反应熔渗法制备C/C-SiC材料的组织结构及性能

采用液相气化热梯度CVI法制备C/C材料,并通过反应熔渗法制备出密度为2.13～2.28g/cm3的C/C-SiC复合材料.用X射线衍射仪和光学显微镜分析C/C-SiC的显微组织结构,并对其力学性能(弯曲强度、压缩强度、硬度、断裂韧性)和摩擦磨损性能进行了研究.结果表明:反应熔渗法制备的C/C-SiC材料由C、SiC和Si组成;C/C多孔体的密度越低,得到的C/C-SiC材料密度越高.石墨化处理使C/C-SiC材料的弯曲强度由203～275 MPa降低到150～210 MPa,压缩强度由463～607 MPa降低到403～536 MPa,但材料的断裂韧性由6.6～8.5 MPa·m1/2提高到7.3～9.2 MPa·m1/2.在C/C-SiC盘与SiC销配对的滑动摩擦试验中,摩擦系数为0.19;石墨化处理可使摩擦系数降低到0.14～0.15,但平均体积磨损速率由3.4×10-3～5.0×10-3 mm3/h增大到7.9×10-3～9.8×10-3mm3/h.     

多孔SiC陶瓷的两种制备方法

采用两种不同方法制备多孔SiC陶瓷 ,讨论了其显微组织对性能的影响 ,探索制造多孔SiC陶瓷的新方法。经过研究得出 ,由天然木材制得的多孔SiC陶瓷的气孔形状规则 ,分布均匀 ,气孔率高 ,达 40 %以上 ,是制备高气孔率SiC陶瓷的一种可行技术     

PIRAC-SiCp/Fe界面化学稳定性

采用简化的PIRAC工艺对SiCp进行涂覆处理 ,并研究了该涂层对SiCp/Fe界面化学稳定性的影响。实验结果表明 ,该工艺可以在SiCp表面形成一层均匀、致密的涂层 ,它主要由Cr3Si、Cr7C3 和Cr2 3C6构成。3SiCp/Fe界面反应强烈 ,绝大多数的SiC被消耗掉 ,原位形成主要由Fe3Si构成的界面反应区 ,并在金属基体晶界形成片状珠光体团。而 3P -SiCp/Fe的界面反应很小 ,SiCp表面涂层保存完好 ,SiCp基本上未遭到破坏 ,并与基体紧密结合。涂层通过隔离Fe与SiC的接触 ,抑制P -SiCp/Fe界面反应 ,有助于提高其界面化学稳定性 ,改善界面结构     

水下机械臂涡激振动测试装置创新设计

拖曳水池是研究大型结构水动力性能的主要实验设施,为了揭示水下机械臂涡激振动响应,解决传统涡激振动装置调速形式单一、不能连续测试等问题,利用TRIZ和AHP（层次分析法）创新设计了一种适用于水下机械臂涡激振动测试装置。首先,对涡激振动测试装置进行技术成熟度预测、系统分析,确定了现有涡激振动测试装置的发展趋势、存在问题。然后,利用冲突矩阵进行技术冲突求解,获得了3种备选的创新性方案。最后,通过AHP在3种创新设计方案中确定了最佳方案,将一般解转换成特殊解,创新设计了可营造均匀流及剪切流多种流场的水下机械臂涡激振动测试装置,实现了水下机械臂单一装置下多流场涡激振动测试。     

某机载通讯设备的热仿真分析

以强迫风冷下某机载通讯设备作为研究对象,应用CFD热分析软件对其紊流流场和温度场进行了仿真分析.为了使该设备工作在允许的温度范围内,对其进行了优化设计.     

前驱体对熔盐法制备SBN50模板晶粒的影响

分别以碳酸盐和硝酸盐为前驱体,采用熔盐法在750～1050℃合成了针状的Sr0.5Ba0.5Nb2O6(SBN50)模板晶粒。通过XRD,SEM分析方法,研究了前驱体对SBN50晶粒相结构和微观形貌的影响,并讨论了其形成机理。结果表明:前驱体性质的不同造成熔盐熔点时SrNb2O6数量和形貌的差异,影响最终SBN50晶粒的形貌;SBN50晶粒的生长是二维成核过程。     

铸造砂型3D打印机应用及其效率提升的研究

3D打印技术作为一种全新的成型方式,推动了传统加工制造业的革命.其中在铸造行业,应用3D打印技术成果给传统铸造带来了颠覆性的变革,其高效的成型方式使铸件制造弃繁从简,提质增效,制造过程以人为本,绿色制造,为铸造行业的转型升级提供示范作用.目前国内外3D砂型打印机的工作效率普遍较低,就如何提升砂型3D打印机效率从喷头选择...     

水野学:通过设计,让产品更完美

正中国市场上,随处可见熊本熊,它有黑色的身体,红色的脸蛋,看上去有点笨笨的,殊不知这只熊的设计背景,是来自被众人遗忘的熊本县。自从熊本县进驻了这位公务员以后,不仅给熊本县增加了曝光度,旅游观光的游客数量与日俱增,为这个原本被雪藏的小县城带来了不小的财政收入。熊本熊的生父就是日本设计师水野学(Manabu Mizuno)。     

高功率半导体激光器技术发展与研究

高功率半导体激光器及阵列具有可用激光波长丰富、电光转换效率高、调制特性好等许多优点,特别是作为固体激光器和光纤激光器的高效率泵浦源而获得的全固态紧凑型激光器,持续受到极大的关注,得到快速发展.近年来在高功率阵列半导体激光器模块化技术、超高效率、高效冷却技术、半导体激光器及阵列的光束质量优化、高效电源驱动技术等方面都取得了长足的进步,促进了其广泛应用.将结合高功率半导体激光国家重点实验室的研究工作,概述近年来国内外半导体激光器技术的研究进展状况和发展趋势.     

一种高性能单反射面柱形紧缩场微波暗室

介绍了一个单反射面柱形紧缩场暗室,分析了柱面紧缩场的工作原理,其原理是采用一维算法将柱面波转换为平面波.整体暗室以紧缩场为基础,通过综合和优化选型,从暗室、吸波材料、紧缩场设备等多个方面配合设计,达到了较好的综合效果,具有很高的测试性能,可用于高精度的天线测量和雷达散射截面测量.