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61.
采用热压法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-电木复合材料,加入CCTO不但明显提高了电木的介电常数,而且显著地降低了其介电损耗.随CCTO含量增加,电阻率先变化甚少,而后急剧降低,到80wt% CCTO时为107 Ω·m.大量添加CCTO将阻碍聚合物的交联固化,气孔明显增多.综合考虑,添加50wt%CCTO复合材料性能最好.  相似文献   
62.
采用固相烧结法在较低温度(<1000℃)制备了CaCu3 Ti4 O12 (CCTO)多孔陶瓷.研究了淀粉对CCTO陶瓷的气孔率、显微结构、介电性能的影响.随淀粉含量的增加,CCTO陶瓷的气孔率从32.4%大幅度上升到淀粉含量为5%和10%时的41.3%和48.6%;阻抗明显增大,介电常数和介电损耗明显降低.通过这些结构和性能的变化,分析讨论了CCTO的巨介电机理.  相似文献   
63.
CCTO/Cu巨介电陶瓷   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)/Cu陶瓷,Cu改善了CCTO陶瓷的烧结性能.Cu添加较少时,CCTO/Cu陶瓷为CCTO单相;而当Cu添加较多时,CCTO/Cu陶瓷中出现第二相,并且随烧结温度的升高,第二相由CuO变成Cu2O.CCTO/Cu陶瓷存在明显的晶粒异常长大和层状晶界相.但是,当Cu添加量达到3wt%时,层状富铜晶界相大大减少且分布不均匀.CCTO/Cu陶瓷均具有巨介电常数(>104,1 kHz)和较低的损耗(~10-1).CCTO/Cu陶瓷的巨介电常数与其半导体部分密切相关.相对于CCTO陶瓷,CCTO/Cu陶瓷介电常数具有更强的温度依赖性.  相似文献   
64.
高介电常数微波介质陶瓷   总被引:7,自引:0,他引:7  
近年来,微波介质陶瓷作为现代通信技术中关键的核心材料,广泛应用于微波谐振器、滤波器、介质基板、移相器等微波元器件,极大的促进了现化通信事业的飞速发展。本文综述了高介电常数微波介质陶瓷近几十年来的研究进展,并对高介电常数微波介质陶瓷的发展趋势进行了讨论和展望。  相似文献   
65.
固相反应烧结法制备CCTO陶瓷   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用固相反应烧结法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了其烧结性能、结构和介电性能。在1120℃烧结即可获得单相CCTO致密陶瓷,其收缩率高达22.3%。εr随着烧结温度升高而明显增大,且具有明显的频率敏感性,利用复阻抗谱分析了CCTO陶瓷的介电特性。于1120℃,烧结3h制备的CCTO陶瓷的εr为3005(室温,1kHz)。  相似文献   
66.
从目前社会发展的意识形态上来看,节能、环保、资源的可持续循环发展成为了社会深化改革过程中的主流趋势。为了能够使冶金行业中多余热量效能得到充分利用,我们应当积极开展研究通过对相关技术的改造,提高对冶金多余热能的回收利用效率,支援社会经济建设发展~([1])。  相似文献   
67.
四川安谷水电站安装的水轮发电机组是我国轴流转桨式机组之最。为了确保该机组的稳定运行,专门开发研制了一套以X20系列PLC作为控制计算和以GE FC系列主配作为执行机构的调速控制系统。调速系统在四川安谷水电站现场的成功投运及稳定运行表明,该调速控制系统具有良好的调节品质和控制适应能力,各项指标均处于国内先进水平。该工程的成功,可为我国巨型轴流转桨式和贯流式机组调速系统的制造提供可靠的技术保障;同时,对类似调速器系统的研发与设计也具有一定的参考和指导意义。  相似文献   
68.
对GCrl5轴承钢的脉冲电化学光整加工进行了实验研究,重点讨论了加工间隙、电流密度、脉冲参数、电解液浓度、加工温度等主要工艺参数对加工表面质量的影响规律。研究结果表明:用脉冲电化学光整加工技术加工GCrl5轴承钢能取得很好的效果,在轴承滚道光整加工中具有良好的应用前景。  相似文献   
69.
通过固相反应法合成了Sr1-xBax Nb2O6(SBN)钨青铜型铁电陶瓷,并对其结构、介电性能进行了系统的研究.结果表明在所研究的成分范围内,SBN陶瓷均形成了四方钨青铜相,但是SBN25陶瓷的主相为焦绿石相,其他3种成分的SBN陶瓷均为四方钨青铜单相.SBN陶瓷均存在一个明显的弥散介电峰,峰值温度随x的增加从室温(SBN25)升高到130℃左右(SBN60);同时峰值温度随频率往高温偏移,为典型的弛豫铁电相变.  相似文献   
70.
烧成工艺对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响   总被引:4,自引:2,他引:2  
采用短时间烧结制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,并详细研究了预烧温度、烧结温度等工艺对结构和性能的影响。研究了εr和tanδ随测试频率(20Hz~1MHz)、温度(25~150℃)的变化规律。结果表明:CCTO陶瓷的性能对烧成工艺非常敏感。较低的预烧温度较容易获得高εr(εr为11248)的CCTO陶瓷。  相似文献   
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