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41.
针对CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源存在较大争议的情况,以少量MnO2取代CCTO中CuO或TiO2、采用固相反应法烧结制备名义成分为CaCu3-xMnxTi4O12(x=0~0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(y=0~0.1)的陶瓷。通过微结构和电性能的演变讨论CCTO陶瓷的巨介电响应机理。结果表明:加入少量MnO2后,所有陶瓷均为体心立方(BCC)类钙钛矿结构的CCTO单相;但是,CCTO陶瓷显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小晶粒;同时,CCTO陶瓷的电阻率从107-.cm显著提高到109-.cm;介电常数从104显著下降到102;介电损耗从10-1急剧降低到10-3;CCTO陶瓷的巨介电响应是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成的内部阻挡层电容器(IBLC)所致。在较低温度下(<1 100℃)烧结获得高介电常数、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷,找到一种降低CCTO陶瓷介电损耗的有效方法。 相似文献
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43.
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采用高温烧结制备钨青铜型Ba_4Sm_2Fe_2Nb_8O_(30)铁电体,研究了氧气下退火热处理对其晶体结构、介电性能和铁电性能的影响。研究表明,退火处理后,Ba_4Sm_2Fe_2Nb_8O_(30)铁电体仍为钨青铜单相,但是晶胞体积略有增大;介电常数明显降低,而介电损耗略有升高。退火前后Ba_4Sm_2Fe_2Nb_8O_(30)铁电体均观测到典型的电滞回线:退火前其矫顽电场E_c=8.35 k V/cm,剩余极化强度P_r=0.62 C/cm~2;而退火后铁电性能改善为E_c=7.2 k V/cm,P_r=1.57 C/cm~2。 相似文献
45.
研究了CuO-B2O3助剂对Ba4Sm9.33Ti18O54陶瓷的烧结性能和介电性能的影响,结果表明:通过共添加CuO-B2O3助剂(CB),陶瓷的烧结温度可以从1350℃降低到1050℃左右,当CB添加量达到10%时,产生第二相Ba2Cu(BO3)2,研究了CB的添加,对介电性能的影响,当CB的添加量为1wt%时,有以下微波介电性能ε=62.7,Q·f=4 270 GHz,τf=-11.1 ppm/℃. 相似文献
46.
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由于在-55~150 ℃存在正交-四方和四方-立方相变,相变对应的尖锐介电峰使BaTiO3陶瓷介电性能难以满足X8R温度稳定性要求。本文采用50 nm的纳米BaTiO3粉体和少量堇青石(MgO-Al2O3-SiO2, MAS)玻璃,制备了满足X8R介电温度特性的BaTiO3基细晶陶瓷。结果表明,随着MAS玻璃的加入,BaTiO3基陶瓷的室温晶体结构从四方相转变成赝立方相,平均晶粒尺寸从纯BaTiO3陶瓷的1.904 μm显著降低到添加0.5%(质量分数)MAS玻璃的BaTiO3基陶瓷的183 nm。与此同时,BaTiO3基陶瓷虽然介电常数有所下降,但是介电损耗和介电性能的温度稳定性大幅度改善。其中添加0.5%MAS玻璃的BaTiO3基细晶陶瓷介电性能为:在1 kHz时室温介电常数为984,介电损耗为0.006 5,满足X8R温度特性要求。 相似文献
48.
针对铁基合金粉末等离子熔射成形制件表面耐腐蚀性差的问题,结合其成分及微观结构的特点,着重研究了该类零件的氧化处理工艺,并讨论了相关问题。 相似文献
49.
50.