大同市垃圾问题的现状及对策

大同市垃圾处理要逐步达到以焚烧和实现资源化为主 ,适当发展堆肥处理 ,尽量减少填埋处理的垃圾量。提出逐步使垃圾处理形成产业 ,并建议政府制定相应的优惠政策。以达到垃圾的无害化、资源化、减量化处理     

薄膜积累型SOI pMOSFET

对薄膜积累型SOI pMOSFET的制备和特性进行了研究.把一些特性和反掺杂型SOI pMOSFET进行了比较.其亚阈值斜率只有69mV/decade,而且几乎没有DIBL效应.漏击穿电压为10.5V,与反掺杂型相比,提高了40%.饱和电流为130μA/μm,比反掺杂型提高了27%以上.在3V工作电压下,101级SOI CMOS环形振荡器的单级门延迟为56ps.     

采用新的抬高源漏工艺技术制作的全耗尽SOI CMOS器件和电路

采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOI CMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为65和69mV/dec.采用抬高源漏结构的1.2μm nMOSFETs的饱和电流提高了32%,pMOSFETs的饱和电流提高了24%.在3V工作电压下101级环形振荡器电路的单级门延迟为75ps.     

电火花线切割五轴联动加工运动规律及仿真研究

为研究空间曲面的加工过程和规律,提出电火花线切割五轴加工计算机仿真技术研究方法.分析了空间曲面电火花线切割加工的特点及运动规律,建立了电火花线切割多轴加工系统运动的数学模型.通过运行相应的仿真程序,可以在计算机上直接观察到电火花线切割加工的全部过程,获得了比较理想的仿真结果.仿真所得到的理想加工参数为复杂零件加工提供了理论基础.从而拓宽了电火花线切割加工的工艺范围,解决了空间曲面零件的加工难题.     

TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件

制备并研究了TiN栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件,并对其关键工艺进行了详细阐述.相对于双多晶硅栅器件,在不改变阈值电压的前提下,可以减小nMOS和pMOS的沟道掺杂浓度,进而提高迁移率.由于TiN的功函数处于中间禁带,在几乎相同的调整阈值注入剂量下,可以得到对称的阈值电压.当顶层硅膜厚度减小时,可以改善短沟道效应.     

1LB20阻值自动检测装置的研制

1LB20阻值检测采用万用表进行人工检测,存在耗时长、易错检、易漏检的问题,难以满足车间智能化、自动化生产的要求。针对该问题,研制了一种阻值自动检测装置。该装置基于直流电压阻值测量方式,采用两个探测头模拟万用表的两个表笔,工件到达指定位置后,探测头接触工件,开始检测阻值,阻值检测后检测结果显示在检测仪上。该装置实现了阻值的全自动检测,节省了时间、降低了劳动强度。     

清洁生产在化工行业环境影响评价中的应用

在化工行业环境影响评价中以原材料指标、产品指标、资源指标、污染物产生指标作为评价指标，进行了清洁生产实例分析。     

中型电机机座焊接偏心问题解决办法

分析带通风管电机与方型电机机座的偏心产生原因，提出切实可行的解决办法。     

当前我国室内空气污染问题现状及对策建议

通过对我国室内环境空气的污染现状、污染特点、污染成因和室内环境空气质量管理现状的分析评价，针对存在的问题，从加强监督和管理；加强对绿色建材和污染治理技术的研究开发与应用；采取措施加强室内通风；建立健全室内环境空气质量标准体系；提倡健康、科学、适度的家庭装修；正确引导消费者认识和鉴别环保材料等6个方面提出了相应的对策和建议。     

浅述无线通信在抗洪救灾中的作用

垦区河流众多，洪涝灾害发生频繁。防汛通讯任务十分艰巨。无线通讯网，从无到有，从小到大，为垦区防汛工作作出了巨大贡献．在通讯事业高速发展的今天，无线通讯也是防汛中不可替代的工具。