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11.
Sn-Zn系无铅焊料的研究和发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了Sn-Zn系无铅焊料的特性,以及工艺性能和服役性能等方面的研究进展,反映了当前研究中存在的问题及今后需做的努力.从熔点、毒性、资源和价格来看,Sn-Zn系无铅焊料是最佳选择.目前针对其润湿性、耐蚀性及疲劳性差等问题的研究已取得了很大进步.Sn-Zn系列仍是现在正在研制的各种无铅焊料中最有前途的一种.  相似文献   
12.
为有效提高V_6O_(13)正极材料在高锂状态下的放电比容量和改善循环性能,使用一种先制备前驱体再水热合成的方法制备铁掺杂V_6O_(13)。运用XRD,SEM和XPS表征铁掺杂V_6O_(13)的物相、形貌以及表面元素价态,并对铁掺杂V_6O_(13)的电化学性能进行研究与分析。掺杂不同数量的铁可以得到不同形貌且电化学性能各异的铁掺杂V_6O_(13)。其中0.02样品的有序堆垛纳米片的厚度最大(600~900nm),纳米片之间的空隙最大。铁掺杂V_6O_(13)样品的放电性能均好于纯V_6O_(13),其中0.02样品的电化学性能最好,首次放电比容量为433mAh·g-1,100次循环后的容量保存率为47.1%。  相似文献   
13.
崔占奎  邹正光  龙飞 《材料导报》2008,22(2):132-134
以酒石酸和柠檬酸钠为络合剂,采用水浴法(CBD)制备ZnS薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱仪(EDAX)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-vis)研究ZnS薄膜的结构、成分、形貌及光学性能.利用透射光谱计算了ZnS薄膜的光学禁带宽度.结果表明:ZnS薄膜呈立方相晶体结构,水浴沉积时间为3h的ZnS薄膜原子比Zn∶S为1∶0.85,薄膜表面均一致密,在可见光区有着好的透射性能,在300~800 nm的光谱范围内平均透射率达到80.8%,光学禁带宽度为3.78eV,适合作为太阳能电池过渡层.  相似文献   
14.
以蒸馏水为研磨介质,采用行星式球磨机对平均粒径约为10μm的SiC粉料进行了球磨,对球磨粉料进行酸洗除铁及水洗,制备出平均粒径为351.5nm的SiC超细粉料,详细分析了粉料制备过程中的物理化学变化与机理.结果发现:粗分散体系长时间球磨所得超细粉体溶液形成胶体分散系,体系固相含量增加,颗粒平均最小间距减小,颗粒间的范氏引力倍增,易形成团聚体;超细粉料胶体溶液在酸洗过程中产生了硬团聚,主要是由于Fe2+氧化水化成为Fe(OH)3胶桥,将超细粉料钳住所致;另外,测试溶液接近SiC等电点时亦会导致颗粒团聚.酸洗去除胶桥、调解溶液pH值可有效消除团聚.  相似文献   
15.
钛铁矿在自然界中储量非常丰富,分布较广.本文结合笔者的研究工作,概述和分析了以天然钛铁矿为主要原料,碳热、铝热、镁热等原位合成金属陶瓷材料的还原反应机理,并预测了工业化应用的前景.充分利用钛铁矿中的钛和铁两种资源,原位合成制备金属陶瓷材料,将成为天然钛铁矿综合开发利用中的一个重要方面.  相似文献   
16.
以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池.首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CIS(CIGS)薄膜电池的发展情况,并展望了CIS(CIGS)电池的发展趋势.  相似文献   
17.
原料组份、粒度对Ti-C-Fe体系自蔓延高温合成的影响   总被引:19,自引:0,他引:19  
本文探讨了Fe含量、碳源及Ti、C颗粒大小对Ti-C-Fe体系自蔓延高温合成过程及产物结构特征的影响.结果表明:Fe含量增高,燃烧温度降低,产物颗粒变细,而燃烧波速度在10wt%Fe时出现极大值,反映了Fe液相的作用.石墨作碳源燃烧合成的TiC更接近于化学计量的TiC,且TiC颗粒较粗,燃烧温度、燃烧波速度均较高,反映了碳源结构差异对燃烧合成的影响.Ti、C颗粒越细,越有利燃烧反应合成.随着Fe含量增高,Ti-C-Fe体系燃烧方式由稳态变为振荡式及螺旋式燃烧.Fe含量>60wt%;反应则不能自持.  相似文献   
18.
采用燃烧波峰铜楔块淬熄法和热分析法,研究Ti-C-Fe体系自蔓延高温合成的反应动力学过程的结构形成过程,在该体系SHS过程中,首先形成Fe,Ti低共熔体,C在高温下溶解于熔体之中,进而形成富TiCx。在主波峰后C继续通过扩散与Ticx反应形成接近化学计量比的TiC。熔融金属的流动导致大团聚体形成,在团聚体内反应形成小颗粒TiC在燃烧波过后的持续高温阶段,TiC粒子继续长大。  相似文献   
19.
在立方氮化硼聚晶复合材料制备中,为改善晶体相的偏聚,其思路之一便是将晶体相与粘接相预先制备成带有核-壳结构的原料。先采用Pirnaha溶液对cBN进行羟基化改性,改善其亲水性,使其容易分散并带有电荷的基础上,再用Stober法进行硅氧包覆处理,在氨水和少量水的作用下,以乙醇作为分散剂,用TEOS硅氧烷为原料,在室温条件下反应,利用水解-凝胶法让硅醇以非自发形核的方式在c BN粉体表面聚合,并对试验结果进行TEM,SEM,EDS,XRD,FTIR表征。结果表明,通过对立方氮化硼粉体进行硅氧纳米涂层包核处理,成功得到了立方氮化硼-氧化硅微/纳米核壳结构,包核形貌良好,包覆层厚度可由TEOS加入量的不同而调节。对无机材料核壳结构制备和立方氮化硼与结合剂的均布有实际意义。  相似文献   
20.
硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。  相似文献   
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