应变速率对锆合金塑性变形机制的影响

通过控制应变水平,采用热模拟准静态压缩和霍普金森压杆高应变速率压缩相结合的技术,实现了锆合金不同应变速率条件下的塑性变形。结果表明:锆合金准静态压缩和高应变速率压缩的主要区别在于变形后期。准静态压缩时,位错在晶粒内部塞积成为锆合金塑性变形的主要方式,导致基体晶粒内部累积取向差逐渐增加;而高应变速率压缩时,剪切带成为锆合金塑性变形的主要方式。剪切带塑性变形方式的出现,部分协调了锆合金的塑性变形,导致基体晶粒内部累积取向差较低。     

5A06铝合金激光焊接接头显微组织及力学性能研究

本文研究了30 mm厚5A06铝合金激光焊接接头的显微组织和力学性能。结果表明焊缝区存在一定数量的气孔缺陷,缺陷主要位于晶界处,统计表明尺寸小于100 μm的焊接缺陷占比超过50%;焊缝区显微组织由枝状晶组成,单个晶粒内包含多支枝状晶团簇,枝晶间累积取向差小于5o,枝晶间衬度的差异由Mg元素偏析造成;焊缝区与热影响区之间界面明显,热影响区晶粒内小角晶界的含量明显高于焊缝区,且两区域晶粒形貌、尺寸存在明显差异。显微硬度测试表明焊缝内显微硬度值存在一定波动,总体上可达到基材显微硬度值的90%以上。     

W-Ni-Fe合金微观组织与冲击性能研究

在不同混料时间相同烧结工艺下制备了两件钨合金。采用金相显微镜、扫描电子显微镜以及能谱技术对两件钨合金的微观组织以及成分进行了表征,并对其进行了冲击性能测试。微观组织观察表明两件钨合金晶粒形貌、尺寸差别不大,钨颗粒晶粒尺寸介于10⁵0μm。微区成分测试表明两件样品钨颗粒微区成分基本相同,而粘结相区差别较大。混料时间较长的钨合金粘结相区W元素含量较高,Ni、Fe、Co元素含量较低;而混料时间较短的钨合金微区成分正好相反。冲击韧性测试表明混料时间较长的钨合金冲击韧性明显降低。冲击断口显示混料时间较长的钨合金粘结相区撕裂棱较短,而混料时间较短的钨合金粘结相区撕裂棱较长。     

耐液锌腐蚀材料的研究

实现热镀锌内加热技术的关键是解决耐锌蚀材料的问题。本文分析了当前解决液锌腐蚀的不同方法。研究了等离子喷涂耐液锌腐蚀陶瓷涂层,提出了等离子喷涂耐液锌腐蚀陶瓷涂层的设计方案。     

AlN陶瓷粉末的主要制备方法及展望

论述了国内外AlN陶瓷粉末的主要制备方法:铝粉直接氮化法、Al2O3碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶—凝胶法、自蔓延高温合成法和等离子化学合成法,分析了这几种制备方法的特点和研究进展,为AlN粉末的制备指明了方向。     

反应等离子喷涂TiN-Al3Ti-Al复相陶瓷涂层的研究

采用反应等离子喷涂法制备了TiN-Al3Ti-Al复相陶瓷涂层,并通过XRD、SEM对复相涂层进行了相分析、表面行貌分析。结果表明涂层主要由TiN、Al3Ti、Al等三相组成;涂层的结构为富硬质相和富软质相堆叠在一起的层状组织;显微压痕和断口表明复合涂层的韧性较Al2O3涂层有着明显提高。     

AIN陶瓷粉末的主要制备方法及展望

论述了国内外AIN陶瓷粉末的主要制备方法：铝粉直接氮化法、Al2O3碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、自蔓延高温合成法和等离子化学合成法，分析了这几种制备方法的特点和研究进展，为AIN粉末的制备指明了方向。     

粘结底层材料的耐锌蚀性能研究

用等离子喷涂技术制备了用作粘结底层的Al/Ni、Fe-Al涂层,研究对比了这两种涂层在锌液中的耐腐蚀性能。结果表明,Fe-Al比Al/Ni有更好的耐锌蚀性。     

U-5.7Nb合金动载下绝热剪切带的形成及其演化机制

研究了U-5.7Nb合金在应变速率为8000s~(-1)下绝热剪切带的形成及其演化机制。通过控制应变速率,采用应变限位环的方法实现了U-5.7Nb合金在不同应变下的动态变形。结果表明:随着应变的增加,U-5.7Nb合金动载下会形成两种类型的绝热剪切带:形变带和转变带。形变带形成所需的临界应变值接近于0.33,而转变带形成所需的临界应变值接近于0.39。显微组织观察表明形变带内部由严重拉长的畸变组织组成,而转变带内部主要由细小等轴的晶粒组成。基于不同应变下绝热剪切带的表征,预测了U-5.7Nb合金动载下塑性变形及其断裂过程。     

超导射频腔用铌材的表面化学抛光技术

通过分析化学抛光过程中铌材的抛光速率、表面形貌和氧化状态等参数,确定了超导腔用铌材的表面化学抛光工艺:混合酸(HNO_3:HF:H_3PO_4=1:1:2,体积比)为适合的抛光试剂,抛光速率方程为h=29.359t 0.9247,抛光6~15 min可移除厚度154~360μm,表面粗糙度Ra小于0.65μm,表面Nb_2O_5层厚度小于10 nm。同时,利用电子背散射衍射技术(EBSD)结合表面形貌讨论了化学抛光机制,发现机加纹路消除后继续延长抛光时间,晶粒内高指数晶面(原子疏排面)会被优先抛光,从而在晶界处形成较深的沟槽,在晶粒内出现尖锐突起。