可以提高了开关电源的效率,且输出性能好。该文分析了变换器的工作原理以及滞后桥臂零电压开关的实现条件。该文采用了DSP作为控制芯片,实现了系统的双闭环控制。最后研制了一台功率为600W,工作频率为100kHz的样机,实验结果验证了这种新型全桥ZVT PWM DC-DC变换器相关理论的正确性。  相似文献   
952.
桦甸油页岩半焦燃烧反应动力学研究   总被引:15,自引:6,他引:15  
模拟巴西PETROSIX炼油工艺自行设计搭建实验装置,对桦甸油页岩干馏制得半焦。对不同干馏终温半焦进行电镜扫描测试,从微观角度分析了挥发分的析出和干馏半焦的结构变化过程;采用美国PerkinElmer公司生产的Pyris1TGA热重分析仪,对桦甸油页岩干馏半焦进行燃烧特性试验研究,并分析了桦甸不同矿区油页岩半焦、干馏终温、和燃烧升温速率等对半焦燃烧反应特性的影响。通过数据分析,利用Coats-Redfern法确定了桦甸油页岩半焦在低温段的燃烧反应级数为3,而在高温段则为5.5,从而得到油页岩半焦燃烧化学反应的动力学参数,为油页岩半焦的有效开发与经济利用提供了理论依据。  相似文献   
953.
达明 《电器评介》2006,(4):94-97
缘起 去年5月我的新居分到手,于是就有了设计一间更大影音室的条件。在8月影音室装修完毕之后,紧接着购入了Barco 801S三枪与Faroudja LD-100U倍线器,升级掉入门机SONY 1001QM。幕方面也使用美国Dalire High Power高能幕做了尺寸为123寸16:9的固定硬幕。影音室的升级,为进一步深入的视频发烧创造了有利的条件。  相似文献   
954.
几天前,接修一台进水的X488手机。故障为松手关机,一直按住开机键可以打进电话。先以为是小电容漏电,将几个小电容代换后,故障依旧。怀疑是软件问题,于是上52找资料,却发现一个不可忽视的问题。  相似文献   
955.
建设新农村,电力要先行。做好农电工作,也是南方电网公司主动承担更多社会责任的具体体现。当前,南方电网公司已开始实施“十一五”农电发展规划,初步勾勒出下一步农电事业发展的蓝图:满足农村经济发展和农民生产生活的需求,积极稳妥地深化农电体制改革,建设网架结构合理、技术装备优良、供电安全可靠的县级电网,县级供电企业经济效益良好、管理水平达标。  相似文献   
956.
介绍了万能式断路器在实际运行中的电磁兼容问题,即万能式断路器的干扰与抗干扰问题。万能式断路器的重要控制核心部分是微处理器系统,而微处理器系统的抗干扰能力基本上决定了万能式断路器的工作可靠性程度。提出了微处理器系统硬件电路及软件的抗干扰设计方法,结果表明,万能式断路器具有良好的电磁兼容性,实际运行稳定、可靠、安全。  相似文献   
957.
主要讨论从基于服务的类测试、基于层次增量的类测试以及基于数据流的类测试等三方面测试相同的类,从基于基本路径测试的结构测试的视角、面向对象的继承映射的视角、类的成员函数与数据成员之间交互作用的视角来检查类中的错误,得出了从不同的视角测试相同的类可以检查出类的不同错误的结论,通过实例阐述这些测试方法的优点和不足之处.  相似文献   
958.
9真空(压力)连续浸渍设备的工艺保证VPCI工艺设备的基本配置按照4.3.2真空压力浸漆系统的基本配置。9.1 VPCI工艺设备的现场验收合乎规范的VPCI设备,是VPCI工艺质量的基本保证。对于各类真空(压力)连续浸渍工艺设备,尤其对于设备中的真空(压力)浸渍罐(箱)、贮漆罐、贮压(气)罐、真空冷凝器(分离器)、真空干燥炉(罐、箱)、加热反应器、空气预热器等,均应按照有关规定、标准和技术条件,进行验收和使用(参见压力容器的压力等级和种类的划分)。  相似文献   
959.
开发了用O3氧化钝化多孔Si(PS)的实用工艺方法。O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键(DB)的充分氧化,经过随后158d贮存的老化实验,得到了表面Si—H,键完全被Si-O3膜和Si-烷基膜所替代并覆盖的PS,其光致发光(PL)强度达到稳定的增强,这归因于PS纳米晶粒的表面势垒高度的提高以及量子效率的提高。  相似文献   
960.
采用FRESNEL光学软件和MATLAB编程,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装工艺操作误差对耦合效率的影响.发现在芯片横向偏移、芯片倾斜和管帽倾斜这三种操作误差中,管帽倾斜对封装组件的耦合效率影响最大.  相似文献   
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