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191.
为明确纳米晶合金高频磁损耗与其微观结构的关系,基于随机各向异性理论,建立了介观尺度下纳米晶合金的三维模型。以晶体相体积分数V和晶粒尺寸d为研究参数,从介观层面探究了微观结构的变化对高频磁损耗pv的影响,并得出材料pv与V和d的函数关系式。结果表明:材料pv会随着V和d的增加而增加,且d对于材料pv的影响更为显著。当外部磁场频率保持10 kHz不变、V从60%增大为80%时,材料pv增长率为27.11%;相应地,d从6 nm增大到15 nm时,材料pv增长率为51.83%。从三者之间的函数关系式也可看出,晶粒尺寸d和体积分数V都与高频磁损耗pv正相关,但两者的指数系数却不相同,d的指数系数大于V的指数系数,因此,d的变化对于材料pv的影响更为显著。 相似文献
192.
193.
基于聚羧酸减水剂的作用机理,从原材料(大单体的分子量和封端基团、小单体的亲疏水性、单体的官能团活性)、制备方法(合成工艺、复配方式)方面总结了近年来国内外关于降黏型聚羧酸减水剂制备技术的研究进展,分析了降黏机理,并对降黏型聚羧酸减水剂的可行性研究进行了展望。 相似文献
194.
在干式空心电抗器的空间磁场预测方面,三环简化缩比模型是一种实用的方法,针对其预测精度不高的问题,该文提出了干式空心电抗器的五环简化缩比模型。首先推导原模型和两种简化缩比模型空间磁场分布的计算公式,然后拟合原模型高径比H/D和简化模型参数的函数表达式,最后搭建磁场测量平台对仿真结果进行验证。研究结果表明:线圈匝数不变只调整位置时,五环简化模型由于两两线圈间漏磁更小,其对应的方均根误差(RMSE)和绝对百分比误差(MAPE)分别比三环简化模型降低了18%和17%,决定系数(R2)提高了4%;线圈的匝数和位置均可调整时,五环简化模型不但可以减小漏磁,还可以同时减小4个监测方向上的误差,其对应的RMSE和MAPE相比三环简化模型分别降低了40%和21%,具有较高的等效精度;试验表明,五环简化模型最优结构对应的RMSE和MAPE分别比三环简化模型降低了21%和22%。建立某空心电抗器的三环和五环简化缩比模型,并进行了现场试验,结果表明,五环简化缩比模型在准确等效电抗器空间磁场分布的同时,RMSE和MAPE分别比三环简化模型降低了38.7%和4.9%,证明了五环简化缩比模型具... 相似文献