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21.
采用水基喷雾造粒技术制备SiC/纳米TiN复合粉体,并借助二步成型和无压烧结技术制备SiC/纳米TiN复合陶瓷,利用场发射扫描电镜结合能谱分析(SEM/EDS)研究了纳米TiN颗粒在SiC/纳米TiN复合粉体、素坯及烧结体过程中的分布状态,借此评价制备工艺。 相似文献
22.
MEMO改性硅溶胶增强甲基硅树脂薄膜结构及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以甲基三甲氧基硅烷(MTMS)水解聚合产物作为成膜材料,甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MEMO)改性硅溶胶为无机增强剂,采用溶胶-凝胶法在聚碳酸酯(PC)表面制备透明硅溶胶增强甲基硅树脂薄膜;探讨了MEMO改性硅溶胶前后涂膜液的稳定特征及薄膜特性,采用envelope方法计算了薄膜厚度。研究结果表明,MEMO改性硅溶胶增强硅树脂涂膜液与未经MEMO改性的涂膜液相比,凝胶时间延长,稳定性提高,易制备厚膜而不开裂;薄膜对PC片有增透作用,MEMO改性对薄膜增透性能及硬度影响不大;薄膜厚度随着陈化时间的延长而增加,理论计算所得的膜厚与SEM实测结果相近。 相似文献
23.
采用粒度分析仪以及扫描电镜研究了十二烷基硫酸钠以及聚丙烯酰胺对氧化锌水热反应的影响。研究表明,两种表面活性剂对水热反应所得氧化锌粉体的粒径以及粒度分布均有较大的影响。通过向水热反应过程中引入十二烷基硫酸钠或是聚丙烯酰胺可有效减小所得粉体粒子的尺寸。添加十二烷基硫酸钠的体系可得棒状的氧化锌微晶,而添加聚丙烯酰胺的体系所得粉体粒子则是矩形的片状结构。 相似文献
24.
中钛型高炉渣冶金性能的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
论文系统地研究了中钛型高渣的粘度、熔化性温度、稳定性和脱硫性能等方面的冶金性能;研究表明,中钛型炉渣是一种有一定稳定性和脱硫能力的炉渣。 相似文献
25.
以仲丁醇铝为铝源,正硅酸乙酯为硅源,利用乳液溶胶-凝胶法制备了氧化铝/二氧化硅复合凝胶微球,并通过热处理对复合凝胶微球进行了结晶化处理;采用扫描电镜(SEM)、差热/热重分析(DTA/TG)、X射线衍射(XRD)研究了仲丁醇铝与正硅酸乙酯的相对含量以及热处理温度对复合凝胶球微结构及结晶的影响。结果表明:过量的正硅酸乙酯会导致分散相凝胶不充分从而形成液滴融合状的微结构;所得氧化铝/二氧化硅凝胶球经过1000oC热处理后,球体内形成了莫来石纳米晶,经谢乐公式计算,微球体内的纳米晶平均尺寸为12 nm。 相似文献
26.
以硅烷偶联剂KH560(γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)为表面改性剂,对ATO(锑掺杂氧化锡)纳米粉体进行表面接枝改性,制得KH560偶联改性的ATO纳米粉体。采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、热重分析(TG)、粒度分析等手段对其进行了分析和表征,研究了KH560用量、反应温度、反应时间对ATO纳米粉体表面偶联改性的影响。结果表明,在乙醇、水混合溶剂中可以实现KH-560对ATO纳米粉体的偶联改性,当KH560用量为0.4 ml,反应温度为30℃,反应时间为2 h时,ATO粉体表面接枝的KH560接枝率最大,并获得较好的分散性。 相似文献
27.
以无机锆盐氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)为前驱体,聚氧乙烯(PEO,MV=106)为相分离诱导剂,环氧丙烷(PO)为凝胶促进剂,采用溶胶-凝胶伴随相分离制备孔径尺寸可控且骨架连续的多孔氧化锆块体材料,利用扫描电镜、X射线衍射、差热分析等测试手段对所制得块体材料进行了表征。结果表明:PO借助不可逆的开环反应提高体系的pH值,从而促进溶胶体系的凝胶化;PEO则诱导体系发生相分离,并获得共连续多孔块体;ZrO2干凝胶在热处理前呈无定形态,400℃热处理后有四方相晶体出现,800℃热处理后四方相基本都转变为单斜相;热处理所产生的晶型转变基本不影响块体材料的微观形貌。 相似文献
28.
以红柱石颗粒为主要骨料,辅以莫来石颗粒和刚玉颗粒,硅微粉、铝微粉为基质料,经混合、困料及成型后,经不同温度下烧成4h,制得莫来石基刚玉-莫来石复相陶瓷,分析了烧成温度对复相陶瓷的物相组成、显微结构、烧成性能、力学性能及热学性能。结果表明:红柱石在高温下转化成针状和柱状莫来石改善复相陶瓷的烧成性能和抗热震性能;在1480℃烧成时,红柱石刚玉-莫来石复相陶瓷具有优越性能,其抗折强度为15.4MPa,耐压强度为91.6MPa,热膨胀系数为5.5×10-6/K,1100℃下水冷的抗热震次数达到99次。 相似文献
29.
采用溶胶–凝胶伴随相分离法并结合真空还原工艺制备了Cd掺杂钙铝石(Ca_(12–x)Cd_xAl_7O_(33))电子化合物多孔材料,研究了Cd掺杂对钙铝石电子化合物的显微结构、晶体变化及其电学性能的影响。结果表明:Cd掺杂钙铝石含有全贯通网络状的大孔微观结构,大孔骨架致密稳定,孔隙率最高达66%;1 100℃热处理后,Cd元素取代较为活泼的钙离子,使得体系更为稳定,且不会破坏钙铝石本身较为稳定的笼状结构;经真空900℃还原,Cd掺杂钙铝石由绝缘体变为电子化合物,具有一定导电能力,其电子浓度最高可达6.904×10~(13) cm~(–3)。 相似文献
30.