立方氮化硼表面Stober法包覆硅氧纳米涂层及其表征

在立方氮化硼聚晶复合材料制备中,为改善晶体相的偏聚,其思路之一便是将晶体相与粘接相预先制备成带有核-壳结构的原料。先采用Pirnaha溶液对cBN进行羟基化改性,改善其亲水性,使其容易分散并带有电荷的基础上,再用Stober法进行硅氧包覆处理,在氨水和少量水的作用下,以乙醇作为分散剂,用TEOS硅氧烷为原料,在室温条件下反应,利用水解-凝胶法让硅醇以非自发形核的方式在c BN粉体表面聚合,并对试验结果进行TEM,SEM,EDS,XRD,FTIR表征。结果表明,通过对立方氮化硼粉体进行硅氧纳米涂层包核处理,成功得到了立方氮化硼-氧化硅微/纳米核壳结构,包核形貌良好,包覆层厚度可由TEOS加入量的不同而调节。对无机材料核壳结构制备和立方氮化硼与结合剂的均布有实际意义。     

化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展

硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu（In,Ga）Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。     

添加AlN-Y2O3-La2O3烧结助剂的c-BN-β-Si3N4复合材料的超高压烧结

以AlN-Y2O3-La2O3为烧结助剂,在5.5 GPa,1 550℃下对c-BN-β-Si3N4复合材料进行了超高压烧结。借助X射线及扫描电镜对烧结样品进行了分析和观察,探讨了保温时间对产物的组成、形貌及力学性能的影响。结果表明:1)超高压条件下c-BN保持了原有的结构及形貌,发育良好的棒状β-Si3N4晶体均匀分布于烧结体中;α-Si3N4完全转变成β-Si3N4的时间随c-BN含量的增加而延长;烧结体相对密度和弯曲强度均随c-BN含量的增加而降低,硬度则随着c-BN含量的增加而增加,而相对密度的降低在一定程度上抵消了c-BN对硬度提高的贡献。2)c-BN质量分数为50%的复合材料同时具备较高的弯曲强度及硬度,其值分别为830 MPa与29.3 GPa。     

超高压烧结制备cBN/Sialon复合材料及烧结过程中的失效分析

在使用六面顶压机合成cBN/Sialon复合材料的实验过程中,当石墨杯内径为18.8mm时,烧结过程一切正常.当石墨杯内径扩展为22.0mm后,电流突降、电阻突升的情况开始出现.阐述了电阻突升可能造成的危害,从加热系统的各部分结构与组装方式入手,分析了电阻突升的原因,结果表明,烧结过程中发生较大体积收缩的Si3N4导致了加热电流回路的崩溃.改进组装方式后顺利合成了具有良好机械性能的cBN/Sialon复合材料,随着保温时间的增加,Sialon的Z值增加,发育良好的棒状β-Sialon晶体均匀分布于烧结体中.     

CaCu3Ti4O12 高介电材料的研究现状与发展趋势

CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其高介电常数、高热稳定性和强烈的非线性等优异性能,在科学研究和实际应用中成为当前介电材料领域研究的热点.本文综述了迄今为止介电常数最高的CCTO钙钛矿体系介电陶瓷材料的相关进展,介绍了几种制备方法,评述了CCTO高介电陶瓷的掺杂改性和复合的研究现状,并对其发展趋势作了展望.     

高介电聚合物/无机复合材料研究进展

随着电子工业的飞速发展,电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势.采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1/(K),使得高介电材料成为电子材料行业一个重要的发展领域.高介电钙钛矿型无机陶瓷材料与可加工性强的聚合物材料两相复合材料结合了两相各自的优势,比如聚合物相的低温(200℃)可加工性与机械强度以及陶瓷相的高介电性,成为高介电复合材料的研究热点之一.综述了高K聚合物/无机复合材料的研究进展,介绍了其高介电理论、材料制备方法及发展动向.     

有机泡沫浸渍工艺制备生物挂膜载体泡沫陶瓷

以粘土为原料,采用有机泡沫浸渍工艺,制备了生物载体用泡沫陶瓷。研究了硅溶胶的加入量对浆料粘度值及泡沫陶瓷抗压强度的影响,浆料固含量对烧成泡沫陶瓷的气孔率、抗压强度和外观形貌等性能的影响。结果表明：浆料中加入质量分数为1.5%左右的硅溶胶、浆料固含量为65%时,制备的泡沫陶瓷的抗压强度约为2.5 MPa,气孔率约为85%,综合性能最优。     

合成条件对锂离子电池正极材料V6O13物相和结构的影响

采用NH4VO3为原料,在Ar气氛保护条件下,以固相热解的方法制备了锂离子电池正极材料V6O13研究了不同Ar气流量、温度制度等工艺因素对V6O13的物相结构、微观形貌等影响。结果表明,随着Ar气流量的增加,钒氧化物中钒的价态逐渐升高;随着温度的升高,V6O13颗粒逐渐长大,并在（002）和（003）晶面出现了择优生长。在Ar气流量为85mL／min、升温速率5℃／min、180℃保温1h、300℃保温1h、450℃保温30min的条件下,随炉冷却得到的V6O13物相单一、颗粒均匀,是一种有实用价值的正极材料。     

黄铁矿（FeS2）薄膜制备和掺杂改性的研究进展

立方晶系的黄铁矿型FeS2薄膜具有高的吸收系数,并且其组成元素储量丰富,无毒,环境相容性好,有望成为新一代薄膜太阳电池吸收层材料.介绍了FeS2的光学特性并详细阐述了FeS2薄膜的制备方法和各工艺方法的特点,叙述了FeS2掺杂改性方面的一些重要研究进展.