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131.
以长兴县电力调控中心的"大运行"体系建设推进和实施过程为例,指出应及时了解员工的思想状态,认真分析员工的需求,有针对性地解决问题,加强职工培训和学习,以及安全风险评估和承载力分析,以确保"大运行"过程中的安全生产. 相似文献
132.
基于文化基因理论的视角,借鉴生物基因工程中产品基因提取的逆转录思想,根据历史街区文化元素实例的逆翻译和实例种群的逆转录提取出历史街区文化基因要素,并按照基因要素的关联构建起历史街区文化基因库系统模型。该模型主要包括意识形态、居民生产生活方式和外部表象三个层面,构成历史街区的文化核心。 相似文献
133.
研究胶体微球墨水的pH值对自组装结构生色和墨水稳定性能的影响。采用三维视频显微镜、DigiEye数慧眼系统、场发射扫描电镜(FE-SEM)和纳米粒度及分子量分析仪分别对胶体微球自组装产生的结构色、光子晶体结构的规整性以及胶体微球墨水的存放稳定性进行表征,并就相关影响因素进行分析。结果表明,胶体微球墨水的pH对自组装结构生色及墨水的存放稳定性均有显著影响,在pH为7~8时,胶体微球墨水具有较好的稳定性,且自组装光子晶体结构色的色彩艳丽。 相似文献
134.
18Cr_2Ni_4WA钢连续冷却过程中的粒状贝氏体及其回火转变 总被引:1,自引:0,他引:1
利用光学金相、电子金相、膨胀、磁性、X射线衍射、硬度等方法研究了18Cr_2Ni_4WA钢在连续冷却时粒状贝氏体的形成条件、组织形态及其影响因素,和回火转变的特点。结果表明,BF基体有二种形态-块状和条状。慢冷时为块状,快冷和提高奥氏体化温度有利于形成条状。M-A岛的随机分布和定向分布与此相对应。碳富集程度不同导致M-A岛的结构不同-碳偏低的、大而不规整的多为M岛,碳偏高的、小而规整的多为A岛。奥氏体成分的均匀化和冷却速度是影响粒贝组织形态和机械性能的二个最主要的因素,奥氏体成分的充分均匀化及随后快冷有利于粒贝组织和性能的改善。BF基体的回火抗力高于M-A中M的回火抗力。二次高温回火能有效地消除二次淬火M岛的脆化作用。与一次回火相比能显著改善强韧性、组织稳定性和软化效果。 相似文献
135.
本文分析了淬火,等温淬火后球墨铸铁测定洛氏硬度出现的显微裂纹。这种显微裂纹,系由外加应力造成的应力裂纹,它与石墨球的结晶构造、淬火温度、等温温度和等温时间,都有一定的关系。 相似文献
136.
137.
采用6 300 t卧式挤压机生产超级双相钢UNS S32760无缝钢管,以不同温度对管材进行固溶处理,研究固溶温度对管材金相组织、力学性能和腐蚀性能的影响。结果表明:随着固溶温度的升高,UNS S32760铁素体相(α相)含量逐渐增多,奥氏体相(γ相)含量逐渐降低,抗拉强度、伸长率基本保持不变,屈服强度逐渐升高,冲击功整体呈上升趋势;在固溶温度1 100℃时,管材组织中α相和γ相比例约为1∶1,点腐蚀速率最低,耐点蚀性能最优,腐蚀速率为0.031 mm/a。 相似文献
138.
用埋弧焊制造和修复轧辊的效益在很大程度上取决于堆焊金属的抗裂纹性,因此,必须研制出能在静负荷、疲劳负荷(热疲劳)和冲击负荷下阻止断裂的金属层堆焊工艺。保证堆焊层在裂纹扩展的途径上获得独特的阻碍物(屏障)的堆焊工艺证明是非常 相似文献
139.
通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60. 相似文献
140.