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71.
针对SU304/Q235B Φ820 mm×8(6.7+1.3)mm不锈钢复合管生产制造过程中内外断弧补焊、烧穿补焊、管内304不锈钢覆层损伤堆焊以及管道建设施工环缝焊接进行工艺试验研究。通过试验分析,采用的U形坡口GTAW+SMAW环焊、内外断弧SMAW补焊、烧穿SMAW补焊及覆层GTAW/SMAW ERNiCrMo-3堆焊工艺,均可使焊缝理化性能达到标准要求,且抗腐蚀性能良好。同时,对不同焊接坡口、焊接工艺及错边量对焊缝组织及性能影响进行了对比研究,进一步掌握了不锈钢复合管熔焊关键技术,对实际生产及管道施工提供参考。 相似文献
72.
宽禁带半导体技术包括宽禁带半导体(WBGS)材料,宽禁带半导体器件(WBG devices)与其制造工艺、测试等,是当前半导体技术发展的一个重点。作者介绍了宽禁带半导体技术的发展简况及其对雷达特别是有源相控阵雷达发展的重要影响,对有源相控阵雷达的发展趋势也进行了讨论。 相似文献
73.
To evaluate the light field display system with a liquid crystal display (LCD) and a holographic functional screen (HFS), the voxel theory based on the ray tracing is used. By analyzing the voxels defined by the cases of corresponding pixels overlapping completely and partially in the image space, the resolution characteristics of the system are discussed. The theoretical model is verified in the reconstruction experiment of a resolution target and compared with the calculation result of the presented system. Finally, we give an optimization method for the display image quality. 相似文献
74.
75.
76.
77.
溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究 总被引:5,自引:1,他引:5
采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于pZT铁电薄膜底电极的180nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。厚约50nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性。实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长。而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜。原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50nm。 相似文献
78.
79.
本文介绍了水平极化和圆极化两种天线的特点和参数,通过当地发射台安装的两副不同极化天线,在相同环境条件下收测其覆盖场强,将收测的数据进行对比,分析了两副天线的覆盖效果,并据此对调频广播发射天线的更新换代提出建议. 相似文献
80.
离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究 总被引:2,自引:1,他引:2
本文报道了用原子力显微镜(AFM)研究多种Ar ̄+离子抛光参数Si(lll)表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征,发现用离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度,抛光效果与离子束能量、束流强度、抛光时间和束流入射角度等有关。用400eV离子能量、100mA束流强度、60°入射角离子束照射2小时后再改用350eV、80mA束流强度以同样入射角照射2小时的样品,在1μm×1μm范围表面微观粗糙度(RMS)值可达到0.3nm左右。而当小入射角(<20°)照射时抛光效果很差,其表面明显地呈现出直径约几十到几百nm凹坑的蜂巢状形貌特征。 相似文献