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介绍了陶瓷基TiC/Fe复合材料的研究进展,在概述TiC/Fe复合材料的几种制备方法的基础上,对材料的性能改进途径,材料的实际应用等进行了展望。 相似文献
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Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTS)材料具有与Cu(In,Ga)Se2(CIGS)材料相似的光学性质和半导体性质,且原料丰富,是CIGS薄膜太阳电池重要的后备材料。有关CZTS薄膜制备工艺的研究和电池器件转换效率提升的研究正成为本领域新的研究开发热点。目前,有实力的薄膜太阳电池研究队伍已经针对CZTS薄膜太阳电池开展了持续的研究,试图通过不同的CZTS吸收层制备方式和优化电池组装工艺过程,进一步提高CZTS薄膜太阳电池的光电转换效率。文章阐述了CZTS材料特性,着重介绍了目前国内外所采用的CZTS薄膜制备方法,详细讨论了各种薄膜沉积技术的优缺点。最后展望了CZTS电池的发展趋势。 相似文献
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运用高温合成的方法合成CaBPO5:Dy3+,用X射线衍射仪(XRD)、以及荧光光度计(PL)对合成产物的结构和发光性质进行了研究。在350 nm紫外光激发下,测得CaBPO5:Dy3+材料的发射光谱为一个多峰宽谱,主峰分别为486nm(4F9/2→6H15/2),和575 nm(4F9/2→6H13/2)。研究了Dy3+浓度对发光性能的影响,随着Dy3+浓度的增大,样品的发光强度先增大后减小。掺杂Dy3+的浓度为1mol%时,其发光强度达到最大值。加入电荷补偿剂Li+、Na+、K+均提高了CaBPO5:Dy3+材料的发射光谱强度,其中以Li+的情况最为明显。 相似文献
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运用高温固相法合成 SrBPO5∶Ho 3+,用 X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)以及荧光光度计(PL) 对合成产物的结构、组成和发光性质进行了研究。结果表明:少量掺杂 Ho不会影响基质的晶体结构,Ho 均匀分布在基质材料中;荧光材料呈现出 H 3+的特征发射,发光区域在绿色区域,当掺杂量为 0.03mol 时发射强度最大;掺杂后计算得到 SrBPO5∶Ho 3+的 VBM和 CBM之间的带隙值为 5.53eV,相对掺杂前略微减少,且 SrBPO5∶Ho 3+体系属于直接带隙结构,有利于发光;Ho的掺杂在费米能级附近引起杂质能级。 相似文献
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云龙锡矿的锡石,能隙值Eg为3.647~3.942eV,阴极射线发光光谱是Ti,W引起的杂质发光。根据发光谱中发光带的强度和波长特征,可将云龙锡矿床锡石的发光光谱分为Ⅰ型谱和Ⅲ型谱两种类型。两种不同的光谱反映了两种不同的成矿过程。锡石中同时存在两种不同价态的铁(Fe~(3+)和Fe~(2+)),其中Fe~(3+)是Fe的主要存在形式,Fe~(3+)在D_(2h)对称场中的电子跃迁所产生的晶体场吸收是引起锡石颜色变化的主要原因。云龙锡矿床形成于相对碱性和偏还原条件。 相似文献
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